Some forms involve an electronic assembly, including a first substrate, and the first substrate has a copper pad mounted on the first substrate. The electronic assembly further comprises a second substrate, and the second substrate comprises a copper redistribution layer mounted on the second substrate. The electronic assembly further contains bismuth rich solder, which contains 10 40 w.t.% tin. Bismuth rich solder is electrically bonded to copper pad and copper redistribution layer. In some forms, the copper redistribution layer is another copper liner. The first substrate may include a memory core and the second substrate may include a logic core. In other forms, the first and second substrates can be part of a variety of electronic components. The type of electronic components associated with the first and second substrates will depend in part on the applications in which electronic assemblies (together with other factors) are utilized.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用富含铋的焊料的电子组合件
技术介绍
焊点典型地包含一个衬底上的镍凸起和另一衬底上的铜衬垫的顶部上的电镀的阻挡层。电镀的阻挡层通常用于保护铜衬垫。在跨越铜衬垫的阻挡层中典型地缺乏均匀性。这种均匀性的缺乏消极地影响阻挡层的有效性。这些阻挡层也通常要求不需要的额外的处理步骤和增加的成本。此外,阻挡层在创建适当的焊点中可不是特别有效的。在焊点的形成期间,铜衬垫经常被完全消耗。如果在焊点的形成期间消耗太多铜衬垫,则焊点可形成不可靠的电连接。附图说明图1是在电子组件装配到一起之前的电子组合件中的电子组件的示意性侧视图。图2示出在电子组件装配到一起以形成电子组合件之后的图1的电子组合件。图3是在电子组件装配到一起之前的示例电子组合件中的电子组件的示意性侧视图。图4是在电子组件装配到一起之前的另一示例电子组合件中的电子组件的示意性侧视图。图5示出在电子组件装配到一起以形成电子组合件之后的图3或4的示例电子组合件。图6是图示制作电子组合件的示例方法的流程图。图7是电子装置的框图,所述电子装置包含本文描述的电子组合件和/或方法。具体实施方式以下描述和附图充分地图示具体的实施例以使本领域技术人员能够实践它们。其它实施例可包含结构、逻辑、电、工艺以及其它改变。一些实施例的部分和特征可包含在其它实施例的那些部分和特征中或替代它们。权利要求中阐述的实施例包含那些权利要求的所有可用的等同物。如在本应用中使用的定向术语(诸如“水平”)关于与晶片或衬底的常规平面或表面平行的平面来定义,而不管晶片或衬底的定向。术语“垂直”指的是与如上面定义的水平正交的方向。诸如“在……上”、“侧”(如在“侧壁 ...
【技术保护点】
1.一种电子组合件,包括:第一衬底,其中铜衬垫安装在所述第一衬底;第二衬底,包含安装在所述第二衬底上的铜重分布层;以及富含铋的焊料,包含10‑40 w.t. %的锡,所述富含铋的焊料与所述铜衬垫和所述铜重分布层电接合。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子组合件,包括:第一衬底,其中铜衬垫安装在所述第一衬底;第二衬底,包含安装在所述第二衬底上的铜重分布层;以及富含铋的焊料,包含10-40w.t.%的锡,所述富含铋的焊料与所述铜衬垫和所述铜重分布层电接合。2.如权利要求1所述的电子组合件,其中所述铜重分布层是另一铜衬垫。3.如权利要求1所述的电子组合件,其中所述第一衬底包含存储器管芯。4.如权利要求1所述的电子组合件,其中所述第二衬底包含逻辑管芯。5.如权利要求1所述的电子组合件,其中所述富含铋的焊料包含接合所述铜重分布层的共晶的锡-铋焊料。6.如权利要求5所述的电子组合件,其中所述共晶的锡-铋焊料被电镀到所述富含铋的焊料。7.如权利要求5所述的电子组合件,其中在将所述第一衬底附接到所述第二衬底之前,所述共晶的锡-铋焊料为1-3微米厚。8.如权利要求5所述的电子组合件,其中在将所述第一衬底附接到所述第二衬底之前,所述富含铋的焊料具有10-15微米的z高度。9.如权利要求1所述的电子组合件,进一步包括所述铜重分布层上的钝化层。10.如权利要求1所述的电子组合件,其中所述钝化层包含开口使得所述铜重分布层通过所述开口暴露。11.如权利要求1所述的电子组合件,其中所述富含铋的焊料包含10-40w.t.%的锡,以及所述富含铋的焊料的剩余部分为铋。12.如权利要求1所述的电子组合件,其中所述富含铋的焊料包含10-40w.t.%的锡,以及所述富含铋的焊料的大...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘丕林,PK穆图尔斯里纳,D戈亚尔,
申请(专利权)人:英特尔公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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