量子发光二极管和包括其的量子发光装置制造方法及图纸

本公开内容涉及一种量子发光二极管和包括该量子发光二极管的量子发光装置。该量子发光二极管包括：第一电极；面对第一电极的第二电极；在第一电极与第二电极之间并具有将发射光导向发光侧的结构的光量增加层；以及在光量增加层与第二电极之间并在光量增加层的结构处包含量子颗粒的发光材料层。

【技术实现步骤摘要】
量子发光二极管和包括其的量子发光装置相关申请的交叉引用本申请要求于2016年12月13日在韩国提交的韩国专利申请第10-2016-0169409号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
技术介绍
公开内容领域本专利技术涉及发光二极管，更具体地涉及具有提高的亮度的量子发光二极管和包括该量子发光二极管的量子发光装置。背景说明在有机发光二极管中，当提高电流密度或驱动电压以提高有机发光二极管的亮度时，可能发生由于有机发光材料的分解而导致的有机发光二极管的热降解，使得有机发光二极管的寿命缩短。近来，替代有机发光二极管，已经研究了在发光层中包括诸如量子点(QD)或量子棒(QR)的量子颗粒的量子发光二极管。可通过控制量子颗粒的尺寸来控制量子颗粒的发光峰。与有机发光材料相比，量子颗粒在热降解和/或氧化反应中是稳定的。量子发光二极管在发光层和电极之间可包括用于传输空穴或电子的电荷层。量子颗粒从侧表面以及上表面和下表面发光。因此产生光损失，并且降低了量子发光二极管和量子发光装置的亮度。
技术实现思路
因此，本公开内容涉及量子发光二极管和包括该量子发光二极管的量子发光装置(QLED)，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题，并且具有其他优点。本公开内容提供了一种具有提高的亮度的量子发光二极管和QLED。本公开内容的其他特征和优点将在下面的描述中阐述，并且部分将根据描述而是明显的，或者可通过本公开内容的实践而获知。本公开内容的目的和其他优点将通过在说明书和权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得。本公开内容提供了一种量子发光二极管，其包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间并具有将发射光导向发光侧的结构的光量增加层；以及在所述光量增加层与所述第二电极之间并在所述光量增加层的结构处包含量子颗粒的发光材料层。此外，本公开内容提供了一种量子发光装置，包括：基底；在所述基底上方的量子发光二极管，所述量子发光二极管包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极、在所述第一电极与所述第二电极之间并具有将发射光导向发光侧的结构的光量增加层、以及在所述光量增加层与所述第二电极之间并在所述光量增加层的结构处包含量子颗粒的发光材料层；以及在所述基底与所述量子发光二极管之间并连接至所述量子发光二极管的驱动元件。此外，本公开内容提供了一种量子发光二极管，包括：阳极；面对所述阳极的阴极；在所述阳极与所述阴极之间并具有将发射光导向发光侧的结构的光量增加层；在所述光量增加层与所述阳极之间的发光材料层；以及产生所述发射光并设置在所述光量增加层处的量子颗粒。应该理解的是，前面的一般描述和下面的详细描述两者都是实例且是说明性的，并且旨在提供对所要求保护的公开内容的进一步解释。附图说明包括附图以提供对本公开内容的进一步理解，附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分，其示出了本公开内容的方面，并且与描述一起用于解释本公开内容的原理。在附图中：图1是根据本公开内容的一方面的量子发光二极管的示意性横截面图；图2A和图2B是分别示出量子颗粒和光量增加层的布置的示意图；图3A是示出相关领域的发光二极管的量子颗粒中的光损失的示意图，并且图3B是说明通过本公开内容中的光量增加层获得的亮度提高的示意图。图4是说明光量增加层中的棱镜图案的底边、底角和间距的关系的示意图；图5是根据本公开内容的另一方面的量子发光二极管的示意性横截面图；图6是根据本公开内容的QLED的示意性横截面图；以及图7是量子发光二极管中的光致发光(PL)强度的曲线图。具体实施方式现在将详细参照本公开内容的方面，其实例在附图中示出。只要可能，在整个附图中将使用相同的附图标记来表示相同或相似的部分。图1是根据本公开内容的一方面的量子发光二极管的示意性横截面图。参照图1，量子发光二极管100包括第一电极110、面对第一电极110的第二电极120和发光层130，发光层130包括在第一电极110与第二电极120之间的发光材料层(EML)150和光量增加层170。光量增加层170设置在第一电极110和EML150之间。发光层130还可包括第一电极110与EML150之间的第一电荷传输层140和第二电极120与EML150之间的第二电荷传输层160。光量增加层170可设置在第一电荷传输层140与EML150之间。第一电极110可以是作为空穴注入电极的阳极。第一电极110可以形成在玻璃或聚合物的基底(未示出)上或上方。例如，第一电极110可包含以下或由以下形成：氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化铟铜(ICO)、氧化锡(SnO2)、氧化铟(In2O3)、镉-锌氧化物合金(Cd:ZnO)、氟-锡氧化物合金(F:SnO2)、铟-锡氧化物合金(In:SnO2)、镓-锡氧化物合金(Ga:SnO2)、或铝-锌氧化物合金(Al:ZnO)。可替选地，第一电极110可包含以下或由以下形成：镍(Ni)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)、铱(Ir)、或碳纳米管(CNT)。第二电极120可以是作为电子注入电极的阴极。例如，第二电极120可包含以下或由以下形成：Ca、Ba、Ca/Al、LiF/Ca、LiF/Al、BaF2/Al、CsF/Al、CaCO3/Al、BaF2/Ca/Al、Al、Mg、Au:Mg或Ag:Mg。第一电极110和第二电极120中的每个的厚度可为约50nm至300nm。然而，并不限于此。第一电荷传输层140设置在第一电极110与EML150之间。第一电荷传输层140将空穴提供至EML150中。即，第一电荷传输层140可以是空穴传输部。具有以上结构的量子发光二极管100可称为常规结构。例如，第一电荷传输层140可包括空穴注入层(HIL)142和HIL142与EML150之间的空穴传输层(HTL)144。通过HIL142确保从第一电极110进入EML150的空穴注入性质。例如，HIL142可包含以下中的至少一种：聚(亚乙基二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)、具有作为掺杂剂材料的四氟-四氰基-醌二甲烷(F4-TCNQ)的4,4’,4”-三(二苯基氨基)三苯胺(TDATA)、具有掺杂剂F4-TCNQ的酞菁锌(ZnPc)、具有掺杂剂F4-TCNQ的N,N’-二苯基-N,N’-双(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4”-二胺(α-NPD或α-NPB)、以及六氮杂苯并菲-己腈(HAT-CN)，但不限于此。诸如F4-TCNQ的掺杂剂的重量占主体材料的重量的约1％至20％。HTL144将来自第一电极110的空穴提供至EML150中。HTL144可包含以下或由以下形成：无机材料或有机材料。用于HTL144的有机材料可以是以下中的至少一种：4,4’-N,N’-二咔唑基-联苯(CBP)、α-NPD(α-NPB)、螺-NPB(spiro-NPB)、N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-(1,1’-联苯)-4,4’-二胺(TPD)、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双(苯基)-螺(螺-TPD)、N,N’-二(4-(N,N’-二苯基氨基)苯基)-N,N’-二苯基联苯胺(DNTPD)、4,4’,4”-三(N-咔唑基)-三苯胺(TCTA)、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子发光二极管，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间并且具有将发射光导向发光侧的结构的光量增加层；以及在所述光量增加层与所述第二电极之间并且在所述光量增加层的结构处包含量子颗粒的发光材料层。

【技术特征摘要】
2016.12.13 KR 10-2016-01694091.一种量子发光二极管，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间并且具有将发射光导向发光侧的结构的光量增加层；以及在所述光量增加层与所述第二电极之间并且在所述光量增加层的结构处包含量子颗粒的发光材料层。2.根据权利要求1所述的量子发光二极管，其中，所述光量增加层的结构包括至少一个凸部和至少一个凹部。3.根据权利要求2所述的量子发光二极管，其中，所述至少一个凸部和至少一个凹部形成棱镜图案。4.根据权利要求3所述的量子发光二极管，其中，所述棱镜图案的底角在约10度至45度的范围内。5.根据权利要求3所述的量子发光二极管，其中，所述棱镜图案的底边与间距之比为1:1至2:3。6.根据权利要求3所述的量子发光二极管，其中，所述棱镜图案的高度与底边之比为1:2至1:10。7.根据权利要求1所述的量子发光二极管，还包括：在所述第一电极与所述光量增加层之间的第一电荷传输层；以及在所述发光材料层与所述第二电极之间的第二电荷传输层。8.根据权利要求7所述的量子发光二极管，其中，所述第一电荷传输层和所述第二电荷传输层中的一者包含有机材料，并且所述第一电荷传输层和所述第二电荷传输层中的另一者包含无机材料。9.根据权利要求7所述的量子发光二极管，其中，所述第一电荷传输层和所述第二电荷传输层中的一者是空穴传输层，并且所述第一电荷传输层和所述第二电荷传输层中的另一者是电子传输层。10.根据权利要求2所述的量子发光二极管，其中，所述至少一个凸部从所述第一电荷传输层向所述第二电极突出。11.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：金柄杰，金玮镕，金奎男，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR