【技术实现步骤摘要】
GOA电路及OLED显示装置
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种GOA电路及OLED显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDisplay,OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED显示器件通常包括:基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED显示器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光。具体的,OLED显示器件通常采用氧化铟锡(ITO)像素电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极,在一定电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层,电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层,并在发光层中相遇,形成激子并使发光分子激发,后者经过辐射弛豫而发出可见光。GOA技术(GateDriveronArray)即阵列基板行驱动技术,是运用液晶显示面板的原有阵列制程将水平扫描线的驱动电路制作在显示区周围的基板上,使之能替代外接集成电路板(IntegratedCircuit,IC)来完成水平扫描线的驱动。GOA技术能减少外接IC的焊接(bonding)工序,有机会提升产能并降低产品成本,而且可以使液晶显示面板更适合制作窄边框或无边框的显示产品。对于OLE ...
【技术保护点】
1.一种GOA电路,其特征在于,包括:级联的多个GOA单元,每一级GOA单元均包括扫描信号输出模块(100)以及与所述扫描信号输出模块(100)电性连接的发光信号输出模块(200);设n为正整数,除第一级GOA单元外,在第n级GOA单元中,所述扫描信号输出模块(100),接收第m条时钟信号(CK(m))、第m+1条时钟信号(CK(m+1))以及第n‑1级GOA单元的扫描信号(SCAN(n‑1)),用于在第n‑1级GOA单元的扫描信号输出模块(100)输出的扫描信号(SCAN(n‑1))的控制下,根据所述第m条时钟信号(CK(m))向第n行子像素及第n级GOA单元的发光信号输出模块(200)输出第n级GOA单元的扫描信号(SCAN(n));所述发光信号输出模块(200),接收所述第n级GOA单元的扫描信号输出模块(100)输出的扫描信号(SCAN(n)),用于根据所述扫描信号(SCAN(n))向第n行子像素输出第n级GOA单元的发光信号(EM(n));在一帧画面时间内,每一级GOA单元的扫描信号均包括至少两个低电位的脉冲,每一级GOA单元的发光信号的输出高电位的时长均大于所述第m条时钟信 ...
【技术特征摘要】
1.一种GOA电路,其特征在于,包括:级联的多个GOA单元,每一级GOA单元均包括扫描信号输出模块(100)以及与所述扫描信号输出模块(100)电性连接的发光信号输出模块(200);设n为正整数,除第一级GOA单元外,在第n级GOA单元中,所述扫描信号输出模块(100),接收第m条时钟信号(CK(m))、第m+1条时钟信号(CK(m+1))以及第n-1级GOA单元的扫描信号(SCAN(n-1)),用于在第n-1级GOA单元的扫描信号输出模块(100)输出的扫描信号(SCAN(n-1))的控制下,根据所述第m条时钟信号(CK(m))向第n行子像素及第n级GOA单元的发光信号输出模块(200)输出第n级GOA单元的扫描信号(SCAN(n));所述发光信号输出模块(200),接收所述第n级GOA单元的扫描信号输出模块(100)输出的扫描信号(SCAN(n)),用于根据所述扫描信号(SCAN(n))向第n行子像素输出第n级GOA单元的发光信号(EM(n));在一帧画面时间内,每一级GOA单元的扫描信号均包括至少两个低电位的脉冲,每一级GOA单元的发光信号的输出高电位的时长均大于所述第m条时钟信号(CK(m))的脉冲周期的两倍,所述第m条时钟信号(CK(m))和第m+1条时钟信号(CK(m+1))的相位相反。2.如权利要求1所述的GOA电路,其特征在于,所述扫描信号输出模块(100)包括:第一薄膜晶体管(M1)、第二薄膜晶体管(M2)、第三薄膜晶体管(M3)、第四薄膜晶体管(M4)、第五薄膜晶体管(M5)、第六薄膜晶体管(M6)、第七薄膜晶体管(M7)、第八薄膜晶体管(M8)、第九薄膜晶体管(M9)、第十薄膜晶体管(M10)、第十一薄膜晶体管(M11)、第十二薄膜晶体管(M12)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)及第四电容(C4);所述第一薄膜晶体管(M1)的栅极接入恒压低电位(VGL),源极电性连接第二薄膜晶体管(M2)的漏极,漏极电性连接第n级GOA单元的第一节点(PD(n));所述第二薄膜晶体管(M2)的栅极和源极均接入第n-1级GOA单元的扫描信号(SCAN(n-1));所述第三薄膜晶体管(M3)的栅极接入恒压低电位(VGL),源极电性连接第二薄膜晶体管(M2)的源极,漏极电性连接第五薄膜晶体管(M5)的栅极;所述第四薄膜晶体管(M4)的栅极接入恒压低电位(VGL),源极电性连接第n级GOA单元的第一节点(PD(n)),漏极电性连接第六薄膜极晶体管(M6)的源极;所述第五薄膜晶体管(M5)的源极电性连接第n级GOA单元的第二节点(PU(n)),漏极接入恒压高电位(VGH);所述第六薄膜晶体管(M6)的栅极电性连接第n级GOA单元的第二节点(PU(n)),漏极接入恒压高电位(VGH);所述第七薄膜晶体管(M7)的栅极电性连接第三薄膜晶体管(M3的漏极,源极电性连接第八薄膜晶体管(M8)的漏极,漏极接入恒压高电位(VGH);所述第八薄膜晶体管(M8)的栅极和源极均接入第m条时钟信号(CK(m));所述第九薄膜晶体管(M9)的栅极接入第m+1条时钟信号(CK(m+1)),源极电性连接第十薄膜晶体管(M10)的漏极,漏极电性连接第n级GOA单元的第二节点(PU(n));所述第十薄膜晶体管(M10)的栅极电性连接第八薄膜晶体管(M8)的漏极,源极接入第m+1条时钟信号(C...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘婕,
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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