A photovoltaic infrared detector based on GaSb/InSb/InP heterostructure PIN belongs to the infrared detection technology field. The detector consists of the back electrode, the heavily doped N+ type InP substrate, the heavily doped N+ type InP electron transport layer, the undoped narrow band gap InSb active region, the heavily doped P+ GaSb cavity transmission layer and the gate strip top electrode. The present invention uses low pressure metal organic chemical vapor phase epitaxy technology to prepare the corresponding structure on the heavily doped N+ InP substrate and use magnetron sputtering to prepare the upper electrode and back electrode. The device has the characteristics of high detection rate, fast response speed, high working temperature and simple preparation process. The detection rate of D* is 2.4 x 1010cm Hz1/2W 1, which can be applied to aerospace, military, industrial, civilian and other fields.
【技术实现步骤摘要】
一种基于GaSb/InSb/InP异质PIN结构的光伏型红外探测器
本专利技术属于红外探测
，具体涉及一种基于GaSb/InSb/InP异质PIN结构的光伏型红外探测器。
技术介绍
红外技术是研究红外辐射的产生、传播、转化、测量及其应用的技术科学，其中的红外探测技术作为红外技术的重要分支，是一种利用目标与背景之间的红外辐射差异,所形成的热点或图像来获取目标和背景信息的技术。红外探测技术的核心部分是红外探测器，其功能在于将红外辐射转换为电信号，从而能够进一步分析、处理目标信息。红外探测技术以其独特的优势，在跟踪探测领域有着传统电子雷达不可比拟的优势，因此在国家安全及军事领域中有着重要的地位。同时，红外波段也是重要的通信波段，掌握和应用先进的红外探测技术，对提高国防信息化建设和民用设施信息化建设同样是至关重要的。相比于传统的制冷型红外探测器，非制冷型红外探测器无需制冷设备，因此体积小、重量轻、成本低，同时具有低功耗、可便携、连续工作时间长等优势，在军用和民用领域得到迅速的推广。由于传统光伏型探测器受到窄带隙材料的限制，室温下难以制备高探测率的器件，因此非制冷型红...
【技术保护点】
1.一种基于GaSb/InSb/InP异质PIN结构的光伏型红外探测器，其特征在于：由下至上依次由背电极(1)、重掺杂的N+型InP衬底(2)、重掺杂的N+型InP电子传输层(3)、未掺杂的窄禁带InSb有源区(4)、重掺杂的P+型GaSb空穴传输层(5)以及栅条形上电极(6)组成。
【技术特征摘要】
1.一种基于GaSb/InSb/InP异质PIN结构的光伏型红外探测器，其特征在于：由下至上依次由背电极(1)、重掺杂的N+型InP衬底(2)、重掺杂的N+型InP电子传输层(3)、未掺杂的窄禁带InSb有源区(4)、重掺杂的P+型GaSb空穴传输层(5)以及栅条形上电极(6)组成。2.如权利要求1所述的一种基于GaSb/InSb/InP异质PIN结构的光伏型红外探测器，其特征在于：重掺杂的N+型InP衬底(2)的施主掺杂浓度为1×1018～2×1018cm-3，厚度为3.5～5.0μm；重掺杂的N+型InP电子传输层(3)的施主掺杂浓度为5×1018～8×1018cm-3，厚度为0.2～0.5μm；未掺杂的窄禁带InSb有源区(4)的厚度为0...
【专利技术属性】
技术研发人员：张宝林，徐佳新，徐德前，庄仕伟，张源涛，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：吉林,22
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