光刻装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种光刻装置。该光刻装置包括：掩模版，具有彼此相反的第一表面和第二表面以及形成在第一表面上的图案区域；掩模版台，面对掩模版的第二表面，掩模版台用于夹住掩模版；在容纳掩模版和掩模版台的腔室内的保护导体；以及电源，用于供给电压到保护导体。

【技术实现步骤摘要】
光刻装置
本公开涉及光刻装置，更具体而言，涉及利用极紫外(EUV)光的光刻装置。
技术介绍
EUV光刻，其提供比通过利用光学光刻能获得的图案分辩率更精细的图案分辩率，是下一代光刻的杰出候选者。利用EUV光刻提高分辩率是由于EUV光刻利用在11nm-15nm波长范围内的波长进行的事实，而光学光刻利用在150nm-250nm范围内的波长进行。通常，随着以光刻来图案化图像中所使用的光的波长减小，所得分辩率增大。EUV光在穿过空气传输时衰减，并且目前没有已知的材料具有适合于被用作EUV透镜的EUV光的透射率和折射率。结果，EUV光刻利用反射光学反射镜在高真空下进行以照射EUV光到掩模版(reticle)上并且将被照射的图案从掩模版投射到基板上。因此，用于EUV光刻的掩模版是反射掩模版，而不是在光学微光刻中使用的透明掩模版。在光学微光刻中使用蒙版(pellicle)来保护掩模版免受颗粒污染。蒙版是在覆盖掩模版的图案化表面的框上的透明薄膜。然而，在EUV光刻中，蒙版可以不与掩模版一起使用，因为蒙版吸收EUV光，导致基本上没有EUV光剩余以将图案图像投射到基板上。因此，EUV光刻的掩模版应该在没有蒙版的情况下使用。
技术实现思路
根据本公开的一方面，光刻装置包括：掩模版，包括彼此相反的第一表面和第二表面以及在第一表面上的图案区域；掩模版台，面对掩模版的第二表面并且配置为夹住掩模版；以及电源，用于提供负电压到掩模版的第一表面以便防止颗粒吸附在掩模版上。根据本公开的另一方面，光刻装置包括：掩模版，包括彼此相反的第一表面和第二表面以及在第一表面上的图案区域；掩模版台，面对掩模版的第二表面并且配置为夹住掩模版；以及电场帘，布置为调节在掩模版的第一表面上或者在掩模版的周边上的颗粒的移动方向并且包括至少一个导体。根据本公开的再一方面，光刻装置包括：第一子腔室，包括设置在其中的至少一个照射系统反射镜以反射曝光光；掩模版台模块，包括反射从所述第一子腔室输出的曝光光的掩模版；第二子腔室，包括在其中的至少一个投影光学系统反射镜以投射被反射的曝光光到晶片上；以及晶片台，晶片将被夹到晶片台，其中掩模版包括曝光光入射在其上的第一表面以及在第一表面上的图案区域，并且负电压被施加到掩模版的第一表面以便阻挡颗粒吸附在掩模版上。根据本公开的再一方面，光刻装置包括：源，配置为提供曝光光；第一子腔室，包括设置在其中的至少一个照射系统反射镜以反射曝光光；掩模版台模块，包括掩模版以反射被照射系统反射镜反射到其上的曝光光；第二子腔室，包括设置在其中的至少一个投影光学系统反射镜以投射被反射的曝光光到晶片上；以及晶片台，晶片将被夹到晶片台，晶片台在包括第一子腔室和第二子腔室的主腔室中，其中主腔室、第一子腔室和第二子腔室中的至少一个包括颗粒捕获电极，颗粒捕获电极被施加有正电压。根据本公开的又一方面，光刻装置可以包括：掩模版，具有彼此相反的第一表面和第二表面以及形成在第一表面上的图案区域；掩模版台，面对掩模版的第二表面，掩模版台用于夹住掩模版；保护导体，在容纳掩模版和掩模版台的腔室内；以及电源，用于供给电压到保护导体。附图说明通过参考附图详细描述示范实施方式，特征对于本领域技术人员将变得明显，在附图中：图1示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的示意图。图2示出被提供来说明图1的掩模版被夹到掩模版台的视图。图3示出被提供来说明图1的掩模版台模块的视图。图4A至4C示出被提供来说明图1的掩模版的形状的示范性视图。图5示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。图6示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。图7示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。图8示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。图9示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。图10示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。图11示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。图12示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。图13示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。图14示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。图15示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的示意图。图16A和16B示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的反射镜的形状的视图。图17示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻方法的视图。具体实施方式在下面的描述中，光刻装置涉及通过利用电力阻挡颗粒接近掩模版的表面。此外，将在下文描述的光刻装置涉及通过利用电力捕获光刻装置内的颗粒。虽然描述了光刻装置包括被夹到掩模版台200的掩模版210，但示范实施方式可以不被限制于此。也就是，贯穿以下说明，本领域技术人员将能区分掩模版与从其去除了掩模版的光刻装置。图1是被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的示意图。图2是被提供来说明图1的掩模版被夹到掩模版台的视图。图3是被提供来说明图1的掩模版台模块的视图。图4A至4C是被提供来说明图1的掩模版的形状的视图。首先，参考图1至4C，根据一些示范实施方式的光刻装置可以包括主腔室100和源400。主腔室100可以包括第一子腔室110、第二子腔室120、掩模版台模块130、掩模版台电源300、照射系统反射镜501、502、投影光学系统反射镜601、602、603、604和晶片台700。第一子腔室110可以位于主腔室100内。至少一个或更多个照射系统反射镜501、502可以设置在第一子腔室110内。来自源400的曝光光入射在照射系统反射镜501、502上并被其反射，并且穿过第一子腔室110以入射在被夹到掩模版台200的掩模版210上。为了提高曝光光的反射效率，第一子腔室110的内部区域可以保持在真空状态。第二子腔室120可以位于主腔室100内。至少一个或更多个投影光学系统反射镜601、602、603、604可以设置在第二子腔室120内。从掩模版210的表面反射的曝光光可以入射在投影光学系统反射镜601、602、603、604上并被其反射，并且发射到晶片台700上的晶片。为了提高曝光光的反射效率，第二子腔室120的内部区域可以保持在真空状态。因此，掩模版210可以把曝光光从第一子腔室110反射到第二子腔室120。掩模版台模块130可以位于主腔室100内，与第一子腔室110和第二子腔室120光学连通。掩模版台模块130可以包括掩模版台200、掩模版210、掩模版遮挡片205等等，如在图3中可以看见的。掩模版台200可以位于主腔室100的上部分上，例如，可以被固定到主腔室100的上部内表面。掩模版210可以被夹到掩模版台200。掩模版台200可以执行扫描。在图1至3中，掩模版210可以包括彼此相反的第一表面210a和第二表面210b。掩模版210可以包括形成在掩模版的第一表面210a上的图案区域215。从第一子腔室110输出的曝光光可以入射在掩模版的在该处形成图案区域215的第一表面210a上。图案区域215可以包括用于吸收从源400本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻装置，包括：掩模版，具有彼此相反的第一表面和第二表面以及形成在所述第一表面上的图案区域；掩模版台，面对所述掩模版的所述第二表面，所述掩模版台用于夹住所述掩模版；以及电源，用于提供负电压到所述掩模版的所述第一表面以便防止颗粒吸附在所述掩模版上。

【技术特征摘要】
2016.12.12 KR 10-2016-01686351.一种光刻装置，包括：掩模版，具有彼此相反的第一表面和第二表面以及形成在所述第一表面上的图案区域；掩模版台，面对所述掩模版的所述第二表面，所述掩模版台用于夹住所述掩模版；以及电源，用于提供负电压到所述掩模版的所述第一表面以便防止颗粒吸附在所述掩模版上。2.如权利要求1所述的光刻装置，还包括电子供给源以提供电子到在所述掩模版的所述第一表面上的或者在所述掩模版的周边上的所述颗粒。3.如权利要求1所述的光刻装置，还包括电场帘以调节在所述掩模版的所述第一表面上或者在所述掩模版的所述周边上的所述颗粒的移动方向，其中所述电场帘包括至少一个导体。4.如权利要求3所述的光刻装置，其中：所述导体被施加有负电压，并且所述电场帘通过施加排斥力到所述颗粒而引起所述颗粒远离所述掩模版移动。5.如权利要求3所述的光刻装置，其中：所述导体被施加有正电压，并且所述电场帘通过在所述颗粒到达所述掩模版之前向所述颗粒施加吸引力而捕获所述颗粒。6.如权利要求3所述的光刻装置，其中：所述电场帘包括将被施加有负电压的第一导体和将被施加有正电压的第二导体，并且所述电场帘在从所述第一导体到所述第二导体的方向上移动所述颗粒。7.如权利要求3所述的光刻装置，其中所述导体连接到所述掩模版。8.如权利要求3所述的光刻装置，其中所述导体连接到所述掩模版台。9.如权利要求1所述的光刻装置，其中所述掩模版用静电力被夹到所述掩模版台。10.一种光刻装置，包括：掩模版，具有彼此相反的第一表面和第二表面以及形成在所述第一表面上的图案区域；掩模版台，面对所述掩模版的所述第二表面，所述掩模版台用于夹住所述掩模版；以及电场帘，布置为调节在所述掩模版的所述第一表面上或者在所述掩模版的周边上的颗粒的移动方向，并且所述电场帘包括至少一个导体。11.如权利要求10所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金度亨，金成洙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR