【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体涉及一种显示面板及显示装置。
技术介绍
1、显示面板通常包括发光元件以及与发光元件相对应的像素电路，像素电路中设有驱动晶体管以产生驱动电流，从而驱动发光元件发光。
2、相关技术中，驱动晶体管的沟道位置应力不均匀，例如沟道长度方向上一侧的应力相对较大，且沟道另一侧的应力相对较小，这使得驱动晶体管的沟道在左右两侧的应力差别较大，从而容易导致驱动晶体管的寿命较短。此外，驱动晶体管的沟道处应力不均匀还会对晶体管的电性产生较大影响，容易致使发光元件发光出现残影的问题。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种显示面板及显示装置，以缓解相关技术中驱动晶体管的沟道处应力不均匀的问题。
2、本申请实施例提供一种显示面板，所述显示面板具有多个像素电路，每个像素电路均包括驱动晶体管，所述驱动晶体管包括沟道部、栅极、源极以及漏极；所述显示面板包括：衬底、半导体层以及金属层。所述半导体层位于所述衬底上，所述沟道部位于所述半导体层中。所述金属层位于所述半导体层远离所述衬底一侧，其中，所述金属层包括分别位于所述沟道部的长度方向上两端的功能电极和浮置电极，所述功能电极与所述栅极、源极和漏极中的一者电性连接，且所述功能电极在所述半导体层上的正投影与所述沟道部之间具有第一间距d1，所述浮置电极在所述半导体层上的正投影与所述沟道部之间具有第二间距d2，
3、在一些实施例中，所述第一间距d1和所述第二间距d2相等。
4、在一些实施例中，所述功能电极和所述
5、在一些实施例中，所述对称轴在所述半导体层上的正投影经过所述沟道部的中部位置。
6、在一些实施例中，所述第一间距d1与所述第二间距d2之和与所述金属层的厚度的比值为f1，f1大于或等于10且小于或等于50。
7、在一些实施例中，所述浮置电极在第一方向上的长度与所述沟道部在第一方向上的总长度的比值为f2，f2大于或等于1且小于或等于2，所述第一方向与所述沟道部的宽度方向平行。
8、在一些实施例中，所述沟道部在所述浮置电极靠近所述功能电极一侧的平面上具有第一正投影，所述浮置电极至少部分覆盖所述第一正投影。
9、在一些实施例中，所述沟道部在所述功能电极靠近所述浮置电极一侧的平面上具有第二正投影，所述功能电极至少部分覆盖所述第二正投影。
10、在一些实施例中，所述显示面板还具有与所述像素电路对应的发光元件，所述发光元件具有阳极，所述显示面板还包括位于半导体层远离所述衬底一侧且依次层叠设置的源漏电极层、第一过渡绝缘层以及第一连接层，所述源极和漏极位于所述源漏电极层中，所述第一连接层包括第一转接电极；其中：所述漏极通过所述第一转接电极与所述阳极电性连接，所述第一连接层与所述金属层同层设置；或者，所述显示面板还包括位于第一连接层上且依次层叠设置的第二绝缘过渡层和第二连接层，所述第二连接层包括第二转接电极，所述漏极依次通过所述第一转接电极和所述第二转接电极与所述阳极电性连接，所述第二连接层与所述金属层同层设置；或者，所述显示面板还包括位于第一连接层上且依次层叠设置的第二绝缘过渡层和第二连接层，所述第二连接层包括第二转接电极，所述漏极依次通过所述第一转接电极和所述第二转接电极与所述阳极电性连接；所述金属层设有两层，且两层金属层分别与所述第一连接层和所述第二连接层同层设置。
11、在一些实施例中，所述显示面板还包括位于半导体层上依次层叠设置的栅绝缘层以及栅极层，所述栅极位于所述栅极层中；其中：所述栅极层与所述金属层同层设置；或者，所述显示面板还包括位于栅极层上且依次层叠设置的层间绝缘层以及源漏电极层，所述源极和漏极位于所述源漏电极层中，所述源漏电极层与所述金属层同层设置。
12、本公开一些实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括如上述任一实施例所述的显示面板。
13、对于本申请实施例所提供的显示面板，由于第一间距d1与第二间距d2之差的绝对值，与第一间距d1与第二间距d2之和的比值小于或等于10％，这也意味着，功能电极与沟道部之间的第一间距d1和浮置电极与沟道部之间的第二间距d2大致相等，如此可以通过浮置电极来平衡功能电极对沟道部所形成的应力影响，从而使得驱动晶体管的沟道部在其长度方向上的应力相对更加均匀，进而提高驱动晶体管的使用寿命，同时避免沟道部应力不均匀而导致的发光元件发光出现残影的问题。
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1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板具有多个像素电路，每个像素电路均包括驱动晶体管，所述驱动晶体管包括沟道部、栅极、源极以及漏极；所述显示面板包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一间距D1和所述第二间距D2相等。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述功能电极和所述浮置电极关于对称轴对称设置，所述对称轴垂直于所述功能电极和所述浮置电极之间的连线，且经过所述连线的中点；所述连线的长度与所述第一间距D1和所述第二间距D2之和相等。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述对称轴在所述半导体层上的正投影经过所述沟道部的中部位置。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一间距D1与所述第二间距D2之和与所述金属层的厚度的比值为F1，F1大于或等于10且小于或等于50。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述浮置电极在第一方向上的长度与所述沟道部在第一方向上的总长度的比值为F2，F2大于或等于1且小于或等于2，所述第一方向与所述沟
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述沟道部在所述浮置电极靠近所述功能电极一侧的平面上具有第一正投影，所述浮置电极至少部分覆盖所述第一正投影；和/或者，
8.根据权利要求1-4中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还具有与所述像素电路对应的发光元件，所述发光元件具有阳极，所述显示面板还包括位于半导体层远离所述衬底一侧且依次层叠设置的源漏电极层、第一过渡绝缘层以及第一连接层，所述源极和漏极位于所述源漏电极层中，所述第一连接层包括第一转接电极；其中：
9.根据权利要求1-4中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于半导体层上依次层叠设置的栅绝缘层以及栅极层，所述栅极位于所述栅极层中；其中：
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的显示面板。
...【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板具有多个像素电路，每个像素电路均包括驱动晶体管，所述驱动晶体管包括沟道部、栅极、源极以及漏极；所述显示面板包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一间距d1和所述第二间距d2相等。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述功能电极和所述浮置电极关于对称轴对称设置，所述对称轴垂直于所述功能电极和所述浮置电极之间的连线，且经过所述连线的中点；所述连线的长度与所述第一间距d1和所述第二间距d2之和相等。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述对称轴在所述半导体层上的正投影经过所述沟道部的中部位置。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一间距d1与所述第二间距d2之和与所述金属层的厚度的比值为f1，f1大于或等于10且小于或等于50。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述浮置电极在第一方...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡锦文，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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