声学设备及其晶圆级封装方法技术

本公开提供一种声学设备及其晶圆级封装方法，涉及半导体领域。该声学设备包括基底和声学器件，其中声学器件与基底的第一表面结合，以便在声学器件与基底的第一表面之间形成密闭腔室，基底的远离声学器件的第二表面设有声学设备的管脚焊盘，声学设备的管脚焊盘与声学器件的管脚焊盘连接。本公开通过晶圆与晶圆直接键合的方式进行声学器件的封装，可实现尺寸小，制作简单，价格低廉，且易于集成的封装设备。

【技术实现步骤摘要】
声学设备及其晶圆级封装方法
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种声学设备及其晶圆级封装方法。
技术介绍
随着无线移动通信系统所支持的模式及频段的不断增加，当前无线通信移动终端的射频前端架构也变得越来越复杂。图1为一个支持2G、3G、4G多模式以及各个模式中多个频段的无线通信移动终端的射频前端架构。108是移动终端的射频收发信机芯片，负责将基带芯片产生的射频信号发送到对应的功率放大器芯片以及对接收到的射频信号进行处理。107、105、106分别是2G功率放大器芯片、3G/4G单频功率放大器芯片、3G/4G多模多频功率放大器芯片，这些芯片都对从射频收发信机108所发送来的射频信号进行功率放大。104为一系列双工器芯片，每一个FDD模式的频段都需要一个对应的双工器芯片来进行发射和接收信号的分离。103是一个集成了低通滤波器的单刀多掷射频天线开关芯片，用于将多个射频功率放大器的输出信号以及多路从天线接收到的射频信号进行分路分离，以使得多个射频发射通路及多个射频接收通路可以共享同一个主天线101。单刀多掷射频天线开关芯片103中通常都集成两个低通滤波器，分别用于滤除2G高频段(1710-19本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种声学设备，包括基底和声学器件，其中：所述声学器件与所述基底的第一表面结合，以便在所述声学器件与所述基底的第一表面之间形成密闭腔室；所述基底的远离所述声学器件的第二表面设有声学设备的管脚焊盘，所述声学设备的管脚焊盘与所述声学器件的管脚焊盘连接。

【技术特征摘要】
1.一种声学设备，包括基底和声学器件，其中：所述声学器件与所述基底的第一表面结合，以便在所述声学器件与所述基底的第一表面之间形成密闭腔室；所述基底的远离所述声学器件的第二表面设有声学设备的管脚焊盘，所述声学设备的管脚焊盘与所述声学器件的管脚焊盘连接。2.根据权利要求1所述的声学设备，其中：所述声学设备的管脚焊盘通过金属走线与所述声学器件的管脚焊盘连接。3.根据权利要求2所述的声学设备，其中：所述金属走线的材料为金、银、铜、铁、铝、镍、钯或锡。4.根据权利要求2所述的声学设备，其中：所述金属走线沿着与所述声学器件的管脚焊盘邻近的基底侧面延伸。5.根据权利要求4所述的声学设备，其中：所述基底侧面与所述基底的第二表面的夹角为钝角。6.根据权利要求5所述的声学设备，其中：所述基底的第二表面与相邻两个基底侧面的夹角相同。7.根据权利要求1所述的声学设备，其中：所述声学设备的管脚焊盘为铝凸柱、铜凸柱或锡球。8.根据权利要求1所述的声学设备，其中：所述声学器件通过胶粘方式与所述基底的第一表面结合。9.根据权利要求1所述的声学设备，其中：所述声学器件的管脚焊盘位于所述声学器件的靠近所述基底的表面上。10.根据权利要求1所述的声学设备，其中：所述密闭腔室的高度大于预定门限。11.根据权利要求1所述的声学设备，其中：所述声学器件包括声表面波SAW滤波器、体声波BAW滤波器或薄膜体声波FBAR滤波器，或者包括声表面波SAW双工器、体声波BAW双工器或薄膜体声波FBAR双工器，或者包括采用SAW、BAW或FBAR技术制造的器件。12.根据权利要求1-11中任一项所述的声学设备，还包括基板，其中：所述基底设置在所述基板上。13.根据权利要求12所述的声学设备，还包括设置在所述基板上的与所述声学器件异质的电子器件，其中：电子器件的管脚焊盘与所述声学设备对应的管脚焊盘连接。14.根据权利要求13所述的声学设备，其中：电子器件的管脚焊盘通过重布线层RDL，与所述声学设备对应的管脚焊盘连...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈高鹏，刘海玲，陈威，
申请(专利权)人：宜确半导体苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32