氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板技术

本发明专利技术提供一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，包括：在衬底上形成源漏金属层；对所述源漏金属层进行干法刻蚀，以形成源极和漏极。相应地，本发明专利技术还提供一种氧化物薄膜晶体管和阵列基板。本发明专利技术有利于减小氧化物薄膜晶体管所占区域的面积，进而有利于实现高分辨率。

Oxide thin film transistor and its manufacturing method, array substrate

The invention provides a method for making oxide thin film transistors, including the formation of a source leakage metal layer on a substrate, and dry etching of the source leakage metal layer to form a source and a drain. Accordingly, the invention also provides an oxide thin film transistor and an array substrate. The invention is beneficial to reduce the area of the area occupied by the oxide thin film transistor, and further to achieve high resolution.

【技术实现步骤摘要】
氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种氧化物薄膜晶体管的制作方法、氧化物薄膜晶体管、阵列基板。
技术介绍
随着液晶显示装置尺寸不断增大，驱动电路的频率不断地提高，现有的非晶硅薄膜晶体管迁移率很难满足，而由于金属氧化物薄膜晶体管迁移率高，均一性好，透明，制作工艺简单，可更好地满足大尺寸液晶显示器和有源有机电致发光的需求，因而备受人们的关注。显示装置的阵列基板包括多个像素区，每个像素区均设置有薄膜晶体管，薄膜晶体管所占面积与像素区域面积之比影响了像素的开口率。为防止显示功耗过大，需要将薄膜晶体管所占面积与像素区域面积之比限定在一定范围内，以保证像素达到足够的开口率。但是，目前在制作氧化物薄膜晶体管时，很难减小氧化物薄膜晶体管在衬底上所占面积，这种情况下，为了保证像素的开口率，就难以减小像素的整体面积，从而给显示产品分辨率的提高带来难度。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种氧化物薄膜晶体管的制作方法、氧化物薄膜晶体管、阵列基板，以有利于提高显示产品的分辨率。为了解决上述技术问题之一，本专利技术提供一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，包括：在衬底上形成源漏金属层；对所述源漏金属层进行干法刻蚀，以形成源极和漏极。优选地，所述制作方法还包括：形成有源层，所述有源层位于所述源漏金属层与所述衬底之间；所述有源层包括源极连接部、漏极连接部和位于所述源极连接部与所述漏极连接部之间的中间部；所述源极覆盖所述源极连接部并与所述源极接触部电连接，所述漏极覆盖所述漏极连接部并与所述漏极接触部电连接；形成阻挡材料层，所述阻挡材料层至少覆盖所述有源层的中间部，并且，在相同的干法刻蚀条件下，所述源漏金属层与所述阻挡材料层的刻蚀选择比大于10；其中，所述阻挡材料层在对所述源漏金属层进行干法刻蚀之前形成。优选地，所述阻挡材料层采用导电材料制成；在形成源极和漏极之后还包括：对所述阻挡材料层进行湿法刻蚀，以至少将覆盖所述有源层的中间部的阻挡材料层去除。优选地，所述导电材料包括金属。优选地，所述金属包括铜，所述阻挡材料层的厚度在5nm～20nm之间。优选地，所述阻挡材料层在形成所述有源层之后形成。优选地，形成所述有源层的步骤包括：形成有源材料层；对所述有源材料层进行刻蚀，以形成所述有源层；所述阻挡材料层在形成有源材料层之后且对所述有源材料层进行刻蚀之前形成；所述阻挡材料层覆盖整个衬底，在对有源材料层进行刻蚀的步骤中，还对所述阻挡材料层进行刻蚀，以去除所述有源层所在区域之外的阻挡材料层。优选地，所述有源层、所述源极和所述漏极通过同一次构图工艺形成，该构图工艺包括：形成有源材料层、所述源漏金属层和光刻胶层；对所述光刻胶层进行阶梯曝光并显影，以使得所述有源层的源极连接部和漏极连接部所在区域的光刻胶厚度大于所述有源层的中间部所在区域的光刻胶厚度，所述有源层所在区域以外区域的光刻胶被去除，所述有源层的中间部所在区域的光刻胶厚度大于零；对所述源漏金属层进行第一次干法刻蚀，以形成中间电极；对所述有源材料层进行湿法刻蚀，以形成所述有源层；对所述光刻胶层进行灰化，以去除所述中间部所在区域的光刻胶；对所述中间电极进行第二次干法刻蚀，以形成源极和漏极；其中，所述阻挡材料层在形成所述有源材料层之后且形成所述源漏金属层之前形成；所述阻挡材料层覆盖整个所述衬底，在对所述有源材料层进行湿法刻蚀的步骤中，还对所述阻挡材料层进行刻蚀，以去除所述有源层所在区域之外的阻挡材料层。相应地，本专利技术还提供一种氧化物薄膜晶体管，所述氧化物薄膜晶体管采用本专利技术提供的上述制作方法制成。相应地，本专利技术还提供一种阵列基板，包括本专利技术提供的上述氧化物薄膜晶体管。在本专利技术中，采用干法刻蚀工艺对源漏金属层进行刻蚀，来形成包括源极和漏极。由于干法刻蚀时，对金属的横向刻蚀作用很小，因此，刻蚀后的电极的关键尺寸与设计值基本相同，那么，在设计时，就可以直接将源极和漏极的关键尺寸设计得较小，从而减小氧化物薄膜晶体管在衬底上所占的面积，进而有利于显示产品实现高分辨率。另外，干法刻蚀时，由于不存在刻蚀液将掩膜图形冲走的现象，因此，也有利于刻蚀形成尺寸较小的源极和漏极，从而有利于显示产品实现高分辨率。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1是本专利技术实施例中氧化物薄膜晶体管的第一种制作方法流程图；图2a至图2g是本专利技术实施例中氧化物薄膜晶体管的第一种制作过程中的结构示意图；图3是本专利技术实施例中氧化物薄膜晶体管的第二种制作方法流程图；图4a至图4e是本专利技术实施例中氧化物薄膜晶体管的第二种制作过程中的结构示意图；图5是本专利技术实施例中氧化物薄膜晶体管的第三种制作方法流程图；图6a至图6g是本专利技术实施例中氧化物薄膜晶体管的第三种制作过程中的结构示意图。其中，附图标记为：10、衬底；20、栅极；30、栅极绝缘层；40、有源层；40a、有源材料层；41、源极连接部；42、漏极连接部；43、中间部；50、阻挡材料层；60、源漏金属层；61、源极；62、漏极；PR、光刻胶层。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。作为本专利技术的一方面，提供一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，包括：在衬底上形成源漏金属层。之后，对所述源漏金属层进行干法刻蚀，以形成源极和漏极。现有技术在制作氧化物薄膜晶体管的过程中，在对源漏金属层进行刻蚀以形成源极和漏极时，通常会采用湿法刻蚀的方式，而由于湿法刻蚀不仅会对金属进行纵向刻蚀，也会对金属进行明显的横向刻蚀，从而导致湿法刻蚀后形成的源极和漏极的关键尺寸会比设计值小很多，因此，在设计时，需要将源极和漏极的关键尺寸设计得较大，导致氧化物薄膜晶体管所占面积较大，从而减小阵列基板上的像素数量。进而不利于显示装置实现高分辨率。另外，在形成宽度较小的电极时，由于掩膜图形的宽度较小，因此，当采用湿法刻蚀的方式进行刻蚀时，刻蚀液会将宽度较小的掩膜图形冲走。这也就导致了无法利用湿法刻蚀形成尺寸较小的源极和漏极，从而不利于显示装置实现高分辨率。而在本专利技术采用干法刻蚀工艺对源漏金属层进行刻蚀，来形成包括源极和漏极。由于干法刻蚀时，对金属的横向刻蚀作用很小，因此，刻蚀后的电极的关键尺寸与设计值基本相同，那么，在设计时，就可以直接将源极和漏极的关键尺寸设计得较小，从而减小氧化物薄膜晶体管在衬底上所占的面积，进而有利于显示装置实现高分辨率。另外，干法刻蚀时，由于不存在刻蚀液将掩膜图形冲走的现象，因此，也有利于刻蚀形成尺寸较小的源极和漏极，从而有利于显示装置实现高分辨率。优选地，所述制作方法还包括：形成有源层，所述有源层位于所述源漏金属层与所述衬底之间；所述有源层包括源极连接部、漏极连接部和位于所述源极连接部与所述漏极连接部之间的中间部；所述源极覆盖所述源极连接部并与所述源极接触部电连接，所述漏极覆盖所述漏极连接部并与所述漏极接触部电连接。其中，所述有源层可以采用诸如铟镓锌氧化物(IGZO)等氧化物制成。应当理解的是，本专利技术的“覆盖”是指全部覆盖，例如，所述源极覆盖本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上形成源漏金属层；对所述源漏金属层进行干法刻蚀，以形成源极和漏极。

【技术特征摘要】
1.一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上形成源漏金属层；对所述源漏金属层进行干法刻蚀，以形成源极和漏极。2.根据权利要求1的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：形成有源层，所述有源层位于所述源漏金属层与所述衬底之间；所述有源层包括源极连接部、漏极连接部和位于所述源极连接部与所述漏极连接部之间的中间部；所述源极覆盖所述源极连接部并与所述源极接触部电连接，所述漏极覆盖所述漏极连接部并与所述漏极接触部电连接；形成阻挡材料层，所述阻挡材料层至少覆盖所述有源层的中间部，并且，在相同的干法刻蚀条件下，所述源漏金属层与所述阻挡材料层的刻蚀选择比大于10；其中，所述阻挡材料层在对所述源漏金属层进行干法刻蚀之前形成。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述阻挡材料层采用导电材料制成；在形成源极和漏极之后还包括：对所述阻挡材料层进行湿法刻蚀，以至少将覆盖所述有源层的中间部的阻挡材料层去除。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述导电材料包括金属。5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述金属包括铜，所述阻挡材料层的厚度在5nm～20nm之间。6.根据权利要求2至5中任意一项所述的制作方法，其特征在于，所述阻挡材料层在形成所述有源层之后形成。7.根据权利要求3至5中任意一项所述的制作方法，其特征在于，形成所述有源层的步骤包括：形成有源材料层；对所述有源材料层进行刻蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁策，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11