微型OLED显示装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了微型OLED显示装置，包括基板、设置于所述基板上的OLED器件以及封装所述OLED器件的薄膜封装层。所述薄膜封装层为无机薄膜封装层。所述无机薄膜封装层具有至少两层依次层叠的无机层，相邻的所述无机层之间呈现的应力方向相反。本发明专利技术还提供了该微型OLED显示装置的制作方法，通过在基板及OLED器件上沉积多层无机层以实现对OLED器件的封装，通过控制相邻无机层之间的应力方向相反，使得相邻无机层之间的应力相互抵消，以沉积出厚度小、应力低、水气透过率低的薄膜封装层，工艺过程简单；采用该方法制作的微型OLED显示装置的薄膜封装层的厚度减小，减少了出光串扰。

【技术实现步骤摘要】
微型OLED显示装置及其制作方法
本专利技术涉及有机光电器件
，尤其涉及一种微型OLED显示装置及其制作方法。
技术介绍
OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)器件具有响应速度快、视角宽、亮度高、低功耗等优异性能，并且为自发光器件，被认为是具有很大发展前景的下一代显示技术。硅基微显示器是一种高PPI(PixelsPerInch)显示器件。目前，主要采用的是平面RGB结构和白光OLED加RGB滤光片这两种彩色实现方案实现彩色显示。对于平面RGB结构，采用的是将并列的RGB子像素复合为彩色像素。RGB子像素分别发出亮度可变的光，经空间混色后呈现出不同亮度的彩色光。该方案是目前实现OLED全彩色显示最简单的方法，不需要额外的功率消耗，但是，该方案需要单独的生长RGB三基色OLED，增加了生产成本。对于白光OLED加RGB滤光片结构，是将白光OLED发出的光经RGB三基色滤光片滤光后再实现RGB三色的混合。该方案中不需要单独的生长RGB三基色OLED，降低了生产成本。目前，硅基微显示器多采用白光OLED加RGB滤光片的方案实现彩色显示。有效的封装可以防止有机材料老化，延长OLED器件寿命。目前，硅基微显示器多采用薄膜封装，即有机材料与无机材料交替沉积的方式，其中，无机层采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积，有机层多采用有机打印技术形成。请参阅图1所示，采用现有封装工艺制作的OLED显示装置，包括基板1、白光OLED层2、RGB滤光片3以及用于封装白光OLED层2的薄膜封装层4。其中，薄膜封装层4中的有机层较厚，形成的薄膜封装层4的厚度D大于7μm，导致存在严重的出光串扰。有鉴于此，有必要提供一种改进的微型OLED显示装置及其制作方法，以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种降低封装层厚度、减少出光串扰的微型OLED显示装置及其制作方法。为实现上述专利技术目的，本专利技术提供了一种微型OLED显示装置，包括基板、设置于所述基板上的OLED器件以及封装所述OLED器件的薄膜封装层，所述薄膜封装层为无机薄膜封装层，所述无机薄膜封装层具有至少两层依次层叠的无机层，相邻的所述无机层之间呈现的应力方向相反。作为本专利技术的进一步改进，单层所述无机层的材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钛中的一种或者多种。作为本专利技术的进一步改进，通过等离子体增强化学气相沉积法或者原子层沉积法形成所述无机层。作为本专利技术的进一步改进，所述无机薄膜封装层具有四层无机层，依次为第一无机层、第二无机层、第三无机层以及第四无机层，所述第一无机层沉积于所述基板上，所述第二无机层沉积于所述第一无机层上，所述第三无机层沉积于所述第二无机层上，所述第四无机层沉积于所述第三无机层上，所述第一无机层、所述第三无机层呈现拉应力，所述第二无机层、所述第四无机层呈现压应力。作为本专利技术的进一步改进，所述无机薄膜封装层具有四层无机层，依次为第一无机层、第二无机层、第三无机层以及第四无机层，所述第一无机层沉积于所述基板上，所述第二无机层沉积于所述第一无机层上，所述第三无机层沉积于所述第二无机层上，所述第四无机层沉积于所述第三无机层上，所述第一无机层、所述第三无机层呈现压应力，所述第二无机层、所述第四无机层呈现拉应力。作为本专利技术的进一步改进，所述无机薄膜封装层的厚度小于1um。为实现上述专利技术目的，本专利技术还提供了一种微型OLED显示装置的制作方法，包括如下步骤：S1，提供基板，在所述基板上形成OLED器件；S2，采用原子层沉积技术在所述基板、所述OLED器件上沉积第一无机层；S3，采用原子层沉积技术在所述第一无机层上形成第二无机层；其中，所述第一无机层与所述第二无机层呈现的应力方向相反。作为本专利技术的进一步改进，所述微型OLED显示装置的制作方法还包括如下步骤：S4，采用原子层沉积技术在所述第二无机层上形成第三无机层；S5，采用原子层沉积技术在所述第三无机层上形成第四无机层；其中，相邻的无机层之间呈现的应力方向相反。作为本专利技术的进一步改进，在形成所述第二无机层之前还包括对所述第一无机层进行表面活化处理，在形成所述第三无机层之前还包括对所述第二无机层进行表面活化处理，在形成所述第四无机层之前还包括对所述第三无机层进行表面活化处理。作为本专利技术的进一步改进，通过控制原子层沉积过程中的反应温度、气体浓度或者反应气体的量以实现控制无机层呈现的应力方向。本专利技术的有益效果是：本专利技术的微型OLED显示装置的制作方法通过在基板及OLED器件上沉积多层无机层以实现对OLED器件的封装，通过控制相邻无机层之间的应力方向相反，使得相邻无机层之间的应力相互抵消，以沉积出厚度小、应力低、水气透过率低的薄膜封装层，工艺过程简单；采用该方法制作的微型OLED显示装置的薄膜封装层的厚度减小，减少了出光串扰。附图说明图1为现有技术中OLED显示装置的结构示意图。图2为本专利技术微型OLED显示装置的结构示意图。图3为图2中无机薄膜封装层的结构示意图。图4为本专利技术微型OLED显示装置制作方法的流程示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述。在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本专利技术，在附图中仅仅示出了与本专利技术的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本专利技术关系不大的其他细节。另外，还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。请参阅图2至图3所示，一种微型OLED显示装置100，包括基板1、设置于所述基板1上的OLED器件2、设于所述OLED器件2上方的彩色滤光片3、设于所述彩色滤光片3上方的盖板5、封装所述OLED器件2的薄膜封装层4以及位于所述彩色滤光片3与所述薄膜封装层4之间的所述的光刻胶层6。所述薄膜封装层4为无机薄膜封装层。所述无机薄膜封装层4具有至少两层依次层叠的无机层，相邻的所述无机层之间呈现的应力方向相反。单层所述无机层的材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钛中的一种或者多种。所述无机层具有优异的水汽、氧气阻挡性能，可有效减缓所述OLED器件2的寿命和稳定性的衰减。在本实施方式中，所述无机薄膜封装层4具有四层无机层，依次为第一无机层41、第二无机层42、第三无机层43以及第四无机层44。通过等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)或者原子层沉积法(ALD)形成所述无机层。所述第一无机层41沉积于所述基板1上，所述第二无机层42沉积于所述第一无机层41上，所述第三无机层43沉积于所述第二无机层42上，所述第四无机层44沉积于所述第三无机层43上。所述第一无机层41、所述第三无机层43呈现拉应力(应力方向如图3中箭头所示方向)，所述第二无机层42、所述第四无机层44呈现压应力(应力方向如图3中箭头所示方向)。如此设置，省略了传统薄膜封装层中的较厚的有机膜层，相邻的无机层之间的应力方向相反，不同方向的应力相互抵消，使得沉积出的所述无机薄膜封装层4的应力较小，实现沉积出厚度薄、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微型OLED显示装置，包括基板、设置于所述基板上的OLED器件以及封装所述OLED器件的薄膜封装层，其特征在于：所述薄膜封装层为无机薄膜封装层，所述无机薄膜封装层具有至少两层依次层叠的无机层，相邻的所述无机层之间呈现的应力方向相反。

【技术特征摘要】
1.一种微型OLED显示装置，包括基板、设置于所述基板上的OLED器件以及封装所述OLED器件的薄膜封装层，其特征在于：所述薄膜封装层为无机薄膜封装层，所述无机薄膜封装层具有至少两层依次层叠的无机层，相邻的所述无机层之间呈现的应力方向相反。2.根据权利要求1所述的微型OLED显示装置，其特征在于：单层所述无机层的材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钛中的一种或者多种。3.根据权利要求2所述的微型OLED显示装置，其特征在于：通过等离子体增强化学气相沉积法或者原子层沉积法形成所述无机层。4.根据权利要求1所述的微型OLED显示装置，其特征在于：所述无机薄膜封装层具有四层无机层，依次为第一无机层、第二无机层、第三无机层以及第四无机层，所述第一无机层沉积于所述基板上，所述第二无机层沉积于所述第一无机层上，所述第三无机层沉积于所述第二无机层上，所述第四无机层沉积于所述第三无机层上，所述第一无机层、所述第三无机层呈现拉应力，所述第二无机层、所述第四无机层呈现压应力。5.根据权利要求1所述的微型OLED显示装置，其特征在于：所述无机薄膜封装层具有四层无机层，依次为第一无机层、第二无机层、第三无机层以及第四无机层，所述第一无机层沉积于所述基板上，所述第二无机层沉积于所述第一无机层上，所述第三无机层沉积于所述第二无机层上，所述第四无机层沉积于...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴疆，
申请(专利权)人：上海瀚莅电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31