阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置，属于显示技术领域。所述方法包括：在衬底基板上形成缓冲层和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：有源层图形，所述缓冲层中设置有第一过孔；其中，所述有源层图形与所述缓冲层中的第一过孔是通过一次构图工艺形成的，所述阵列基板的待切割区域位于所述第一过孔在所述衬底基板的正投影区域内。由于有源层图形与第一过孔是通过一次构图工艺形成的，且阵列基板的待切割区域位于第一过孔在衬底基板的正投影区域内，因此该方法能够去除待切割区域中的缓冲层。本发明专利技术用于制造阵列基板。

Array substrate manufacturing method, array substrate and display device

The invention discloses a manufacturing method of an array substrate, an array substrate and a display device, belonging to the display technology field. The method includes: forming a buffer layer and a thin film transistor on a substrate substrate, including an active layer pattern with a first over hole in the buffer layer, wherein the active layer graphics and the first over hole in the buffer layer are formed through a single composition technique, and the array substrate is pending. The cutting area is located in the forward projection area of the substrate substrate. Since the active layer graphics and the first over hole are formed by a single composition process, the cutting area of the array substrate is located in the positive projection area of the first over hole in the substrate substrate, so the method can remove the buffer layer in the area to be cut. The invention is used for manufacturing array substrates.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置。
技术介绍
随着显示
的发展，各种具有显示功能的产品出现在日常生活中，例如手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框和导航仪等，这些产品都无一例外的需要装配显示器。例如，该显示器可以包括：阵列基板、彩膜基板以及位于该阵列基板与彩膜基板之间的液晶层，通常在制造完阵列基板之后，需要对阵列基板进行切割，以使切割后的阵列基板可以满足最终制造出的显示器的尺寸要求。目前的阵列基板中需要设置膜层结构，该膜层结构是通过沉积或涂覆等方式形成在衬底基板上的，在阵列基板中的待切割区域中，可以通过构图工艺去除膜层结构，然而，阵列基板中的缓冲层通常是整层结构，其不涉及构图工艺，因此，目前的阵列基板中的待切割区域中会存在缓冲层，当采用激光切割的方式切割阵列基板时，待切割区域中的缓冲层的温度会瞬间升高，进而导致该缓冲层存在脱离的风险，并且该缓冲层中可能会产生粉尘，该粉尘会影响激光切割的效率。
技术实现思路
本申请提供了一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置，可以解决现有的切割阵列基板时缓冲层可能脱落的问题以及切割的效率较低的问题。所述技术方案如下：第一方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：在衬底基板上形成缓冲层和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：有源层图形，所述缓冲层中设置有第一过孔；其中，所述有源层图形与所述缓冲层中的第一过孔是通过一次构图工艺形成的，所述阵列基板的待切割区域位于所述第一过孔在所述衬底基板的正投影区域内。可选的，所述在衬底基板上形成缓冲层和薄膜晶体管，包括：在所述衬底基板上形成缓冲层薄膜；在所述缓冲层薄膜上形成有源层薄膜；对所述有源层薄膜执行一次构图工艺，以形成所述有源层图形和所述缓冲层。可选的，所述对所述有源层薄膜执行一次构图工艺，以形成所述有源层图形和所述缓冲层，包括：在所述有源层薄膜上形成光刻胶薄膜；采用灰度掩膜版对所述光刻胶薄膜进行曝光处理，并对曝光处理后的光刻胶薄膜进行显影处理，以形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案包括：第一光刻胶区、第二光刻胶区和第一光刻胶完全去除区，且所述第一光刻胶区中的光刻胶厚度大于所述第二光刻胶区中的光刻胶厚度；去除与所述第一光刻胶完全去除区对应的有源层薄膜，并减薄与所述第一光刻胶完全去除区对应的缓冲层薄膜，以形成带有所述第一光刻胶图案的有源层薄膜和缓冲层薄膜；去除所述第二光刻胶区中的光刻胶，并减薄所述第一光刻胶区中的光刻胶，以形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案包括：第二光刻胶完全去除区；去除与所述第二光刻胶完全去除区对应的有源层薄膜和缓冲层薄膜，以形成带有所述第二光刻胶图案的所述有源层图形和所述缓冲层；去除所述第二光刻胶图案，以形成所述有源层图形和所述缓冲层。可选的，所述去除与所述第一光刻胶完全去除区对应的有源层薄膜，并减薄与所述第一光刻胶完全去除区对应的缓冲层薄膜，包括：对带有所述第一光刻胶图案的有源层薄膜和缓冲层薄膜进行刻蚀处理，以去除与所述第一光刻胶完全去除区对应的有源层薄膜，并减薄与所述第一光刻胶完全去除区对应的缓冲层薄膜。可选的，所述去除所述第二光刻胶区中的光刻胶，并减薄所述第一光刻胶区中的光刻胶，包括：对所述第一光刻胶图案进行灰化处理，以去除所述第二光刻胶区中的光刻胶，并减薄所述第一光刻胶区中的光刻胶。可选的，所述去除与所述第二光刻胶完全去除区对应的有源层薄膜和缓冲层薄膜，包括：对带有所述第二光刻胶图案的有源层薄膜和缓冲层薄膜进行刻蚀处理，以去除与所述第二光刻胶完全去除区对应的有源层薄膜和缓冲层薄膜。可选的，所述在衬底基板上形成缓冲层和薄膜晶体管，包括：在所述衬底基板上依次形成遮光层、所述缓冲层、所述有源层图形、栅绝缘层、栅极图形、层间介电层、源漏极图形、平坦层和钝化层；其中，所述层间介电层、所述平坦层和所述钝化层均设置有第二过孔，所述阵列基板的待切割区域位于所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影区域内。可选的，所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影区域与所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影区域重合。第二方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板由第一方面所述的阵列基板的制造方法制造而成。第三方面，提供了一种显示装置，包括：第二方面所述的阵列基板。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：本专利技术实施例提供的阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置，由于有源层图形与缓冲层中的第一过孔通过一次构图工艺形成，因此可以避免有源图形被刻蚀处理所采用的刻蚀液腐蚀，并且刻蚀处理时所刻蚀的膜层厚度较小，提高了对刻蚀处理的刻蚀厚度的控制精度，从而避免了出现刻蚀到衬底基板的情况，或者出现膜层未刻穿的情况。又由于阵列基板的待切割区域位于第一过孔在衬底基板的正投影区域内，因此该方法能够去除待切割区域中的缓冲层，当采用激光切割的方式切割阵列基板时，降低了缓冲层的脱离的风险，并且有效的提高了激光切割的效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是相关技术提供的一种阵列基板的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的一种形成有源层图形和缓冲层的方法流程图；图3A是本专利技术实施例提供的一种形成缓冲层薄膜的衬底基板的结构示意图；图3B是本专利技术实施例提供的一种形成有源层薄膜的衬底基板的结构示意图；图3C是本专利技术实施例提供的一种形成光刻胶薄膜的衬底基板的结构示意图；图3D是本专利技术实施例提供的一种形成第一光刻胶图案的衬底基板的结构示意图；图3E是本专利技术实施例提供的一种形成带有第一光刻胶图案的有源层薄膜和缓冲层薄膜的衬底基板的结构示意图；图3F是本专利技术实施例提供的一种形成第二光刻胶图案的衬底基板的结构示意图；图3G是本专利技术实施例提供的一种形成带有第二光刻胶图案的有源层和缓冲层的示意图；图3H是本专利技术实施例提供的一种形成有源层图形和缓冲层的衬底基板的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。请参考图1，图1是相关技术提供的一种阵列基板的结构示意图，该阵列基板可以包括：衬底基板00，在衬底基板00上依次设置有缓冲层01、有源层图形02、栅绝缘层03、栅极图形04、层间介电层05、源漏极图形06、平坦层07和钝化层08，该层间介电层05、平坦层07和钝化层08均需要通过构图工艺形成，在进行构图工艺的过程后可以去除阵列基板中的待切割区域中的相应的膜层结构。其中，层间介电层05中设置有源漏极过孔05a，源漏极图形06通过该源漏极过孔05a与有源层图形02电连接，若在形成层间介电层05的过程中，去除待切割区域中的缓冲层，可能会出现以下两种不良情况：第一种不良情况，在形成源漏极过孔05a后，仍然需要进行刻蚀处理以去除待切割区域中的缓冲层，由于有源层图形02、层间介电层05和缓冲层01中均含有硅元素，刻蚀处本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上形成缓冲层和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：有源层图形，所述缓冲层中设置有第一过孔；其中，所述有源层图形与所述缓冲层中的第一过孔是通过一次构图工艺形成的，所述阵列基板的待切割区域位于所述第一过孔在所述衬底基板的正投影区域内。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上形成缓冲层和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：有源层图形，所述缓冲层中设置有第一过孔；其中，所述有源层图形与所述缓冲层中的第一过孔是通过一次构图工艺形成的，所述阵列基板的待切割区域位于所述第一过孔在所述衬底基板的正投影区域内。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成缓冲层和薄膜晶体管，包括：在所述衬底基板上形成缓冲层薄膜；在所述缓冲层薄膜上形成有源层薄膜；对所述有源层薄膜执行一次构图工艺，以形成所述有源层图形和所述缓冲层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述有源层薄膜执行一次构图工艺，以形成所述有源层图形和所述缓冲层，包括：在所述有源层薄膜上形成光刻胶薄膜；采用灰度掩膜版对所述光刻胶薄膜进行曝光处理，并对曝光处理后的光刻胶薄膜进行显影处理，以形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案包括：第一光刻胶区、第二光刻胶区和第一光刻胶完全去除区，且所述第一光刻胶区中的光刻胶厚度大于所述第二光刻胶区中的光刻胶厚度；去除与所述第一光刻胶完全去除区对应的有源层薄膜，并减薄与所述第一光刻胶完全去除区对应的缓冲层薄膜，以形成带有所述第一光刻胶图案的有源层薄膜和缓冲层薄膜；去除所述第二光刻胶区中的光刻胶，并减薄所述第一光刻胶区中的光刻胶，以形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案包括：第二光刻胶完全去除区；去除与所述第二光刻胶完全去除区对应的有源层薄膜和缓冲层薄膜，以形成带有所述第二光刻胶图案的所述有源层图形和所述缓冲层；去除所述第二光刻胶图案，以形成所述有源层图形和所述缓冲层。4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔赟，李付强，赵生伟，蔡志光，方业周，王珍，史大为，杨璐，张寒，王争奎，丛乐乐，秦文文，黄飞，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11