BN溅射模板、正装LED元器件的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种制造BN模板的方法，包括底层和生长在底层上的模板层，模板使用溅射系统在底层上生长，与底层一起作为功能层，可以用于制备各种光电子或者微电子功能材料。

【技术实现步骤摘要】
BN溅射模板、正装LED元器件的制造方法
本专利技术涉及用于制造各种包含异质结构的半导体光电子器件和微电子器件以及模板衬底用的BN(氮化硼)模板。特别地，本专利技术涉及与异质外延和半导体光电子器件、微电子器件相关的模板激射材料。
技术介绍
半导体光电子和微电子器件具有非常广泛的应用，尤其是宽禁带半导体比如SiC、GaN、AlN以及金刚石等，未来在功率器件、微波器件以及紫外器件方面有巨大的市场前景和潜在的升级换代能力。但是宽禁带材料的一个缺点就是实现掺杂改变导电性，从而成为有用半导体材料的技术难度很大。比如在AlGaN体系中，为了实现n型和p型掺杂，人们进行了几十年的研发，最终性能仍然还没有达到很好的状态，如高Al组分AlGaN的n型掺杂很难达到很高的激活率和载流子浓度，p型就更加难以实现，以至于人们需要使用相对较容易实现p型的GaN材料用于替代p型AlGaN。但是p型GaN受限于带隙，对短于365nm的发光有强烈吸收，因此极大限制了短波长LED和LD等的发展。最近有人提出使用BN作为p型AlGaN的替代材料，以期实现透明又导电的p型发光器件应用。但是他们使用的方法如MBE(分子束外延本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造BN模板的方法，其特征在于：所述方法包括，步骤001：制备好基底材料并保证清洁；所述基底层，用于支撑和生长溅射BN；所述基底层，是蓝宝石衬底、Si衬底、石英衬底、SiC衬底；或者用于光电子、微电子等的功能结构材料，如LED、LD、HEMT、FET等。步骤002：使用溅射系统在基底上生长一层BN薄膜，得到外延片；其中所述溅射系统，是磁控溅射或反应离子溅射，在溅射系统中溅射生长BN薄膜时，通过控制所述溅射系统的B、N的比例，实现富B生长，富N生长或者恰好化学配比生长；步骤003：取出外延片，将带有BN的基底材料用于进一步的加工；所述进一步的加工包括，进行表面氧化、选择性钝化、腐蚀等处理...

【技术特征摘要】
2017.09.29 CN 20171090998871.一种制造BN模板的方法，其特征在于：所述方法包括，步骤001：制备好基底材料并保证清洁；所述基底层，用于支撑和生长溅射BN；所述基底层，是蓝宝石衬底、Si衬底、石英衬底、SiC衬底；或者用于光电子、微电子等的功能结构材料，如LED、LD、HEMT、FET等。步骤002：使用溅射系统在基底上生长一层BN薄膜，得到外延片；其中所述溅射系统，是磁控溅射或反应离子溅射，在溅射系统中溅射生长BN薄膜时，通过控制所述溅射系统的B、N的比例，实现富B生长，富N生长或者恰好化学配比生长；步骤003：取出外延片，将带有BN的基底材料用于进...

【专利技术属性】
技术研发人员：段瑞飞，王晓东，陈皓，曾一平，
申请(专利权)人：北京中科优唯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11