有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光装置制造方法及图纸

有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光装置。提供了一种有机发光二极管(OLED)以及包括该OLED的有机发光装置。所述OLED包括：第一电极；有机发光层，所述有机发光层包括发光区中的多条凸形曲线或多条凹形曲线，其中，所述有机发光层的上部区域的斜面相对于将所述多条凸形曲线的高度分成两半的水平线的斜率大于所述有机发光层的下部区域的斜面相对于所述水平线的斜率；以及第二电极，所述第二电极设置在所述有机发光层上。因此，有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光装置能够改善电流效率。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光装置
本专利技术涉及一种有机发光二极管(OLED)以及包括该有机发光二极管的有机发光装置。
技术介绍
从有机发光装置的有机发光层发出的光穿过有机发光装置的各种组件，然后被发射到有机发光装置的外部。然而，从有机发光层发出的光的一部分可能不会被发射到有机发光装置的外部并且在有机发光装置内部被捕获，从而降低了有机发光装置的光提取效率。具体地，在有机发光装置当中的底部发光型有机发光装置中，从有机发光层发出的光的大约50％从阳极电极全反射或被阳极吸收，并且因此在有机发光装置内部被捕获；以及从有机发光层发出的光的大约30％从基板全反射或被基板吸收，并因此在有机发光装置内部被捕获。如上所述，从有机发光层发出的光的大约80％在有机发光装置内部被捕获，并且仅有大约20％的发出光被提取到外部。因此，发光效率非常低。为了提高有机发光装置的光提取效率，已经提出了将微透镜阵列(MLA)附接到有机发光装置的基板的外侧的方法或者在有机发光装置的内部形成微透镜的方法。然而，即使将MLA附接到有机发光装置的基板的外侧或者在有机发光装置的内部形成微透镜，大量的光也会在有机发光装置的内部被捕获，并且因此被提取到外部的光量很小。此外，由于MLA或微透镜的使用，从基板入射的光的一部分根据偏振板的偏振轴的状态而被反射。因此，有机发光装置的反射率(或漫反射率)可能增加。
技术实现思路
本专利技术涉及能够降低反射率的有机发光二极管(OLED)以及包括该有机发光二极管的有机发光装置。根据一个或更多个实施方式，OLED和具有该OLED的有机发光装置包括分成发光区和非发光区的基板。在一个实施方式中，OLED和具有该OLED的有机发光装置包括涂覆层，所述涂覆层设置在所述基板上并且在所述发光区中包括多个峰值部分或凹入部分，其中，所述多个峰值部分的斜面的斜率大于所述多个凹入部分的斜面的斜率。在一个实施方式中，OLED和具有该OLED的有机发光装置包括设置在涂覆层上的第一电极。在一个实施方式中，OLED和具有该OLED的有机发光装置包括设置在第一电极上的有机发光层。在一个实施方式中，OLED和具有该OLED的有机发光装置包括设置在有机发光层上的第二电极。根据一个或更多个实施方式，OLED和具有该OLED的有机发光装置包括分成发光区和非发光区的基板。在另一个实施方式中，OLED和具有该OLED的有机发光装置包括设置在基板上的涂覆层。在另一个实施方式中，OLED和具有该OLED的有机发光装置包括设置在涂覆层上的第一电极。在另一个实施方式中，OLED和具有该OLED的有机发光装置包括设置在第一电极上并且在发光区中包括多条凸形曲线或多条凹形曲线的有机发光层，并且所述有机发光层的所述多条凸形曲线的斜面的斜率大于所述多条凹形曲线的斜面的斜率。在另一个实施方式中，OLED和具有该OLED的有机发光装置包括第二电极，所述第二电极设置在有机发光层上并且该所述第二电极的形状依据有机发光层的顶表面的形状。根据一个或更多个实施方式，OLED和具有该OLED的有机发光装置包括有机发光层，所述有机发光层设置在第一电极上并且包括多条凸形曲线或多条凹形曲线，并且其中所述有机发光层的上部区域的斜面相对于将所述多条凸形曲线的高度分成两半的水平线的斜率大于所述有机发光层的下部区域的斜面相对于所述水平线的斜率。在另一个实施方式中，OLED和具有该OLED的有机发光装置包括设置在有机发光层上的第二电极。本公开的其它优点和特征将部分地在下面的描述中阐述，并且在一部分中对本领域普通技术人员而言在通过以下的研究之后将变得显而易见，或者可以从本公开的实践中获悉。本公开的目的和其它优点可以通过在书面说明书和权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得。应当理解，本公开的前述一般描述和以下详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的公开内容的进一步解释。附图说明附图被包括以提供对本公开的进一步理解，并且被并入且构成本申请的一部分，附图示出了本公开的实施方式，并且与说明书一起用于解释本公开的原理。图1是应用了实施方式的有机发光显示装置的截面图；图2是图1的区域X中的有机发光层的平面图；图3是图1的区域X的放大截面图；图4是确定涂覆层的峰值部分形状的变量的概念图；图5是例示确定根据实施方式的有机发光显示装置的涂覆层的峰值部分的形状的变量的图；图6是用于解释微透镜阵列的间隙的概念图；图7是例示根据实施方式的峰值部分上的最大倾斜位置处的光路的图；图8是例示比较例的涂覆层的峰值部分的形状的图；图9是示出电流效率相比于涂覆层的峰值部分的形状的图表(graph)；和图10是示出根据实施方式的漫反射率相比于峰值部分的纵横比A/R的图表。具体实施方式在下文中，将参考附图更详细地描述本公开的实施方式。本文阐述的实施方式作为示例被提供以将本公开的思想充分地传递给本领域的普通技术人员。因此，本公开不应该被解释为限于这些实施方式，并且可以以许多不同的形式来体现。在附图中，为了便于说明，装置的尺寸、厚度等可能被夸大。相同的附图标记始终表示相同的元件。通过结合附图参照本文阐述的实施方式，本公开的优点和特征以及实现它们的方法将变得显而易见。然而，本公开不应该被解释为限于实施方式，并且可以以许多不同的形式来体现。相反，提供这些实施方式是为了使本公开将是透彻和完整的，并且将本公开的概念完全传达给本领域的普通技术人员。本公开应仅由权利要求的范围来限定。相同的附图标记始终表示相同的元件。在附图中，为了清楚起见，层和区域的大小及其相对大小可能被夸大。将理解的是，当一个元件或一层被称为“在另一元件或层上方”或“在另一元件或层上”时，该元件或层可以直接位于另一元件或层上或者位于中间元件或层上。相反，当一个元件或层被称为“直接在另一元件或层上方”或“直接在另一元件或层上”，时，不存在中间元件或层。为便于描述，，这里可以使用诸如“在...下方”、“在…下”、“在...之下”、“在...上方”、“在...上”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一个元件或特征的关系。将理解的是，除了在附图中描绘的方位之外，空间相对术语旨在包括每个元件在使用或操作中的不同方位。例如，如果在附图中示出的每个原件是倒置的，则被描述为“在其它元件下方”或“在其它元件下”的元件将被定向为“在其它元件上方”。因此，示例性术语“在...下方”可以涵盖上方和下方的两个方位。当下面描述本公开的组件时，可以使用术语“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(a)”、“(b)”等。这些术语仅用于将一个组件和其它组件进行区分。因此，组件的基本特征、次序、顺序或数量不受这些术语的限制。图1是应用了实施方式的有机发光显示装置的截面图。参照图1，应用实施方式的有机发光显示装置100包括：包含栅极121、有源层122、源极123和漏极124的薄膜晶体管(TFT)120；以及电连接到TFT120并且包括第一电极150、有机发光层160和第二电极170的有机发光二极管(OLED)EL。详细地说，栅极121设置在基板110上。在栅极121和基板110上设置栅绝缘层131，以使栅极121和有源层122绝缘。在栅极绝缘层131上设置有源层122。在有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：第一电极；设置在所述第一电极上的有机发光层，所述有机发光层包括多条凸形曲线和多条凹形曲线中的至少一种曲线，其中，所述有机发光层的上部区域的斜面相对于将所述多条凸形曲线的高度分成两半的水平线的斜率大于所述有机发光层的下部区域的斜面的斜率；以及第二电极，所述第二电极设置在所述有机发光层上。

【技术特征摘要】
2016.12.20 KR 10-2016-01746581.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：第一电极；设置在所述第一电极上的有机发光层，所述有机发光层包括多条凸形曲线和多条凹形曲线中的至少一种曲线，其中，所述有机发光层的上部区域的斜面相对于将所述多条凸形曲线的高度分成两半的水平线的斜率大于所述有机发光层的下部区域的斜面的斜率；以及第二电极，所述第二电极设置在所述有机发光层上。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述第二电极具有依据所述有机发光层的形态的形状。3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述有机发光层在所述多条凸形曲线的斜面处的厚度小于所述有机发光层在所述多条凹形曲线的斜面处的厚度。4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述多条凸形曲线或所述多条凹形曲线的纵横比为0.3至0.5。5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述多条凸形曲线或所述多条凹形曲线的直径为1μm至5μm，其中，所述有机发光层的所述凸形曲线的直径是两条相邻的凸形曲线的中心之间的距离，并且所述有机发光层的所述凹形曲线的直径是两条相邻的凹形曲线的中心之间的距离。6.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述多条凸形曲线或所述多条凹形曲线的半峰全宽为0.975μm至1.5μm，其中，所述半峰全宽是所述凸形曲线在该凸形曲线的高度的一半处的宽度或者是所述凹形曲线在该凹形曲线的高度的一半处的宽度。7.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述多条凸形曲线或所述多条凹形曲线的半峰全宽纵横比为0.4至0.75。8.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其中，所述多条凸形曲线或所述多条凹形曲线的半峰纵横比与纵横比之比为1.2或更大，其中，所述半峰纵横比与纵横比之比是所述半峰全宽纵横比与所述纵横比之间的比。9.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述多条凸形曲线或所述多条凹形曲线的最大斜率为20度至60度。10.一种有机发光装置，所述有机发光二极管包括：基板，所述基板被分成发光区和非发光区；涂覆层，所述涂覆层设置在所述基板上并且在所述发光区中包括多个峰值部分或多个凹入部分，其中，所述多个凹入部分的斜面的斜率大于所述多个峰值部分的斜面的斜率；第一电极，所述第一电极设置在所述涂覆层上；有机发光层，所述有机发光层设置在所述第一电极上；以及第二电极，所述第二电极设置在所述有机发光层上。11.根据权利要求10所述的有机发光装置，其中，所述有机发光层的与所述多个峰值部分的斜...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志向，赵昭英，具沅会，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR