一种高耐压光电耦合器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高耐压光电耦合器。它包括基体，基体上设有多支引脚，基体内封装有发光二极管和光敏三极管晶片，光敏三极管晶片的发射极、集电极分别与基体上的第三引脚、第四引脚连接，发射极包括方环状电极圈和圆环状电极圈，方环状电极圈和圆环状电极圈分别设于光敏三极管晶片的上表面四周和中心，本实用新型专利技术采用专门定制的高耐压光敏三极管晶片，本实用新型专利技术的光敏三极管晶片尺寸增大了，而且也增大了光敏三极管晶片与电极的接触面积，从而提高了本实用新型专利技术的耐压性和增大了传输比，即使在高电压的工作环境，本实用新型专利技术耦合器也能稳定、正常的工作，保证使用本实用新型专利技术光电耦合器的产品能在高电压的环境下稳定、正常的工作。

A high voltage Optocoupler

The utility model relates to a photoelectric coupler with high voltage resistance. It consists of a matrix with a plurality of pins on the substrate. The substrate is encapsulated with light-emitting diodes and photosensitive triode wafers. The emitter of the photosensitive triode chip and the collector are connected to the third and fourth pins on the substrate. The emitter includes a square ring electrode ring, a circular ring ring electrode ring, a square ring electrode ring and circular ring ring. The electrode ring is located on the upper surface of the photosensitive triode chip and the center. The utility model adopts a specially customized high pressure photosensitive triode chip. The size of the photosensitive triode chip of the utility model is increased, and the contact area of the photosensitive triode chip and the electrode is increased, thus the utility model is improved. The pressure resistance and the transmission ratio increase, even in the high voltage working environment, the utility model coupler can also work steadily and normally, ensuring that the products of the utility model optocoupler can work steadily and normally under the high voltage environment.

【技术实现步骤摘要】
一种高耐压光电耦合器
本技术涉及光电耦合器
，特别涉及一种高耐压光电耦合器。
技术介绍
随着家电行业的快速发展，家电变得越来越智能，由传统的模拟电路发展成带微处理器、传感器、网络通信技术的数字电路。在使用数字信号通讯时，常用光电耦合器进行隔离，然而如图1所示，普通光电耦合器的电极与晶片的接触面积小，传输比小、耐压性差，普通光电耦合器最大电压只有80V，由于PT端耐压最大只有80V，使用此光电耦合器的产品长时间使用在高温的场所时，容易损坏光电耦合器的PT端晶片，造成光电耦合器失效问题。因此现有的光电耦合器无法满足一些高电压的场合，因此，目前市场上急需一种不容易失效、耐压性更好的光电耦合器。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种不容易失效、耐压性更好的高耐压光电耦合器。本技术的目的是这样实现的：一种高耐压光电耦合器，包括基体，所述基体上设有第一引脚、第二引脚、第三引脚以及第四引脚，所述基体内封装有发光二极管和光敏三极管晶片，所述发光二极管的正极、负极分别与基体上的第一引脚、第二引脚连接，所述光敏三极管晶片的发射极、集电极分别与基体上的第三引脚、第四引脚连接，所述光敏三极管晶片呈长方形状，所述发射极包括方环状电极圈和圆环状电极圈，所述方环状电极圈和圆环状电极圈分别设于光敏三极管晶片的上表面四周和中心，方环状电极圈与圆环状电极圈相连，所述方环状电极圈与圆环状电极圈之间的区域为光敏三极管晶片的感光区，所述光敏三极管晶片的集电极设于其上表面上。当光敏三极管晶片的感光区感应到发光二极管发出来的光时，光敏三极管晶片会导通第三引脚和第四引脚，从而接通电路。本技术还可以作以下进一步改进。所述方环状电极圈与圆环状电极圈同中心设置。相比现有光电耦合器的发射极仅有一圈方环状的电极圈，而本技术的发射极包括方环状电极圈与圆环状电极圈，因此本技术的发射极与光敏三极管晶片的接触面积增大，传输比增大，开通速度快、发热量减小，稳定性提高，而且传输比增大能保证光敏三极管晶片（光电耦合器）在高压的环境下工作稳定。所述发射极通过金线与基体上的第三引脚连接，集电极通过金线与基体上的第四引脚连接。所述光敏三极管晶片的长为1100-1200um，宽为1100-1200um。相比现有光电耦合器的晶片来说，本技术的光敏三极管晶片的尺寸更大，因此本技术的耐压性更好。所述第一引脚、第二引脚、第三引脚、以及第四引脚每个单独地引出到所述基体的外面作为接线引脚。所述第一、第二引脚位于基体的一侧，第三引脚和第四引脚位于基体的另一侧。本技术的有益效果如下：（一）本技术采用专门定制的高耐压光敏三极管晶片，本技术的光敏三极管晶片尺寸相比现有的光敏三极管晶片更大，而且也增大了光敏三极管晶片与电极的接触面积，从而提高了本技术的耐压性和增大了传输比，即使在高电压的工作环境，本技术耦合器也能稳定、正常的工作、不容易失效，保证使用本技术光电耦合器的产品能在高电压的环境下稳定、正常的工作，从提高了产品的可靠性，减少了产品的故障率，降低了售后维修成本。（二）本技术的PT端的耐压能提升到350V，因此即使在高电压的工作环境，本技术耦合器也能稳定、正常的工作、不容易失效。附图说明图1是现有光电耦合器内部的三极管晶片的结构示意图。图2是本技术高耐压光电耦合器的结构示意图。图3是图2的主视图。图4是本技术高耐压光电耦合器的电路图。图5是本技术的光敏三极管晶片的结构示意图。具体实施方式下面结合附图及实施例对本技术作进一步描述。实施例一，如图2至图5所示，一种高耐压光电耦合器，包括基体1，所述基体1上设有第一引脚11、第二引脚12、第三引脚13以及第四引脚14，所述基体1内封装有发光二极管15和光敏三极管晶片16，所述发光二极管15的正极110、负极120分别与基体1上的第一引脚11、第二引脚12连接，所述光敏三极管晶片16的发射极130、集电极140分别与基体1上的第三引脚13、第四引脚14连接，所述光敏三极管晶片16呈长方形状，所述发射极130包括方环状电极圈131和圆环状电极圈132，所述方环状电极圈131和圆环状电极圈132分别设于光敏三极管晶片16的上表面四周和中心，方环状电极圈131与圆环状电极圈132相连，所述方环状电极圈131与圆环状电极圈132之间的区域为光敏三极管晶片16的感光区17，所述光敏三极管晶片16的集电极140设于其上表面上。本技术还可以作以下进一步改进。所述方环状电极圈131与圆环状电极圈132同中心设置。如图1所示，相比现有光电耦合器的光敏三极管晶片20的发射极21仅有一圈方环状的电极圈，而本技术的发射极包括方环状电极圈与圆环状电极圈，因此本技术的发射极与光敏三极管晶片的接触面积增大，传输比增大，开通速度快、发热量减小，稳定性提高，而且传输比增大能保证光敏三极管晶片（光电耦合器）在高压的环境下工作稳定。所述发射极130通过金线与基体1上的第三引脚13连接，集电极140通过金线与基体1上的第四引脚14连接。光敏三极管晶片16的长为1100-1200um，宽为1100-1200um。相比现有光电耦合器的晶片来说，本技术的光敏三极管晶片16的尺寸更大，因此耐压性更好。所述第一引脚11、第二引脚12、第三引脚13、以及第四引脚14每个单独地引出到所述基体1的外面作为接线引脚。所述第一、第二引脚位于基体1的一侧，第三引脚13和第四引脚14位于基体1的另一侧。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高耐压光电耦合器，包括基体，所述基体上设有第一引脚、第二引脚、第三引脚以及第四引脚，所述基体内封装有发光二极管和光敏三极管晶片，所述发光二极管的正极、负极分别与基体上的第一引脚、第二引脚连接，所述光敏三极管晶片的发射极、集电极分别与基体上的第三引脚、第四引脚连接，所述光敏三极管晶片呈长方形状，所述发射极包括方环状电极圈和圆环状电极圈，所述方环状电极圈和圆环状电极圈分别设于光敏三极管晶片的上表面四周和中心，方环状电极圈与圆环状电极圈相连，所述方环状电极圈与圆环状电极圈之间的区域为光敏三极管晶片的感光区，所述光敏三极管晶片的集电极设于其上表面上，所述方环状电极圈和圆环状电极圈同中心设置，所述发射极通过金线与基体上的第三引脚连接，集电极通过金线与基体上的第四引脚连接，所述光敏三极管晶片的长为1100‑1200um，宽为1100‑1200um，所述第一引脚、第二引脚、第三引脚、以及第四引脚每个单独地引出到所述基体的外面作为接线引脚，所述第一、第二引脚位于基体的一侧，第三引脚和第四引脚位于基体的另一侧。

【技术特征摘要】
1.一种高耐压光电耦合器，包括基体，所述基体上设有第一引脚、第二引脚、第三引脚以及第四引脚，所述基体内封装有发光二极管和光敏三极管晶片，所述发光二极管的正极、负极分别与基体上的第一引脚、第二引脚连接，所述光敏三极管晶片的发射极、集电极分别与基体上的第三引脚、第四引脚连接，所述光敏三极管晶片呈长方形状，所述发射极包括方环状电极圈和圆环状电极圈，所述方环状电极圈和圆环状电极圈分别设于光敏三极管晶片的上表面四周和中心，方环状电极圈与圆环状电极圈相连，所述方环...

【专利技术属性】
技术研发人员：关守东，
申请(专利权)人：深圳市君天恒讯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44