【技术实现步骤摘要】
本技术涉及光电耦合器，特别涉及超薄耐高温型高速光电耦合器。
技术介绍
1、光电耦合器是由发光元件和光接收元件组成，原理是发光元件将输入端的电信号转换为光，受光元件将光返回电信号传输到输出端电路。由于输入端电路与输出端电路通过光信号传输，无电气连接，因此拥有绝缘性，寿命长，不易受外界因素影响等特点；现在的光耦广泛应用与各种电路中，大多数只需要其隔离高低电压传输信号的功能，对其信号传输响应时间要求不高，但是部分需要高速传输数据，高速通信的应用电路中，对于光耦的响应时间较为严格，就需要用到高速光耦。一般传输光耦响应时间少于18微秒(μs)即可，但是高速光耦响应时间最大为2微秒(μs)，一般均可在纳秒(ns)级别，高速光耦可大大提升信号传输速度。
2、如图1、2所示，现市场有各款高速光耦大多数均为体积较大，胶体较厚(厚度为3.5mm)，耐温较低(最高工作温度为100℃)。高速光耦体积偏大不利于电路板的空间使用率，然后高速光耦应用电路基本需要长时间运行，使得器件内部持续产生热量，胶体厚度较厚不利于工作时热量的散发，保持性能参数的最高温度高为70度。而当器件在温度过保持性能参数的最高温度的环境下长期运行，会对内部晶片造成损伤，从而影响器件性能稳定性、信号传输速度，减少其使用寿命。
技术实现思路
1、本技术的一个目的在于，通过实验摸索以合理减小胶体的尺寸、提高对晶片的散热效果，进而提高保持性能参数的最高温度。
2、本技术采取的手段为，超薄耐高温型高速光电耦合器，其包括极脚
3、进一步地技术方案，胶体宽为4.4±0.2mm；胶体长4.1±0.2mm；胶体厚最大值为2.0mm。
4、进一步地技术方案，晶片位于胶体的中心。
5、进一步地技术方案，俯视时极脚的中心线分别与阳极、阴极、gnd极、vout极以及vcc极的中线对齐。
6、进一步地技术方案，同侧相邻两个极脚的最小间距为1.27mm。1.27mm为实验摸索出较合适的存，在相应减少超薄耐高温型高速光电耦合器整体尺寸的同时，能够确保可靠性，防止极脚之间被击穿或减小极脚之间被击穿的概率。
7、根据实验结果，本技术的超薄耐高温型高速光电耦合器，保持性能参数的最高温度相比现有技术，由七十摄氏度提高到一百二十五摄氏度，提高了五十五摄氏度。
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1.超薄耐高温型高速光电耦合器，其包括极脚(1)、晶片(3)以及包围晶片(3)的胶体(2)，胶体(2)为环氧树脂制成；晶片(3)包括阳极(31)、阴极(33)、GND极(34)、Vout极(35)以及Vcc极(36)；极脚(1)分别与阳极(31)、阴极(33)、GND极(34)、Vout极(35)、Vcc极(36)连接且从胶体(2)引出；
2.根据权利要求1所述的超薄耐高温型高速光电耦合器，其特征是，胶体宽(21)为4.4±0.2mm；胶体长(22)4.1±0.2mm；胶体厚(23)最大值为2.0mm。
3.根据权利要求2所述的超薄耐高温型高速光电耦合器，其特征是，晶片(3)位于胶体(2)的中心。
4.根据权利要求3所述的超薄耐高温型高速光电耦合器，其特征是，俯视时极脚(1)的中心线分别与阳极(31)、阴极(33)、GND极(34)、Vout极(35)以及Vcc极(36)的中线对齐。
5.根据权利要求4所述的超薄耐高温型高速光电耦合器，其特征是，同侧相邻两个极脚(1)的最小间距为1.27mm。
【技术特征摘要】
1.超薄耐高温型高速光电耦合器，其包括极脚(1)、晶片(3)以及包围晶片(3)的胶体(2)，胶体(2)为环氧树脂制成；晶片(3)包括阳极(31)、阴极(33)、gnd极(34)、vout极(35)以及vcc极(36)；极脚(1)分别与阳极(31)、阴极(33)、gnd极(34)、vout极(35)、vcc极(36)连接且从胶体(2)引出；
2.根据权利要求1所述的超薄耐高温型高速光电耦合器，其特征是，胶体宽(21)为4.4±0.2mm；胶体长(22)4.1±0....
【专利技术属性】
技术研发人员：吴炎坤，
申请(专利权)人：深圳市君天恒讯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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