The invention discloses a wet etching method for Ge2Sb2Te5 sulfur system phase change film material. The method comprises the following steps: plating a layer of Ge2Sb2Te5 sulfur system phase change film on a glass substrate by magnetron sputtering, and laser exposure and heating of the Ge2Sb2Te5 sulfur system phase change film material by laser. The wet etching method is easy to operate, the cost is low, the etching rate is controllable, and the resolution is high. The Ge2Sb2Te5 sulfur system phase change film material has the characteristics of both positive photoresist and negative photoresist. The wet etching method of the invention can be used for the fabrication of micro and nano structures of semiconductor products, optoelectronic devices, and ultra large scale integrated circuits, etc.
【技术实现步骤摘要】
Ge2Sb2Te5硫系相变薄膜材料正负胶两用湿法刻蚀方法
本专利技术属于微纳加工
,特别是涉及一种Ge2Sb2Te5硫系相变薄膜材料正负胶两用湿法刻蚀方法
技术介绍
纳米技术是一种给人类社会带来变革的极具应用前景的技术,而纳米技术离不开微纳加工技术。硫系相变材料Ge2Sb2Te5具有超快并且可逆的相变特性,此外在相变过程中伴随着物理和化学性能的巨大改变,成为了极具应用前景的相变存储材料。与此同时硫系相变材料Ge2Sb2Te5在相变前后物理和化学性能的巨大改变也令它在微纳加工领域有很好的前景。然而现有的技术中对于硫系相变材料Ge2Sb2Te5只有作为负性光刻胶的湿法刻蚀方法,因而开发一种高精度的湿法刻蚀工艺,让硫系相变材料Ge2Sb2Te5同时具有负性光刻胶和正性光刻胶的特性,对于硫系相变材料Ge2Sb2Te5的产业化应用有重要的意义。硫系相变材料Ge2Sb2Te5在激光曝光加热作用后产生非晶态向晶态的转变,并且在氢氧化钾溶液中,晶态的刻蚀速率大于非晶态;在四甲基氢氧化铵溶液中,晶态的刻蚀速率小于非晶态,从而可以通过激光曝光加热作用的方法在氢氧化钾溶液或四甲基氢氧化铵溶液中进行湿法刻蚀,并分别体现正性光刻胶特性和负性光刻胶特性。并且传统光刻技术的图形线宽受限于实际光斑大小,而实际光斑大小又受限于衍射极限的影响,而采用硫系相变材料Ge2Sb2Te5作为热致无机光刻胶,可以达到更高的分辨率,突破衍射极限的影响。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种Ge2Sb2Te5硫系相变薄膜材料正负胶两用湿法刻蚀方法,使用氢氧化钾溶液或四甲基氢氧化铵溶液作为显影液,利 ...
【技术保护点】
1.一种Ge2Sb2Te5硫系相变薄膜材料正负胶两用的湿法刻蚀方法,其特征在于该方法包括以下步骤:a)在玻璃基片上用磁控溅射的方法镀上一层Ge2Sb2Te5硫系相变薄膜材料;b)利用激光束对镀有Ge2Sb2Te5硫系相变材料薄膜的玻璃基片进行激光曝光加热处理;c)采用显影液对激光曝光加热后的镀有Ge2Sb2Te5硫系相变材料薄膜的玻璃基片进行选择性湿法刻蚀,形成微纳图形结构。
【技术特征摘要】
1.一种Ge2Sb2Te5硫系相变薄膜材料正负胶两用的湿法刻蚀方法,其特征在于该方法包括以下步骤:a)在玻璃基片上用磁控溅射的方法镀上一层Ge2Sb2Te5硫系相变薄膜材料;b)利用激光束对镀有Ge2Sb2Te5硫系相变材料薄膜的玻璃基片进行激光曝光加热处理;c)采用显影液对激光曝光加热后的镀有Ge2Sb2Te5硫系相变材料薄膜的玻璃基片进行选择性湿法刻蚀,形成微纳图形结构。2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀方法,其特征在于,所述的步骤a)中,磁控溅射的Ge2Sb2Te5硫系相变薄膜材料厚度为50-200nm。3.根据权利要求2所述的湿法刻蚀方法,其特征在于,所述的步骤a)中,磁控溅射的Ge2Sb2Te5硫系相变薄膜材料厚度为150nm。4.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:俞小哲,魏劲松,
申请(专利权)人:中国科学院上海光学精密机械研究所,
类型:发明
国别省市:上海,31
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