一种背接触双面太阳能电池及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种背接触双面太阳能电池及其制作方法，其包括散热基板、LED芯片、导电图案、第一绝缘材料层和透明导电层；所述散热基板具有设置有导电图案的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述LED芯片通过粘合层固定于所述散热基板的第一表面上的未设置所述导电图案的部分，且所述LED芯片与所述导电图案之间具有间隙，所述散热基板还设有位于所述第一表面上的伸入槽，所述导电图案上设有与所述伸入槽相对应的通孔；所述第一绝缘材料层包覆所述LED芯片的侧面并填充所述间隙；所述透明导电层电连接所述LED芯片的电极以及所述导电图案，且位于所述第一绝缘材料层上以及完全填充所述伸入槽以及所述通孔。

A back contact double sided solar cell and its making method

The invention provides a back - contact double-sided solar cell and a manufacturing method, including a heat sink substrate, a LED chip, a conductive pattern, a first insulating material layer and a transparent conductive layer, which has a first surface with a conductive pattern and a second surface relative to the first surface, and the LED chip is connected. The over adhesive layer is fixed to the first surface of the heat dissipation substrate without the part of the conductive pattern, and the LED chip has a gap between the conductive pattern, and the heat dissipation substrate is also provided with an extension slot on the first surface, and the conductive pattern is provided with a through hole corresponding to the trough. The first insulating material layer covers the side of the LED chip and fills the gap; the transparent conductive layer electrically connects the electrode of the LED chip and the conductive pattern, and is located on the first insulating material layer and completely fills the slot and the through hole.

【技术实现步骤摘要】
一种背接触双面太阳能电池及其制作方法
本专利技术涉及太阳能电池领域，属于分类号H01L31/00下，具体涉及一种背接触双面太阳能电池及其制作方法。
技术介绍
现有技术中的背接触太阳能电池的发射极与基板的pn结区设置在靠近太阳能电池的背面表面，在背面形成电极等工艺时，会对pn结区产生损坏，因此，不利于提高太阳能电池的寿命；此外，将pn结设置距离背面具有一定距离，能够减少光子到达pn结区距离，进一步提高光电转换效率；对于形成双面太阳能电池进而提高光电转换效率时产生障碍。
技术实现思路
基于解决上述问题，本专利技术提供了一种背接触双面太阳能电池的制作方法，包括：1）提供第一掺杂类型的单晶硅基板；2）对所述具有第一掺杂类型的单晶硅基板进行制绒；3）在经过制绒的具有第一掺杂类型的单晶硅基板的背面进行通过形成掩膜并经过刻蚀，形成凹槽或盲孔；4）在所述形成的凹槽或盲孔中的多个凹槽或盲孔中进行第二掺杂类型离子的注入，形成间隔的第二掺杂类型的区域；5）在所述形成凹槽中或盲孔的剩余的凹槽或盲孔中进行第一掺杂类型离子的注入，形成与第二掺杂类型的区域相邻的第一重掺杂类型的区域；6）进行第一次退火，已使注入的离子形成均匀的掺杂区域；7）在所述凹槽中或盲孔填充金属分别形成发射极金属电极和背场金属电极；8）进行第二次退火，使金属电极分别与第二掺杂类型的区域或第一重掺杂类型的区域形成欧姆接触；其中，所述第二类型掺杂区域为发射区；所述第一重掺杂类型区域为高浓度背场区；所述形成凹槽或盲孔的深度为单晶硅基板厚度的1/5-1/3；离子注入的注入的深度为晶体硅基板的1/5-1/3。本专利技术还提供了一种背接触双面太阳能电池，包括：单晶硅基板、设置在单晶硅基板两侧的减反层、埋入单晶硅基板内部的发射极区、埋入单晶硅基板内部的高浓度背场区、发射极电极、背场金属电极、发射极栅线结构、背场栅线结构。根据本专利技术的实施例，第二掺杂类型的区域与所述第一重掺杂类型的区域不连接。根据本专利技术的实施例，发射极金属电极相互电连接形成发射极栅线结构，背场金属电极相互电连接形成背场栅线结构。根据本专利技术的实施例，所述凹槽为相互平行的阵列，所述盲孔为矩形或六边形阵列。根据本专利技术的实施例，第一掺杂类型为n型，第二掺杂类型为p型，所述第二类型注入离子为B，第一类型重掺杂离子为P或As。本专利技术的优点如下：（1）能够减少形成电极时对pn结区产生的损坏；（2）减少光子到达pn结区距离，进一步提高光电转换效率；（3）能够提高对背面的光吸收，进一步提高光电转换效率。附图说明图1是一种背接触双面太阳能电池的制作方法工艺步骤图。1：第一掺杂类型单晶硅衬底；2：制绒形成的减反层；3：刻蚀形成的凹槽或盲孔；4：第二掺杂类型离子的注入；5：第二掺杂类型的区域；6：第一重掺杂类型的区域；7：第一掺杂类型离子的注入；8：发射极金属电极；9：背场金属电极。具体实施方式如图1的（a）-（f）所示，包括：步骤1）提供第一掺杂类型的单晶硅基板1；步骤2）对所述具有第一掺杂类型的单晶硅基板进行制绒，形成减反层2；步骤3）在经过制绒的具有第一掺杂类型的单晶硅基板的背面进行通过形成掩膜并经过刻蚀，形成凹槽或盲孔3；步骤4）在所述形成的凹槽或盲孔中的多个凹槽或盲孔中进行第二掺杂类型离子的注入4，形成间隔的第二掺杂类型的区域5；步骤5）在所述形成凹槽中或盲孔的剩余的凹槽或盲孔中进行第一掺杂类型离子的注入7，形成与第二掺杂类型的区域相邻的第一重掺杂类型的区域6；步骤6）进行第一次退火，已使注入的离子形成均匀的掺杂区域；步骤7）在所述凹槽中或盲孔填充金属分别形成发射极金属电极8和背场金属电极9；步骤8）进行第二次退火，使金属电极分别与第二掺杂类型的区域或第一重掺杂类型的区域形成欧姆接触；其中，所述第二类型掺杂区域为发射区；所述第一重掺杂类型区域为高浓度背场区；所述形成凹槽或盲孔的深度为单晶硅基板厚度的1/5-1/3；离子注入的注入的深度为晶体硅基板的1/5-1/3。所述第二掺杂类型的区域与所述第一重掺杂类型的区域不连接。所述发射极金属电极相互电连接形成发射极栅线结构，背场金属电极相互电连接形成背场栅线结构。所述凹槽为相互平行的阵列。所述盲孔为矩形或六边形阵列。第一掺杂类型为n型，第二掺杂类型为p型，所述第二类型注入离子为B，第一类型重掺杂离子为P或As。如图1的（f）所示，背接触双面太阳能电池的制作方法制作的背接触双面太阳能电池，包括：单晶硅基板1、设置在单晶硅基板两侧的减反层2、埋入单晶硅基板内部的发射极区5、埋入单晶硅基板内部的高浓度背场区6、发射极电极8、背场金属电极9、发射极栅线结构（未示出）、背场栅线结构（未示出）。发射极区的埋入的深度为距离基板底面所述基板厚度的1/5-1/3。最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本专利技术所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本专利技术的保护范围之中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背接触双面太阳能电池的制作方法，包括：1）提供第一掺杂类型的单晶硅基板；2）对所述具有第一掺杂类型的单晶硅基板进行制绒；3）在经过制绒的具有第一掺杂类型的单晶硅基板的背面进行通过形成掩膜并经过刻蚀，形成凹槽或盲孔；4）在所述形成的凹槽或盲孔中的多个凹槽或盲孔中进行第二掺杂类型离子的注入，形成间隔的第二掺杂类型的区域；5）在所述形成凹槽中或盲孔的剩余的凹槽或盲孔中进行第一掺杂类型离子的注入，形成与第二掺杂类型的区域相邻的第一重掺杂类型的区域；6）进行第一次退火，已使注入的离子形成均匀的掺杂区域；7）在所述凹槽中或盲孔填充金属分别形成发射极金属电极和背场金属电极；8）进行第二次退火，使金属电极分别与第二掺杂类型的区域或第一重掺杂类型的区域形成欧姆接触；其中，所述第二类型掺杂区域为发射区；所述第一重掺杂类型区域为高浓度背场区；所述形成凹槽或盲孔的深度为单晶硅基板厚度的1/5‑1/3；离子注入的注入的深度为晶体硅基板的1/5‑1/3。

【技术特征摘要】
1.一种背接触双面太阳能电池的制作方法，包括：1）提供第一掺杂类型的单晶硅基板；2）对所述具有第一掺杂类型的单晶硅基板进行制绒；3）在经过制绒的具有第一掺杂类型的单晶硅基板的背面进行通过形成掩膜并经过刻蚀，形成凹槽或盲孔；4）在所述形成的凹槽或盲孔中的多个凹槽或盲孔中进行第二掺杂类型离子的注入，形成间隔的第二掺杂类型的区域；5）在所述形成凹槽中或盲孔的剩余的凹槽或盲孔中进行第一掺杂类型离子的注入，形成与第二掺杂类型的区域相邻的第一重掺杂类型的区域；6）进行第一次退火，已使注入的离子形成均匀的掺杂区域；7）在所述凹槽中或盲孔填充金属分别形成发射极金属电极和背场金属电极；8）进行第二次退火，使金属电极分别与第二掺杂类型的区域或第一重掺杂类型的区域形成欧姆接触；其中，所述第二类型掺杂区域为发射区；所述第一重掺杂类型区域为高浓度背场区；所述形成凹槽或盲孔的深度为单晶硅基板厚度的1/5-1/3；离子注入的注入的深度为晶体硅基板的1/5-1/3。...

【专利技术属性】
技术研发人员：周华，
申请(专利权)人：周华，
类型：发明
国别省市：江苏,32