电子电路制造技术

一种电子电路包括具有相同导电类型的第一晶体管器件和第二晶体管器件。第一晶体管器件被集成在第一半导体本体中，并且包括在第一半导体本体的第一表面处的第一负载焊盘和在第一半导体本体的第二表面处的第二负载焊盘。第二晶体管器件被集成在第二半导体本体中，并且包括在第二半导体本体的第一表面处的第一负载焊盘和在第二半导体本体的第二表面处的第二负载焊盘。第二晶体管器件的第一负载焊盘被安装至第一晶体管器件的第一负载焊盘，并且第一晶体管器件的第二负载焊盘被安装至导电载体。

【技术实现步骤摘要】
电子电路
本公开总体上涉及电子电路，特别是电子开关和反向极性保护电路。
技术介绍
诸如MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)的场效应控制型晶体管器件被广泛用作不同类型应用(例如机动车辆、工业、家庭或消费者电子应用)中的电子开关。MOSFET是电压控制型器件，其包括控制节点和两个负载节点之间的负载路径，并且取决于在控制节点与负载节点之一之间接收到的驱动电压而导通或关断。通常，控制节点称为栅极节点，负载节点分别称为漏极节点和源极节点，并且控制MOSFET的电压称为栅极-源极电压。MOSFET通常在两个负载节点之间包括内部二极管(通常称为体二极管)。由于这个二极管，仅当施加在负载节点之间的负载路径电压具有使内部二极管反向偏置的极性时，才可以通过驱动电压来导通和关断MOSFET。如果负载路径电压使内部二极管正向偏置，则MOSFET传导电流而与驱动电压无关。需要提供一种集成电路，该集成电路能够取决于驱动电压且与负载路径电压的极性无关地进行关断。
技术实现思路
一个实施例涉及一种电子电路。该电子电路包括具有相同导电类型的第一晶体管器件和第二晶体管器件。第一晶体管器件被集成在第一半导体本体中，并且包括在第一半导体本体的第一表面处的第一负载焊盘(pad)和在第一半导体本体的第二表面处的第二负载焊盘。第二晶体管器件被集成在第二半导体本体中，并且包括在第二半导体本体的第一表面处的第一负载焊盘和在第二表面处的第二负载焊盘。第二晶体管器件的第一负载焊盘被安装至第一晶体管器件的第一负载焊盘，并且第一晶体管器件的第二负载焊盘被安装至导电载体(carrier)。此外，第一晶体管器件的第一负载焊盘连接至第一晶体管器件的第一负载节点，并且第二晶体管器件的第一负载焊盘连接至第二晶体管器件的第一负载节点。附图说明下面参考附图来说明示例。附图用于说明某些原理，因此仅示出了理解这些原理所必需的方面。附图没有按比例绘制。在附图中，相同的附图标记表示相似的特征。图1示出了具有第一晶体管器件和第二晶体管器件的电子电路的电路图；图2示出了如何可以实现第一晶体管器件和第二晶体管器件的一个示例；图3示出了如何可以实现第一晶体管器件和第二晶体管器件的另一示例；图4A和图4B分别示出了包括图1所示的电子电路的示例半导体芯片布置的顶视图和垂直截面图；图5A和图5B示出了如何可以实现图4A所示的连接线的不同示例；图6示出了图4A和图4B所示的半导体芯片布置的修改；图7A和图7B分别示出了包括图1所示的电子电路的示例半导体芯片布置的顶视图和垂直截面图；图8示出了具有第一晶体管器件和第二晶体管器件的另一电子电路的电路图；图9示出了包括图8所示的电子电路的半导体芯片布置的顶视图；图10A和图10B分别示出了包括图8所示的电子电路的示例半导体芯片布置的顶视图和垂直截面图；图11示出了根据一个示例的第二晶体管器件的垂直截面图；图12示出了具有第一晶体管器件、第二晶体管器件和驱动电路的电子电路的电路图；图13示出了包括图12所示的电子电路的示例半导体芯片布置的顶视图；图14示出了具有第一晶体管器件、第二晶体管器件和驱动电路的另一电子电路的电路图；图15示出了包括图12所示的电子电路的示例半导体芯片布置的顶视图；图16示出了包括图12所示的电子电路的另一示例半导体芯片布置的顶视图；图17示出了具有第一晶体管器件和第二晶体管器件的另一电子电路的电路图；以及图18A和18B示出了如何可以实现第一晶体管器件和第二晶体管器件的一个示例。具体实施方式在下面的详细描述中参考了附图。附图构成说明书的一部分，并且通过说明的方式示出了可以实践本专利技术的特定实施例。应该理解的是，除非另外具体说明，否则本文描述的各种实施例的特征可以彼此组合。图1示出了根据一个示例的电子电路的电子电路图。电子电路包括具有相同导电类型的第一晶体管器件T1和第二晶体管器件T2。第一晶体管器件T1包括控制节点G1、第一负载节点S1和第二负载节点D1，并且被配置成取决于施加在控制节点G1与第一负载节点S1之间的第一驱动电压VGS1而导通或关断。第二晶体管器件T2包括控制节点G2、第一负载节点S2和第二负载节点D2，并且被配置成取决于施加在控制节点G2与第一负载节点S2之间的第二驱动电压VGS2而导通或关断。第一晶体管器件T1的第一负载节点S1连接至第二晶体管器件T2的第一负载节点S2。第一驱动电压VGS1和第二驱动电压VGS2可以由(图1中未示出的)驱动电路生成，并且与第一晶体管器件T1的第一负载节点S1和第二晶体管器件T2的第一负载节点S2连接的电路节点参考该第一和第二驱动电压。电路节点在下文中称为公共源节点。第一晶体管器件T1和第二晶体管器件T2中的每一个包括在相应的第二负载节点D1、D2与相应的第一负载节点S1、S2之间的负载路径。当第一晶体管器件T1和第二晶体管器件T2在其相应的第一负载节点S1、S2处连接时，第一晶体管器件T1和第二晶体管器件T2的负载路径形成串联电路。图1所示的电子电路可以作为电子开关工作。为此，由第一晶体管器件T1和第二晶体管器件T2形成的串联电路可以与负载Z串联连接，其中具有第一晶体管器件T1、第二晶体管器件T2和负载Z的串联电路连接在第一电源电位Vbb可用的第一电源节点与第二电源电位GND可用的第二电源节点之间。根据一个示例，第二电源电位GND低于第一电源电位。第二电源电位GND可以是地电位。第一电源节点与第二电源节点之间的电压在下文中称为电源电压V。第一晶体管器件T1和第二晶体管器件T2中的每一个可以在导通状态或关断状态下工作。在导通状态下，晶体管器件T1、T2中的每一个被配置成：当在第一负载节点D1、D2与第二负载节点S1、S2之间施加任何极性的电压时传导电流。在关断状态下，阻断(即防止)电流流动的能力可取决于施加在第二负载节点D1、D2与第一负载节点S1、S2之间的电压的极性。某些类型的晶体管器件(例如下面进一步说明的MOSFET)仅当在控制节点处接收到的驱动信号关断晶体管器件且在第二负载节点与第一负载节点之间施加的电压具有第一极性时才进行阻断，而当第二负载节点与第一负载节点之间的电压具有与第一极性相反的第二极性时，它们则与在控制节点处接收到的驱动信号无关地进行传导。在图1所示的电子电路中，由于具有相同导电类型的第一晶体管器件和第二晶体管器件T1、T2并且使第一晶体管器件和第二晶体管器件T1、T2定向在串联电路中，使得第一负载节点S1、S2被连接，因此如果两个晶体管器件T1、T2都在关断状态下被驱动，则第一晶体管器件和第二晶体管器件T1、T2中的至少一个与电源电压V的极性无关地进行阻断。根据一个示例，第一晶体管器件T1和第二晶体管器件T2中的每一个取决于(图1中未示出的)输入信号而在导通状态或关断状态下被驱动。如果输入信号在导通状态下驱动两个晶体管器件，则电子电路处于导通状态。此外，如果两个晶体管器件T1、T2处于关断状态，则电子电路处于关断状态，使得，参考上文，两个晶体管器件T1、T2中的至少一个进行阻断。根据另一示例，电子电路作为反向极性保护的电子开关来工作。在这种情况下，第一晶体管器件T1和第二晶体管器件T2中的一个取决于电源电压V的极性而被驱动，而第一晶体管器件T1和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子电路，包括：具有相同导电类型的第一晶体管器件和第二晶体管器件，其中，所述第一晶体管器件被集成在第一半导体本体中，并且包括在所述第一半导体本体的第一表面处的第一负载焊盘和在所述第一半导体本体的第二表面处的第二负载焊盘；其中，所述第二晶体管器件被集成在第二半导体本体中，并且包括在所述第二半导体本体的第一表面处的第一负载焊盘和在所述第二半导体本体的第二表面处的第二负载焊盘；其中，所述第二晶体管器件的第一负载焊盘被安装至所述第一晶体管器件的第一负载焊盘；其中，所述第一晶体管器件的第二负载焊盘被安装至导电载体；以及其中，所述第一晶体管器件的第一负载焊盘连接至所述第一晶体管器件的第一负载节点，并且所述第二晶体管器件的第一负载焊盘连接至所述第二晶体管器件的第一负载节点。

【技术特征摘要】
2016.12.15 US 15/380,4451.一种电子电路，包括：具有相同导电类型的第一晶体管器件和第二晶体管器件，其中，所述第一晶体管器件被集成在第一半导体本体中，并且包括在所述第一半导体本体的第一表面处的第一负载焊盘和在所述第一半导体本体的第二表面处的第二负载焊盘；其中，所述第二晶体管器件被集成在第二半导体本体中，并且包括在所述第二半导体本体的第一表面处的第一负载焊盘和在所述第二半导体本体的第二表面处的第二负载焊盘；其中，所述第二晶体管器件的第一负载焊盘被安装至所述第一晶体管器件的第一负载焊盘；其中，所述第一晶体管器件的第二负载焊盘被安装至导电载体；以及其中，所述第一晶体管器件的第一负载焊盘连接至所述第一晶体管器件的第一负载节点，并且所述第二晶体管器件的第一负载焊盘连接至所述第二晶体管器件的第一负载节点。2.根据权利要求1所述的电子电路，其中，所述第一晶体管器件是金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET并且所述第二晶体管器件是MOSFET，以及其中，所述第一晶体管器件的第一负载节点和所述第二晶体管器件的第一负载节点是源极节点和漏极节点中的一个。3.根据权利要求1所述的电子电路，其中，所述第二晶体管器件还包括在所述第二半导体本体的第二表面处的控制焊盘。4.根据权利要求1所述的电子电路，其中，所述第二晶体管器件还包括在所述第二半导体本体的第一表面处的控制焊盘，以及其中，所述第二晶体管器件的控制焊盘被安装至所述第一晶体管器件的控制焊盘。5.根据权利要求1所述的电子电路，其中，所述第二晶体管器件还包括在所述第二半导体本体的第一表面处的控制焊盘，以及其中，所述第二晶体管器件的控制焊盘被安装至所述第一晶体管器件的第一负载焊盘，使得所述第一晶体管器件的第一负载焊盘将所述第二晶体管器件的控制焊盘和第一负载焊盘电连接。6.根据权利要求1所述的电子电路，其中，所述第一晶体管器件还包括在所述第一半导体本体的第一表面处的控制焊盘。7.根据权利要求1所述的电子电路，其中，所述第一晶体管器...

【专利技术属性】
技术研发人员：安德烈亚斯·迈泽尔，马库斯·温克勒，
申请(专利权)人：英飞凌科技德累斯顿有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE