用于形成交叉点存储器的置换材料工艺制造技术

本发明专利技术涉及用于形成交叉点存储器的置换材料工艺。本发明专利技术揭示形成包括相变材料及/或硫属化物材料的存储器单元的方法。在一个方面中，所述方法包含提供在第一方向上延伸的下部线堆叠，所述下部线堆叠包括在下部导电线上方的牺牲线。所述方法进一步包含：通过选择性地移除所述牺牲线的牺牲材料并用硫属化物材料置换所述牺牲线而形成在所述第一方向上延伸的硫属化物线。

【技术实现步骤摘要】
用于形成交叉点存储器的置换材料工艺分案申请的相关信息本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2015年03月25日、申请号为PCT/US2015/022576的国际申请进入中国后专利技术名称为“用于形成交叉点存储器的置换材料工艺”的第201580016818.5号专利技术专利申请案。
本文中所揭示的标的物一般来说涉及集成电路中的装置，且明确地说，涉及形成装置阵列(例如，交叉点阵列内的存储器单元)的方法。
技术介绍
可在大范围的电子装置中发现并入有硫属化物材料的装置(例如，双向阈值开关及相变存储元件)。这些装置可用于计算机、数码相机、蜂窝式电话、个人数字助理等中。系统设计者在确定是否及如何并入硫属化物材料以用于特定应用时可考虑的因素可包含(举例来说)物理大小、存储密度、可扩缩性、操作电压及电流、读取/写入速度、读取/写入吞吐量、传输速率、功率消耗及/或用硫属化物材料形成装置的方法。附图说明在说明书的结束部分中特别指出所主张的标的物。然而，通过参考以下详细说明并结合附图阅读可更好地理解组织及/或操作方法以及其一些目标、特征及/或优点，在附图中：图1A是根据一些实施例的存储器单元的示意性三维本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，其包括：形成朝向第一方向第一线堆叠，所述第一线堆叠包括第一导线上方的第一硫属化物线；以及形成朝向与所述第一方向不同的第二方向的第二线叠层，所述第二线叠层位于所述第一线叠层之上方并且包括牺牲线。

【技术特征摘要】
2014.03.27 US 14/228,1041.一种方法，其包括：形成朝向第一方向第一线堆叠，所述第一线堆叠包括第一导线上方的第一硫属化物线；以及形成朝向与所述第一方向不同的第二方向的第二线叠层，所述第二线叠层位于所述第一线叠层之上方并且包括牺牲线。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：形成朝向所述第二方向的导线，其中形成所述导线包括：移除所述牺牲线的牺牲材料；以及替换经移除的牺牲材料。3.根据权利要求1所述的方法，其中第二硫属化物线位于所述第二线堆叠的所述牺牲线下方。4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第二线堆叠包括：形成包括牺牲材料的材料堆叠；以及减性地图案化所述材料堆叠。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述材料堆叠包括：位于所述牺牲材料下方的硫属化物材料。6.根据权利要求4所述的方法，其中所述材料堆叠包括：位于所述牺牲材料下方的电极材料。7.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括：在沿所述第二方向延伸的多条分开的线之间沉积电介质材料，其中所述沉积至少部分地基于所述材料堆叠的所述图案化。8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括：移除所述牺牲线；沉积导电材料；以及形成具有导电线和电介质区域的表面。9.根据权利要求4所述的方法，其中减性地图案化所述材料堆叠包括：刻蚀所述第一线堆叠的中间电极线以形成在所述第一方向和所述第二方向上电隔离的中间电极。10.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一线堆叠或所述第二线堆叠包括：使用间距倍增过程来减性地图案化。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一硫属化物线是存储器元件或作为存储器单元的选择器元件。12.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：宗沅·李，詹保罗·斯帕迪尼，斯蒂芬·W·鲁塞尔，德辰·郭，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US