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本发明涉及用于形成交叉点存储器的置换材料工艺。本发明揭示形成包括相变材料及/或硫属化物材料的存储器单元的方法。在一个方面中，所述方法包含提供在第一方向上延伸的下部线堆叠，所述下部线堆叠包括在下部导电线上方的牺牲线。所述方法进一步包含：通过选...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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