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本发明提供一种高亮度ITO薄膜LED芯片及其制造方法，包括GaAs衬底一侧依次设置第一外延层、MQW多量子阱有源层和第二外延层。第一外延层依次设置外延生长缓冲层、n‑AIGaInP限制层，第二外延层依次设置p‑AIGaInP限制层、p‑Ga...
该专利属于南昌凯迅光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南昌凯迅光电有限公司授权不得商用。

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