晶圆基座及离子注入设备制造技术

一种晶圆基座及离子注入设备，所述晶圆基座包括：晶圆载台，所述晶圆载台具有多个安装孔；多个检测针，分别设置于各个安装孔内且可在垂直于所述晶圆载台表面的方向上下移动，在无晶圆状态下，所述检测针的第一端高于所述晶圆载台的表面，在有晶圆状态下，所述检测针被晶圆压迫下移；位移传感器，与所述多个检测针耦合，适于在有晶圆状态下检测所述多个检测针的下移距离，当至少一个检测针的下移距离小于预设阈值时，确定所述晶圆位置发生异常。本发明专利技术方案可以提高晶圆基座所在的半导体设备的精准性以及产品的质量。

Wafer base and ion implantation equipment

A wafer base and ion implantation device, the wafer base includes a wafer carrying platform, which has a plurality of mounting holes, and a plurality of detection needles are set in each mounting hole and can be moved up and down in the direction perpendicular to the wafer surface surface. In the amorphous state, the first end of the detection needle is high. On the surface of the wafer carrier, the detection needle is oppressed down by the wafer in a crystal state; the displacement sensor is coupled with the plurality of detection needles, and is suitable for detecting the shift distance of the plurality of detection needles in a crystal state, and when the shift distance of at least one detection needle is less than the predetermined threshold, the crystal is determined. There is an anomaly in the circle position. The invention can improve the accuracy and quality of semiconductor devices in the wafer base.

【技术实现步骤摘要】
晶圆基座及离子注入设备
本专利技术涉及半导体设备领域，尤其是涉及一种晶圆基座及离子注入设备。
技术介绍
在现有的多种半导体设备中，均需要通过晶圆基座对待处理晶圆进行固定，进而对所述晶圆进行工艺处理。例如在离子注入(Implant，IMP)设备或者物理气相淀积(PhysicalVaporDeposition，PVD)设备中。具体地，在现有的IMP的注入工艺中，离子束被射到晶圆的表面以后，受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下来，并最终停留在晶圆中，以完成离子注入。在现有的PVD的溅射工艺中，通常在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使高能粒子撞击具有高纯度的靶材固体平板，按照物理过程撞击出原子，并使被撞击出的原子淀积在晶圆上。然而，在晶圆基座和晶圆之间存在有颗粒物，使晶圆的一端翘起导致该晶圆发生倾斜时，IMP设备或者PVD设备则难以侦测到，导致影响IMP的注入角度以及PVD的溅射角度，特别是对IMP0°注入的影响特别明显，严重时导致良率异常甚至晶圆报废。亟需一种晶圆基座的晶圆位置异常的检测治具，对晶圆的一端翘起导致该晶圆发生倾斜的情况进行有效检测。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种晶圆基座及离子注入设备，可以提高晶圆基座所在的半导体设备的精准性以及产品的质量。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种晶圆基座，包括：晶圆载台，所述晶圆载台具有多个安装孔；多个检测针，分别设置于各个安装孔内且可在垂直于所述晶圆载台表面的方向上下移动，在无晶圆状态下，所述检测针的第一端高于所述晶圆载台的表面，在有晶圆状态下，所述检测针被晶圆压迫下移；位移传感器，与所述多个检测针耦合，适于在有晶圆状态下检测所述多个检测针的下移距离，当至少一个检测针的下移距离小于预设阈值时，确定所述晶圆位置发生异常。可选的，所述位移传感器包括：多个检测组件，每一检测组件包括第一导电件与第二导电件，其中，在每一检测组件中，所述第一导电件耦接于固定于对应的检测针的第二端，所述第二导电件与第一导电件相距所述预设阈值，在有晶圆状态下，所述第一导电件随所述检测针向所述第二导电件移动；输入端以及输出端，所述输入端、多个检测组件以及所述输出端形成串联回路，所述多个检测组件中，第一个检测组件的第一导电件与所述输入端电连接，后一检测组件的第一导电件与前一检测组件的第二导电件电连接，最后一个检测组件的第二导电件与所述输出端电连接；检测器件，适于在有晶圆状态下，检测所述串联回路是否导通，当所述串联回路为断开时，确定所述晶圆位置发生异常。可选的，所述预设阈值为所述晶圆载台的表面无颗粒物时，所述检测针从无晶圆状态至有晶圆状态的移动距离。可选的，所述输入端和输出端之间施加有检测电压，所述检测器件包括电压检测器件，所述电压检测器件适于检测所述串联回路中每相邻两个检测组件之间的连接点的电压；当所述电压检测器件的任一检测结果为零时，所述电压检测器件确定所述晶圆位置发生异常。可选的，所述输入端和输出端之间施加有检测电压，所述检测器件包括电流检测器件；当所述电流检测器件的检测结果为所述串联回路中的电流为零时，所述电流检测器件确定所述晶圆位置发生异常。可选的，所述检测组件还包括：弹性部件，所述弹性部件设置于第一导电件与第二导电件之间。可选的，所述第一导电件具有朝向第二导电件伸出的导电凸出部，和/或第二导电件具有朝向第一导电件伸出的导电凸出部。可选的，所述多个安装孔分布于所述晶圆载台的不同位置。可选的，所述晶圆载台为静电吸盘式载台。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种离子注入设备，包括上述的晶圆基座。与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果：在本专利技术实施例中，所述晶圆基座包括：晶圆载台，所述晶圆载台具有多个安装孔；多个检测针，分别设置于各个安装孔内且可在垂直于所述晶圆载台表面的方向上下移动，在无晶圆状态下，所述检测针的第一端高于所述晶圆载台的表面，在有晶圆状态下，所述检测针被晶圆压迫下移；位移传感器，与所述多个检测针耦合，适于在有晶圆状态下检测所述多个检测针的下移距离，当至少一个检测针的下移距离小于预设阈值时，确定所述晶圆位置发生异常。采用上述方案，通过设置在有晶圆状态下会被晶圆压迫下移的检测针，并采用位移传感器对检测针的下移距离进行检测，当至少一个检测针的下移距离小于预设阈值时，可以确定该检测针对应的位置的晶圆发生翘起，从而有效地对晶圆倾斜的情况进行了检测，有助于提高晶圆基座所在的半导体设备的精准性以及产品的质量。进一步，通过设置位移传感器包括检测组件、输入端以及输出端形成的串联回路，并且在有晶圆状态下，所述检测组件的第一导电件随检测针向第二导电件移动，可以在晶圆未发生倾斜时，每个检测组件的第一导电件与第二导电件接触，实现串联回路的导通；在晶圆发生倾斜时，晶圆翘起一侧的检测组件的第一导电件不与第二导电件接触，实现串联回路的断开，进而根据检测所述串联回路是否导通，确定所述晶圆位置是否发生异常。采用本专利技术实施例的方案，可以进一步对晶圆倾斜的情况进行有效检测，从而提高晶圆基座所在的半导体设备的精准性以及产品的质量。进一步，所述检测组件的第一导电件与第二导电件之间具有弹性部件。在本专利技术实施例中，通过采用具有弹性部件的检测组件，可以从有晶圆状态至无晶圆状态时，有效地实现第一导电件和第二导电件的快速回位，进一步提高晶圆基座所在的半导体设备的精准性以及产品的质量。进一步，所述第一导电件具有朝向第二导电件伸出的导电凸出部，和/或第二导电件具有朝向第一导电件伸出的导电凸出部。在本专利技术实施例中，通过导电凸出部，可以有效地实现第一导电件与第二导电件的连接，进一步提高晶圆基座所在的半导体设备的精准性以及产品的质量。附图说明图1是现有技术中一种晶圆基座的结构示意图；图2是本专利技术实施例中一种晶圆基座的结构示意图；图3是本专利技术实施例中另一种晶圆基座在无晶圆状态下的结构示意图；图4是本专利技术实施例中另一种晶圆基座在有晶圆状态下且表面无颗粒物时的结构示意图；图5是本专利技术实施例中另一种晶圆基座在有晶圆状态下且表面有颗粒物时的结构示意图；图6是本专利技术实施例中一种检测组件的结构示意图。具体实施方式在现有的多种半导体设备中，均需要通过晶圆基座对待处理晶圆进行固定，进而对所述晶圆进行工艺处理。参照图1，图1是现有技术中一种晶圆基座的结构示意图，所述晶圆基座10包括用于承载晶圆110的晶圆载台100。在部分半导体设备中，所述晶圆载台100为静电吸盘式载台，也即晶圆基座10还可以包括静电吸盘101，从而根据静电吸附原理，利用静电荷产生的吸力将晶圆110吸附在晶圆载台100的表面。其中，所述静电吸盘101可以包括用于供电的电源以及用于导电的电极。本专利技术的专利技术人发现，在现有技术中，当晶圆载台100和晶圆110之间存在有颗粒物112，使晶圆110的一端翘起导致该晶圆110发生倾斜时，现有的半导体设备则缺乏侦测到该晶圆位置发生异常的手段，进而对制造工艺产生影响，严重时导致良率异常甚至晶圆报废。在本专利技术实施例中，所述晶圆基座包括：晶圆载台，所述晶圆载台具有多个安装孔；多个检测针，分别设置于各个安装孔内且可在垂直于所述晶圆载台表面的方向上下移动，在无晶圆状态下，所述检测针的第一端高于所述晶圆载本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆基座，其特征在于，包括：晶圆载台，所述晶圆载台具有多个安装孔；多个检测针，分别设置于各个安装孔内且可在垂直于所述晶圆载台表面的方向上下移动，在无晶圆状态下，所述检测针的第一端高于所述晶圆载台的表面，在有晶圆状态下，所述检测针被晶圆压迫下移；位移传感器，与所述多个检测针耦合，适于在有晶圆状态下检测所述多个检测针的下移距离，当至少一个检测针的下移距离小于预设阈值时，确定所述晶圆位置发生异常。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆基座，其特征在于，包括：晶圆载台，所述晶圆载台具有多个安装孔；多个检测针，分别设置于各个安装孔内且可在垂直于所述晶圆载台表面的方向上下移动，在无晶圆状态下，所述检测针的第一端高于所述晶圆载台的表面，在有晶圆状态下，所述检测针被晶圆压迫下移；位移传感器，与所述多个检测针耦合，适于在有晶圆状态下检测所述多个检测针的下移距离，当至少一个检测针的下移距离小于预设阈值时，确定所述晶圆位置发生异常。2.根据权利要求1所述的晶圆基座，其特征在于，所述位移传感器包括：多个检测组件，每一检测组件包括第一导电件与第二导电件，其中，在每一检测组件中，所述第一导电件耦接于固定于对应的检测针的第二端，所述第二导电件与第一导电件相距所述预设阈值，在有晶圆状态下，所述第一导电件随所述检测针向所述第二导电件移动；输入端以及输出端，所述输入端、多个检测组件以及所述输出端形成串联回路，所述多个检测组件中，第一个检测组件的第一导电件与所述输入端电连接，后一检测组件的第一导电件与前一检测组件的第二导电件电连接，最后一个检测组件的第二导电件与所述输出端电连接；检测器件，适于在有晶圆状态下，检测所述串联回路是否导通，当所述串联回路为断开时，确定所述晶圆位置发生异常。3.根据权利要求1或2所述的晶圆基座，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：石志平，洪纪伦，倪明明，吴宗祐，林宗贤，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32