一种品字型位移测量光栅的制作方法技术

本发明专利技术提供的品字型位移测量光栅的制作方法，通过本发明专利技术提出的方法制作符合位移测量要求的长行程、品字型位移测量光栅，方法操作简单，易于实现，而且所制作的位移测量光栅体积小，重量轻，方便安装。解决了高刻线密度光栅难以做长的问题，扩大了衍射光栅位移测量系统的量程。

【技术实现步骤摘要】
一种品字型位移测量光栅的制作方法
本专利技术涉及衍射光栅制造
，特别涉及一种品字型位移测量光栅的制作方法。
技术介绍
精密位移测量技术在半导体加工、精密机械制造、大尺寸衍射光栅制造以及生物医学等领域占有非常重要的角色。很多领域对精密位移测量技术提出的要求是测量量程大(可达米级尺寸)；测量分辨率和精度高(可达纳米和亚纳米精度)。但是，测量技术要同时兼顾大量程和高分辨率、高精度是非常困难的。目前实现大量程高精度位移测量的方法主要为激光干涉仪和衍射光栅位移测量系统，激光干涉仪环境敏感性高，测量重复性较差，而且价格昂贵，要保证其高精度测量所需成本大。衍射光栅位移测量系统以光栅栅距为测量基准，采用对称级次衍射光干涉实现位移测量，光路对称且光程短，该位移测量系统受环境制约小，测量重复性好，配合高倍的电子细分能够实现高分辨率和高精度测量，但是其量程受制于测量光栅的尺寸，高刻线密度长光栅的制作依旧是个难题。目前制作高刻线密度光栅的方法主要为全息离子束刻蚀法、机械刻划法。二者在制作大光栅方面还是有很大困难的，比如全息离子束刻蚀法制作大光栅就需要大口径的透镜；机械刻划制作大光栅刻划周期长，而且环境很难控制，很容易出现刻划误差，甚至造成刻划失败。因此，有必要寻找一种新的方法来提高衍射光栅位移测量系统的量程。中国专利技术专利“长行程、高精度测量的光栅位移测量方法”(申请号：201710734790.X)中，提出了针对“品”型位移测量光栅的位移测量方法，该方法实现了高精度、长行程位移测量。因此，针对该“品”型光栅，需要寻求一种满足系统位移测量要求的制作方法，为长行程、高精度测量的光栅位移测量方法奠定基础。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种品字型位移测量光栅的制作方法，方法操作简单，易于实现，而且所制作的位移测量光栅体积小，重量轻，方便安装。本专利技术提供一种品字型位移测量光栅的制作方法，所述方法包括：获取至少一组品字型位移测量光栅副，所述品字型位移测量光栅副包括两块主测量光栅及一块副测量光栅，所述两块主测量光栅沿光栅矢量方向首尾拼接，所述副测量光栅固定在所述两块主测量光栅的接缝处，所述主测量光栅及所述副测量光栅共面；在所述品字型位移测量光栅副的表面依次度油膜及铝膜并固定于拼接机构；调整所述主测量光栅及所述副测量光栅在所述拼接机构上的位置使得拼接间隙符合预设范围进行拼接固定，所述拼接间隙为所述主测量光栅及所述副测量光栅之间距离；将拼接后的所述主测量光栅及所述副测量光栅涂布树脂胶；将位移测量光栅基底放置在树脂胶上并对正所述主测量光栅及所述副测量光栅；待所述树脂胶固化后将所述位移测量光栅基底与所述主测量光栅及所述副测量光栅进行分离后得到品字型位移测量光栅。可选地，所述将位移测量光栅基底放置在树脂胶上并对正位移测量光栅基底之前，还包括：对所述位移测量光栅基底进行清洁。可选地，所述树脂胶为常温固化树脂胶。可选地，所述主测量光栅的长度大于所述副测量光栅的长度。可选地，所述方法还包括：所述副测量光栅与所述接缝处垂直且所述接缝处与所述副测量光栅的中间区域对应。可选地，所述主测量光栅与副测量光栅宽度相同。可选地，所述品字型位移测量光栅副为两组，在相邻的两块主测量光栅的接缝处拼接副测量光栅。可选地，所述主测量光栅的光栅刻线与所述副测量光栅的光栅刻线对正。从以上技术方案可以看出，本专利技术实施例具有以下优点：通过本专利技术提出的方法制作符合位移测量要求的长行程、品字型位移测量光栅，方法操作简单，易于实现，而且所制作的位移测量光栅体积小，重量轻，方便安装。解决了高刻线密度光栅难以做长的问题，扩大了衍射光栅位移测量系统的量程。附图说明图1是本专利技术实施例中的品字型位移测量光栅的制作方法的流程图；图2是本专利技术实施例中的品字型位移测量光栅的制作方法的结构示意图；图3是本专利技术实施例中的品字型位移测量光栅的制作方法的拼接示意图；图4是本专利技术实施例中的品字型位移测量光栅的制作方法的拼接误差示意图；图5是本专利技术实施例中的品字型位移测量光栅的制作方法的复制工艺示意图；图6是本专利技术实施例中的品字型位移测量光栅的制作方法的制作更长行程位移测量光栅示意图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的实施例能够以除了在这里图示或描述的内容以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。结合图1所示，本专利技术提供一种品字型位移测量光栅的制作方法，所述方法包括：S101、获取至少一组品字型位移测量光栅副，所述品字型位移测量光栅副包括两块主测量光栅及一块副测量光栅，所述两块主测量光栅沿光栅矢量方向首尾拼接，所述副测量光栅固定在所述两块主测量光栅的接缝处，所述主测量光栅及所述副测量光栅共面；S102、在所述品字型位移测量光栅副的表面依次度油膜及铝膜并固定于拼接机构；S103、调整所述主测量光栅及所述副测量光栅在所述拼接机构上的位置使得拼接间隙符合预设范围进行拼接固定，所述拼接间隙为所述主测量光栅及所述副测量光栅之间距离；S104、将拼接后的所述主测量光栅及所述副测量光栅涂布树脂胶；S105、将位移测量光栅基底放置在树脂胶上并对正所述主测量光栅及所述副测量光栅；S106、待所述树脂胶固化后将所述位移测量光栅基底与所述主测量光栅及所述副测量光栅进行分离后得到品字型位移测量光栅。在光的干涉与衍射共同作用下产生黑白相间(或明暗相间)的规则条纹图形，称之为莫尔条纹。经过光电器件转换使黑白(或明暗)相同的条纹转换成正弦波变化的电信号，再经过放大器放大，整形电路整形后，得到两路相差为90°的正弦波或方波，送入光栅数显表计数显示。可选地，所述将位移测量光栅基底放置在树脂胶上并对正位移测量光栅基底之前，还包括：对所述位移测量光栅基底进行清洁。可选地，所述树脂胶为常温固化树脂胶，对此不做限定。可选地，所述主测量光栅的长度大于所述副测量光栅的长度。可选地，所述方法还包括：所述副测量光栅与所述接缝处垂直且所述接缝处与所述副测量光栅的中间区域对应,所述主测量光栅与副测量光栅宽度相同。可选地，所述主测量光栅的光栅刻线与所述副测量光栅的光栅刻线对正，即相邻的主测量光栅的光栅刻线与副测量光栅的光栅刻位于同一直线上。为了方便对本方案进行理解，具体地，提供一种具体的实现方式加以介绍。S1、分别制作满足设计要求的高刻线密度主测量光栅1和主测量光栅2以及副测量光栅3，三块光栅刻线密度相同，主测量光栅1、2长度比副测量光栅3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种品字型位移测量光栅的制作方法，其特征在于，所述方法包括：获取至少一组品字型位移测量光栅副，所述品字型位移测量光栅副包括两块主测量光栅及一块副测量光栅，所述两块主测量光栅沿光栅矢量方向首尾拼接，所述副测量光栅固定在所述两块主测量光栅的接缝处，所述主测量光栅及所述副测量光栅共面；在所述品字型位移测量光栅副的表面依次镀油膜及铝膜并固定于拼接机构；调整所述主测量光栅及所述副测量光栅在所述拼接机构上的位置使得拼接间隙符合预设范围进行拼接固定，所述拼接间隙为所述主测量光栅及所述副测量光栅之间距离；将拼接后的所述主测量光栅及所述副测量光栅涂布树脂胶；将位移测量光栅基底放置在树脂胶上并对正所述主测量光栅及所述副测量光栅；待所述树脂胶固化后将所述位移测量光栅基底与所述主测量光栅及所述副测量光栅进行分离后得到品字型位移测量光栅。

【技术特征摘要】
1.一种品字型位移测量光栅的制作方法，其特征在于，所述方法包括：获取至少一组品字型位移测量光栅副，所述品字型位移测量光栅副包括两块主测量光栅及一块副测量光栅，所述两块主测量光栅沿光栅矢量方向首尾拼接，所述副测量光栅固定在所述两块主测量光栅的接缝处，所述主测量光栅及所述副测量光栅共面；在所述品字型位移测量光栅副的表面依次镀油膜及铝膜并固定于拼接机构；调整所述主测量光栅及所述副测量光栅在所述拼接机构上的位置使得拼接间隙符合预设范围进行拼接固定，所述拼接间隙为所述主测量光栅及所述副测量光栅之间距离；将拼接后的所述主测量光栅及所述副测量光栅涂布树脂胶；将位移测量光栅基底放置在树脂胶上并对正所述主测量光栅及所述副测量光栅；待所述树脂胶固化后将所述位移测量光栅基底与所述主测量光栅及所述副测量光栅进行分离后得到品字型位...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文昊，吕强，刘兆武，吉日嘎兰图，于宏柱，糜小涛，巴音贺希格，唐玉国，齐向东，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：吉林,22