谐振电路温度补偿制造技术

本公开的特定方面提供了用于谐振电路的温度依赖性调整的方法和装置，诸如在压控振荡器(VCO)中找到。这种调整可以通过努力补偿由于温度变化引起的谐振电路的频率偏移来执行。用于谐振电路的温度依赖性调整的一种示例性调整电路通常包括至少一个变抗器以及半导体器件的两个集合，被配置为基于半导体器件的环境温度在至少一个变抗器两端施加差分调整电压以调整至少一个变抗器的电容，其中半导体器件的集合中的每个器件均具有温度依赖性结，并且其中配置半导体器件的两个集合，使得半导体器件的两个集合中的温度依赖性结的电压变化被添加到差分调整电压中。

Temperature compensation of resonant circuit

A specific aspect of the disclosure provides a method and apparatus for temperature dependent adjustment of a resonant circuit, such as in a voltage controlled oscillator (VCO). This adjustment can be performed by compensating for the frequency shift of resonant circuits caused by temperature changes. An example adjustment circuit for the temperature dependence adjustment of a resonant circuit usually includes at least one reactance and two sets of semiconductor devices, configured to apply a differential voltage adjustment at both ends of at least one reactance to adjust the capacitance of at least one reactance on the basis of the ambient temperature of a semiconductor device. Each of the sets of the conductor devices has a temperature dependent junction, and in which two sets of semiconductor devices are configured so that the voltage change of the temperature dependent junction in the two sets of the semiconductor device is added to the differential voltage adjustment voltage.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】谐振电路温度补偿在35U.S.C.§119下要求优先权本申请要求2015年9月21日提交的美国申请第14/860,027号的优先权，其内容结合于此作为参考。
本公开的特定方面总体上涉及电子电路，并且更具体地，涉及谐振电路的温度依赖性调整，诸如在压控振荡器(VCO)中发现的。
技术介绍
无线通信网络被广泛用于提供各种通信服务，诸如电话、视频、数据、消息、广播等。这种网络(通常为多路接入网络)通过共享可用网络资源来为多个用户支持通信。例如，一个网络可以是WLAN(无线局域网)或3G(第三代移动电话标准和技术)系统，它们可以经由各种3G无线电接入技术(RAT)中的任何一种来提供网络服务，这些3GRAT技术包括EVDO(演进数据最优化)、1xRTT(1倍无线电传输技术，或简单地称为1x)、W-CDMA(宽带码分多址接入)、UMTS-TDD(通用移动通讯系统-时分复用)、HSPA(高速封包存取)、GPRS(通用分组无线业务)或EDGE(增强数据传输全球演进)。3G网络是广域蜂窝电话网络，其被进化为除了语音电话之外还结合高速互联网接入和视频技术。此外，3G网络可以比其他网络系统更具实力并且提供更大的覆盖面积。这种多路接入网络还可以包括码分多址(CDMA)系统、时分多址(TDMA)系统、频分多址(FDMA)系统、正交频分多址(OFDMA)系统、单载波FDMA(SC-FDMA)网络、第三代合作伙伴项目(3GPP)长期演进(LTE)网络和长期演进高级(LTE-A)网络。无线通信网络可以包括多个基站，它们可以为多个移动站支持通信。移动站(MS)可以经由下行链路和上行链路与基站(BS)通信。下行链路(或正向链路)是指从基站到移动站的通信链路，而上行链路(或反向链路)是指从移动站到基站的通信链路。基站可以在下行链路上向移动站传输数据和控制信息，和/或可以在上行链路上接收来自移动站的数据和控制信息。
技术实现思路
本公开的特定方面总的来说涉及谐振电路的温度依赖性调整。可以努力补偿由于温度变化而引起的谐振电路的频率偏移来执行这种调整。本公开的特定方面提供了一种用于谐振电路的温度依赖性调整的调整电路。该调整电路一般来说包括：至少一个变抗器，具有第一端子和第二端子；一个或多个半导体器件的第一集合，与第一端子连接，并且被配置为生成第一调整电压；以及一个或多个半导体器件的第二集合，与第二端子连接，并且被配置为生成第二调整电压，其中：半导体器件的第一集合和第二集合中的每个器件均具有温度依赖性结；第一和第二调整电压是基于分别影响半导体器件的第一和第二集合中的每个器件的温度依赖性结的环境温度；基于第一和第二调整电压之间的差的差分调整电压被施加至第一端子和第二端子，以调整至少一个变抗器的电容；并且由于影响半导体器件的第一和第二集合中的每个器件的温度依赖性结的环境温度的变化而引起的电压变化被添加到差分调整电压中。根据特定方面，没有放大器连接在半导体器件的集合和至少一个变抗器之间。换句话说，半导体器件的第一和第二集合分别与至少一个变抗器的第一和第二端子连接，在它们之间不连接放大器。对于特定方面，半导体器件的第一和第二集合分别与至少一个变抗器的第一和第二端子连接，在它们之间不连接滤波器。根据特定方面，半导体器件的每个集合均包括一个或多个串联连接的二极管。对于其他方面，半导体器件的每个集合均包括一个或多个二极管连接的晶体管。例如，二极管连接的晶体管可以包括二极管连接的n沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管或二极管连接的双极结晶体管(BJT)(也称为“BJT二极管”)。根据特定方面，半导体器件的第一和第二集合中的每个器件均具有负温度系数。根据特定方面，调整电路还包括一个或多个缩放电路，一个或多个缩放电路分别连接在半导体器件的第一和第二集合与第一和第二端子之间。根据特定方面，缩放电路被配置为缩放差分调整电压的幅度，其中缩放的差分调整电压被施加至第一和第二端子。根据特定方面，至少一个变抗器包括与第二变抗器串联连接的第一变抗器。在这种情况下，半导体器件的第一集合和第二集合可配置为在第一变抗器两端和第二变抗器两端施加差分调整电压。第一变抗器的阳极可与第二变抗器的阳极连接。对于特定方面，调整电路还包括：第一阻抗，与第一变抗器的阴极连接；以及第二阻抗，与第二变抗器的阴极连接，其中调整电路被配置为将差分调整电压从第一变抗器的阳极施加到第一阻抗并且从第二变抗器的阳极施加到第二阻抗。根据特定方面，至少一个变抗器的电容与施加到第一端子和第二端子的差分调整电压的平方根成反比。根据特定方面，调整电路还包括：偏置电压源，被配置为偏置半导体器件的第一集合和第二集合。对于特定方面，调整电路还包括：第一阻抗，连接在偏置电压源与半导体器件的第一集合之间，其中半导体器件的第一集合与用于偏置电压源的参考电位连接；以及第二阻抗，连接在半导体器件的第二集合与参考电位之间，其中半导体器件的第二集合与所述偏置电压源连接。根据特定方面，调整电路还包括与至少一个变抗器串联连接的一个或多个固定电容器。根据特定方面，半导体器件的每个集合均包括串联连接的一个或多个二极管，每个二极管均具有负温度系数。在这种情况下，半导体器件的第一和第二集合可配置为使得由于半导体器件的第一和第二集合中的一个或多个二极管的负温度系数而引起的电压变化被添加到差分调整电压中。根据特定方面，调整电路还包括一个或多个电平偏移电路，一个或多个电平偏移电路分别连接在半导体器件的第一和第二集合与第一和第二端子之间。对于特定方面，一个或多个电平偏移电路被配置为电平偏移差分调整电压，其中电平偏移后的差分调整电压被施加至第一和第二端子。本公开的特定方面提供了一种用于谐振电路的温度依赖性调整的方法。该方法一般包括：基于半导体器件的两个集合的环境温度生成差分调整电压，其中半导体器件的两个集合中的每个器件均具有温度依赖性结，并且其中半导体器件的两个集合被配置为使得来自半导体器件的两个集合的温度依赖性结的效果被组合到差分调整电压中；以及通过在至少一个变抗器两端施加差分调整电压，调整设置在与谐振电路并联连接的信号路径中的至少一个变抗器的电容。本公开的特定方面提供了一种用于谐振电路的温度依赖性调整的设备。该设备一般包括：用于基于半导体器件的两个集合的环境温度生成差分调整电压的装置，其中半导体器件的集合中的每个器件均具有温度依赖性结，并且半导体器件的两个集合被配置为使得来自半导体器件的两个集合的温度依赖性结的效果被组合到差分调整电压中；以及用于通过在至少一个变抗器两端施加差分调整电压来调整设置在与谐振电路并联连接的信号路径中的至少一个变抗器的电容的装置。本公开的特定方面提供了一种用于谐振电路的温度依赖性调整的调整电路。调整电路一般包括：至少一个变抗器，具有第一端子和第二端子；偏置电路，与第一端子连接，并且被配置为生成用于施加至第一端子的偏置电压；以及一个或多个半导体器件的集合，与第二端子连接，并且被配置为基于一个或多个半导体器件的环境温度生成用于施加至第二端子的调整电压，以调整至少一个变抗器的电容，其中半导体器件的集合中的每个器件均具有温度依赖性结。根据特定方面，半导体器件的集合与第二端子连接，在它们之间不连接放大器。对于特定方面，半导体器件的集合与第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于谐振电路的温度依赖性调整的调整电路，包括：至少一个变抗器，具有第一端子和第二端子；一个或多个半导体器件的第一集合，与所述第一端子连接，并且被配置为生成第一调整电压；以及一个或多个半导体器件的第二集合，与所述第二端子连接，并且被配置为生成第二调整电压，其中：半导体器件的所述第一集合和所述第二集合中的每个器件均具有温度依赖性结；所述第一调整电压和所述第二调整电压是基于分别影响半导体器件的所述第一集合和所述第二集合中的每个器件的所述温度依赖性结的环境温度；基于所述第一调整电压和所述第二调整电压之间的差的差分调整电压被施加至所述第一端子和所述第二端子，以调整所述至少一个变抗器的电容；并且由于影响半导体器件的所述第一集合和所述第二集合中的所述温度依赖性结的所述环境温度的变化而引起的电压变化被添加到所述差分调整电压中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.21 US 14/860,0271.一种用于谐振电路的温度依赖性调整的调整电路，包括：至少一个变抗器，具有第一端子和第二端子；一个或多个半导体器件的第一集合，与所述第一端子连接，并且被配置为生成第一调整电压；以及一个或多个半导体器件的第二集合，与所述第二端子连接，并且被配置为生成第二调整电压，其中：半导体器件的所述第一集合和所述第二集合中的每个器件均具有温度依赖性结；所述第一调整电压和所述第二调整电压是基于分别影响半导体器件的所述第一集合和所述第二集合中的每个器件的所述温度依赖性结的环境温度；基于所述第一调整电压和所述第二调整电压之间的差的差分调整电压被施加至所述第一端子和所述第二端子，以调整所述至少一个变抗器的电容；并且由于影响半导体器件的所述第一集合和所述第二集合中的所述温度依赖性结的所述环境温度的变化而引起的电压变化被添加到所述差分调整电压中。2.根据权利要求1所述的调整电路，其中半导体器件的所述第一集合和所述第二集合分别与所述至少一个变抗器的所述第一端子和所述第二端子连接，在所述第一集合和所述第二集合与所述第一端子和所述第二端子之间不连接放大器或滤波器。3.根据权利要求1所述的调整电路，其中半导体器件的每个集合均包括一个或多个二极管连接的双极结晶体管(BJT)。4.根据权利要求1所述的调整电路，还包括一个或多个缩放电路，所述一个或多个缩放电路分别连接在半导体器件的所述第一集合和所述第二集合与所述第一端子和所述第二端子之间，并且被配置为缩放所述差分调整电压的幅度，其中缩放的所述差分调整电压被施加至所述第一端子和所述第二端子。5.根据权利要求1所述的调整电路，其中：所述至少一个变抗器包括与第二变抗器串联连接的第一变抗器；半导体器件的所述第一集合和所述第二集合被配置为在所述第一变抗器两端和所述第二变抗器两端施加所述差分调整电压；并且所述第一变抗器的阳极与所述第二变抗器的阳极连接。6.根据权利要求5所述的调整电路，还包括：第一阻抗，与所述第一变抗器的阴极连接；以及第二阻抗，与所述第二变抗器的阴极连接，其中所述调整电路被配置为将所述差分调整电压从所述第一变抗器的阳极施加到所述第一阻抗并且从所述第二变抗器的阳极施加到所述第二阻抗。7.根据权利要求1所述的调整电路，其中所述至少一个变抗器的电容与施加到所述第一端子和所述第二端子的所述差分调整电压的平方根成反比。8.根据权利要求1所述的调整电路，还包括：偏置电压源，被配置为偏置半导体器件的所述第一集合和所述第二集合；第一阻抗，连接在所述偏置电压源与半导体器件的所述第一集合之间，其中半导体器件的所述第一集合与用于所述偏置电压源的参考电位连接；以及第二阻抗，连接在半导体器件的所述第二集合与所述参考电位之间，其中半导体器件的所述第二集合与所述偏置电压源连接。9.根据权利要求1所述的调整电路，其中半导体器件的每个集合均包括串联连接的一个或多个二极管，每个二极管均具有负温度系数，并且其中半导体器件的所述第一集合和所述第二集合被配置为使得由于半导体器件的所述第一集合和所述第二集合中的一个或多个二极管的所述负温度系数而引起的电压变化被添加到所述差分调整电压中。10.根据权利要求1所述的调整电路，还包括一个或多个电平偏移电路，所述一个或多个电平偏移电路分别连接在半导体器件的所述第一集合和所述第二集合与所述第一端子和所述第二端子之间，并且被配置为电平偏移所述差分调整电压，其中电平偏移后的所述差分调整电压被施加至所述第一端子和所述第二端子。11.一种用于谐振电路的温度依赖性调整的方法，包括：基于半导体器件的两个集合的环境温度生成差分调整电压，其中所述半导体器件的集合中的每个器件均具有温度依赖性结，并且其中所述半导体器件的两个集合被配置为使得来自所述半导体器件的两个集合的温度依赖性结的效果被组合到所述差分调整电压中；以及通过在至少一个变抗器两端施加所述差分调整电压，调整设置在与所述谐振电路并联连接的信号路径中的所述至少一个变抗器的电容。12.根据权利要求11所述的方法，还包括使用所述谐振电路生成周期信号，其中所述周期信号具有包括负温度系数的频率。13.根据权利要求12所述的方法，其中调整所述至少一个变抗器的电容减小了所述频率的所述负温度系数的幅度。14.根据权利要求12所述的方法，其中随着所述半导体器件的两个集合的所述环境温度的增加：所述温度依赖性结的结电压被配置为减小；所述差分调整电压被配置为增加；所述至少一个变抗器的电容被配置为减小；与所述谐振电路并联连...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·C·阮，J·杨，A·比卡科西，王申，A·萨弗拉，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US