高亮度ITO薄膜LED芯片及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种高亮度ITO薄膜LED芯片及其制造方法，包括GaAs衬底一侧依次设置第一外延层、MQW多量子阱有源层和第二外延层。第一外延层依次设置外延生长缓冲层、n‑AIGaInP限制层，第二外延层依次设置p‑AIGaInP限制层、p‑GaP第一窗口层和p‑GaP第二窗口层。p‑GaP第二窗口层上制作ITO薄膜层，ITO薄膜层上制作金属电极层，GaAs衬底另一侧设置n电极层。p‑GaP第一窗口层掺杂浓度高于p‑GaP第二窗口层掺杂浓度。本发明专利技术公开一种高亮度ITO薄膜LED芯片及其制造方法，利用不同掺杂浓度的p‑GaP第一窗口层和p‑GaP第二窗口层来实现提高电流注入效率，并达到增光的效果。

【技术实现步骤摘要】
高亮度ITO薄膜LED芯片及其制造方法
本专利技术属于半导体发光二极管
，具体涉及一种高亮度ITO薄膜LED芯片。
技术介绍
LED具有光效高、能耗低、寿命长、安全环保等优势，是一种具有广阔应用前景的照明方式，受到越来越多国家的重视。目前LED已广泛应用于高效固态照明领域中，如显示屏、汽车用灯、背光源、交通信号灯、景观照明等。如图1所示，常规具有ITO薄膜结构的AlGaInP发光二极管包含GaAs衬底100、缓冲层101、n-AIGaInP限制层102、MQW多量子阱有源层103、p-AIGaInP限制层104和p-GaP窗口层105、ITO薄膜层106，金属电极层107直接设置在ITO薄膜层106上，GaAs衬底100背面设置有背电极层108。由于常规ITO薄膜结构AlGaInP发光二极管的窗口层为ITO薄膜层106，同时ITO薄膜层106也起着欧姆接触层和电流扩展的重要作用，ITO薄膜层虽然有良好的横向电流扩展能力，但是电极下方从ITO层注入了一部分电流到有源区，导致一部分光被电极遮挡无法出射，属于无效的电流注入，降低了LED发光效率。也有在ITO薄膜下方制作电流阻挡层来避本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高亮度ITO薄膜LED芯片，其特征在于：包括在GaAs衬底（1）一侧依次从下往上设置第一外延层（11）、MQW多量子阱有源层（12）和第二外延层（13），所述第一外延层（11）依次从下往上设置外延生长缓冲层（111）、n‑AIGaInP限制层（112）；所述第二外延层（13）依次从下往上设置p‑AIGaInP限制层（131）、p‑GaP第一窗口层（132）和p‑GaP第二窗口层（133）；所述p‑GaP第二窗口层（133）上制作ITO薄膜层（14），所述ITO薄膜层（14）上制作金属电极层（15），所述GaAs衬底（1）另一侧设置n电极层（21）；所述p‑GaP第一窗口层（132）掺杂...

【技术特征摘要】
1.一种高亮度ITO薄膜LED芯片，其特征在于：包括在GaAs衬底（1）一侧依次从下往上设置第一外延层（11）、MQW多量子阱有源层（12）和第二外延层（13），所述第一外延层（11）依次从下往上设置外延生长缓冲层（111）、n-AIGaInP限制层（112）；所述第二外延层（13）依次从下往上设置p-AIGaInP限制层（131）、p-GaP第一窗口层（132）和p-GaP第二窗口层（133）；所述p-GaP第二窗口层（133）上制作ITO薄膜层（14），所述ITO薄膜层（14）上制作金属电极层（15），所述GaAs衬底（1）另一侧设置n电极层（21）；所述p-GaP第一窗口层（132）掺杂浓度高于所述p-GaP第二窗口层（133）掺杂浓度；所述p-GaP第一窗口层（132）掺杂浓度不低于1×1018cm-3，所述p-GaP第二窗口层（133）掺杂浓度不高于2×1017cm-3。2.如权利要求1所述的一种高亮度ITO薄膜LED芯片，其特征在于：所述p-GaP第二窗口层（133）做局部粗化处理。3.如权利要求1所述的一种高亮度ITO薄膜LED芯片，其特征在于：所述p-GaP第一窗口层（132）厚度为3000nm。4.如权利要求1所述的一种高亮度ITO薄膜LED芯片，其特征在于：所述p-GaP第二窗口层（133）厚度为1000nm。5.如权利要求1所述的一种高亮度ITO薄膜LED芯片，其特征在于：所述ITO薄膜层（14）厚度为2800±280nm。6.如权利要求1至5中任一项所述的一种高亮度ITO薄膜LED芯片，其特征在于：所述I...

【专利技术属性】
技术研发人员：白继锋，张银桥，潘彬，
申请(专利权)人：南昌凯迅光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江西,36