A single chip integrated negative temperature coefficient compensated oscillator circuit consists of a starting circuit, a bias circuit, a temperature compensation circuit and an oscillator circuit. The charge discharge capacitance in the oscillator circuit is PIP capacitance. The capacitance value has a positive temperature characteristic, that is, the capacitance increases with the rise of the temperature, and the temperature coefficient is generally +30ppm/. Centigrade. In order to compensate the positive temperature characteristic of the capacitor, the invention adopts the negative temperature coefficient bias circuit and the temperature compensation circuit, and uses the resistance combination of the negative temperature coefficient to compensate the charge and discharge current of the capacitor, in order to offset the positive temperature characteristic of the capacitor and realize the accurate output of the clock frequency of the oscillator.
【技术实现步骤摘要】
一种可单片集成的负温度系数补偿振荡器电路
本专利技术涉及一种补偿振荡器电路,特别提供一种可单片集成的负温度系数补偿振荡器电路。
技术介绍
传统振荡器电路一般采用片外晶体振荡器来得到时钟信号,晶体振荡器和锁相环结合能得到稳定的时钟,但需要芯片提供单独的引脚,不利于集成和产品的小型化,并增加了应用成本。而可片内集成的振荡器电路,一般通过对电容的充放电实现,其结构简单,但振荡频率易受生产工艺和应用温度的影响,产品的一致性较差。
技术实现思路
为了解决上述问题,本专利技术的目的是提供了一种实现振荡器时钟频率的精确输出的可单片集成的负温度系数补偿振荡器电路。为达到上述目的,本专利技术的技术方案如下:一种可单片集成的负温度系数补偿振荡器电路包括启动电路、偏置电路、温度补偿电路和振荡器电路;所述启动电路包括P型场效应管MP1、MP2,N型场效应管MN1、MN2和电容C1;所述P型场效应管MP1的栅极与P型场效应管MP2的栅极连接后接地,漏极和P型场效应管MP2的漏极连接电源,源极连接N型场效应管MN1的漏极;所述N型场效应管MN1的漏极与栅极两端相连,栅极连接N型场效应管MN2的栅极,源极接地;所述N型场效应管MN2的漏极连接P型场效应管MP2的源极和电容C1的一端,源极连接电容C1另一端;所述偏置电路包括P型场效应管MP3、MP4、MP5,三极管Q1、Q2和电阻R1、R2;所述P型场效应管MP3、MP4、MP5的漏极连接电源;所述P型场效应管MP3的栅极和源极两端相连,栅极连接P型场效应管MP4的栅极,源极连接三极管Q1的集电极;所述P型场效应管MP4的源极连接在所述启动 ...
【技术保护点】
1.一种可单片集成的负温度系数补偿振荡器电路,其特征在于:包括启动电路、偏置电路、温度补偿电路和振荡器电路;所述启动电路包括P型场效应管MP1、MP2,N型场效应管MN1、MN2和电容C1;所述P型场效应管MP1的栅极与P型场效应管MP2的栅极连接后接地,漏极和P型场效应管MP2的漏极连接电源,源极连接N型场效应管MN1的漏极;所述N型场效应管MN1的漏极与栅极两端相连,栅极连接N型场效应管MN2的栅极,源极接地;所述N型场效应管MN2的漏极连接P型场效应管MP2的源极和电容C1的一端,源极连接电容C1另一端;所述偏置电路包括P型场效应管MP3、MP4、MP5,三极管Q1、Q2和电阻R1、R2;所述P型场效应管MP3、MP4、MP5的漏极连接电源;所述P型场效应管MP3的栅极和源极两端相连,栅极连接P型场效应管MP4的栅极,源极连接三极管Q1的集电极;所述P型场效应管MP4的源极连接在所述启动电路中的N型场效应管MN2和电容C1之间,同时连接三极管Q1的基极和三极管Q2的集电极;所述P型场效应管MP5的栅极接于P型场效应管MP3和P型场效应管MP4之间,源极通过电阻R2接地;所述三极管 ...
【技术特征摘要】
1.一种可单片集成的负温度系数补偿振荡器电路,其特征在于:包括启动电路、偏置电路、温度补偿电路和振荡器电路;所述启动电路包括P型场效应管MP1、MP2,N型场效应管MN1、MN2和电容C1;所述P型场效应管MP1的栅极与P型场效应管MP2的栅极连接后接地,漏极和P型场效应管MP2的漏极连接电源,源极连接N型场效应管MN1的漏极;所述N型场效应管MN1的漏极与栅极两端相连,栅极连接N型场效应管MN2的栅极,源极接地;所述N型场效应管MN2的漏极连接P型场效应管MP2的源极和电容C1的一端,源极连接电容C1另一端;所述偏置电路包括P型场效应管MP3、MP4、MP5,三极管Q1、Q2和电阻R1、R2;所述P型场效应管MP3、MP4、MP5的漏极连接电源;所述P型场效应管MP3的栅极和源极两端相连,栅极连接P型场效应管MP4的栅极,源极连接三极管Q1的集电极;所述P型场效应管MP4的源极连接在所述启动电路中的N型场效应管MN2和电容C1之间,同时连接三极管Q1的基极和三极管Q2的集电极;所述P型场效应管MP5的栅极接于P型场效应管MP3和P型场效应管MP4之间,源极通过电阻R2接地;所述三极管Q1的发射极通过电阻R1接地;所述三极管Q2的基极接于三极管Q1和电阻R1之间,发射极接地;所述温度补偿电路包括电阻R3、R4,修调电阻阵列Rtrim,PNP型三极管Q3,NPN型三极管Q4和P型场效应管MP6;所述电阻R3的一端和P型场效应管MP6的漏极接电源,所述电阻R3的另一端连接三极管Q3的发射极;所述P型场效应管MP6的栅极和源极两端相连,源极连接三极管Q4的集电极;所述三极管Q4的发射极通过修调电阻阵列Rtrim接地,基极接于电阻R3和三极管Q3之间;所述三极管Q3的基极接于偏置电路中的P型场效应管MP5和电阻R2之间,集电极通过电阻R4接地;所述振荡器电路包括电容C2、P型场效应管MP7、MP8、MP9、MP10、MP11、MP12、MP13、MP14,N型场效应管MN3、MN4、MN5、MN6、MN7、MN8、MN9、MN10和振荡器OSC;所述P型场效应管MP7、MP8、MP10、MP11、MP12、MP13、MP14的漏极接电源;所述P型场效应管MP7、MP8、MP10、MP11...
【专利技术属性】
技术研发人员:张梁堂,蔡志猛,李志阳,杨静,汤丽华,
申请(专利权)人:厦门华厦学院,
类型:发明
国别省市:福建,35
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