A method for calculating the charge transfer of two gallium by beta three oxidation based on hybrid functionals is described. The invention relates to a method for calculating charge transfer of two gallium by beta three oxidation. The aim of the present invention is to solve the problem of calculating the accuracy of supercell charge transfer with defects based on the hybrid functional method. The lattice parameters and band width of the beta Ga2O3 are obtained. The lattice parameters and band gap width of the beta Ga2O3 energy are obtained. The simulation results are consistent with the experimental results according to the lattice parameters and the band gap width; the distribution of the electrons in the beta Ga2O3 containing the defects is calculated in the space; A and B are read through the VESTA software, and The distribution of the two electrons in space is poor, and differential charges are obtained. The invention is used for calculating the charge transfer of beta Ga2O3.
【技术实现步骤摘要】
基于杂化泛函计算β-三氧化二镓电荷转移的方法
本专利技术涉及计算β-三氧化二镓电荷转移的方法。
技术介绍
由于β-Ga2O3在4.2-5.1eV的宽带隙、优良的化学稳定性和热稳定性,因而在许多方面吸引了广泛关注,如光催化剂,紫外探测器、气体传感器和发光二极管等。与其它宽禁带半导体材料相比(SiC和GaN),β-Ga2O3的制造成本低,操作温度高、击穿电压较高。然而,现有的制造工艺,如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、氢化物气相外延(HVPE)、分子束外延(MBE)等,都容易引入材料缺陷,导致变化和光激发电子跃迁。这种电子的激发过程可以从仿真计算角度上得到解释。密度泛函(DFT)由于忽略了电子体系的强相互作用,因而不能很好地计算电子在空间中的分布,也就不能准确得到电子在空间中的转移。因此,采用一种合适的方法去计算空间中的电子转移尤为必要。Hartree-Fock通过加入交换能去弥补DFT方法的缺陷,可以精确的计算电子在材料体系中的分布。到目前为止,在β-Ga2O3的仿真计算研究过程中,人们通常采用差分电荷的方法去研究掺杂的电荷转移,但是还没有提出一种针对缺陷的电荷转移计算方法。因此有必要提出一种针对缺陷的电荷转移计算方法。综上,导致现有基于密度泛函的方法计算含有缺陷的超胞电荷转移的准确率低。
技术实现思路
本专利技术目的是为了解决现有基于密度泛函的方法计算含有缺陷的超胞电荷转移的准确率低的问题,而提出基于杂化泛函计算β-三氧化二镓电荷转移的方法。基于杂化泛函计算β-三氧化二镓电荷转移的方法具体过程为:步骤一:采用FINDIT软件查找β-Ga2O3的晶格参数,得 ...
【技术保护点】
1.基于杂化泛函计算β‑三氧化二镓电荷转移的方法,其特征在于:所述方法具体过程为:步骤一:采用FINDIT软件查找β‑Ga2O3的晶格参数,得到β‑Ga2O3的晶格参数实验结果为
【技术特征摘要】
1.基于杂化泛函计算β-三氧化二镓电荷转移的方法,其特征在于:所述方法具体过程为:步骤一:采用FINDIT软件查找β-Ga2O3的晶格参数,得到β-Ga2O3的晶格参数实验结果为α=90°,β=103.7°,γ=90°;a为晶格的单胞边长参数,b为晶格的单胞边长参数,c为晶格的单胞边长参数,α、β、γ为晶格的单胞三个角度参数;β-Ga2O3的晶格的禁带宽度为4.5-5.0eV;步骤二:采用VASP软件对β-Ga2O3的晶格参数进行优化,得到β-Ga2O3能量最低点的晶格参数模拟结果为α=90°,β=103.67°,γ=90°;通过杂化泛函方法,得到β-Ga2O3能量最低点的晶格的能带图,禁带宽度为4.86eV;得到模拟结果和实验结果一致;得到1×1×1的β-Ga2O3单胞的结构,结构包括晶格参数和原子位置;步骤三:根据步骤二的得到的β-Ga2O3能量最低点的晶格参数,将晶胞扩大到1×3×3的超胞,1×3×3的超胞包含240个原子;通过删除超胞不同位置的氧原子来引入氧缺陷,得到带有缺陷的超胞;优化超胞原子相应的位置,得到能量最低点的晶格;A为根据得到的能...
【专利技术属性】
技术研发人员:李兴冀,杨剑群,刘超铭,魏轶聃,吕钢,董尚利,
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学,
类型:发明
国别省市:黑龙江,23
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