机台的调试方法和机台技术

一种机台的调试方法和机台，所述调试方法包括：提供机台，所述机台工艺腔腔壁上具有金属网格；采用含N的氧化气体对所述金属网格进行钝化处理，在所述金属网格表面形成钝化层。由于所述氧化气体为含N的氧化气体，所述氧化气体的氧化速率较高，能够有效的提高形成所述钝化层的效率，缩短调试时间，从而有利于提高所述机台的利用率；此外由于所述氧化气体包含有N，所以所形成钝化层为含N钝化层，因此所述钝化层的致密度较高，阻挡能力较强，能够有效提高所形成钝化层的阻挡能力，避免金属网格内部自由电子被激发，有利于降低自由电子损伤产品的几率；而且还能够有效的扩大所述机台的适用范围，有利于提高所述机台的利用率。

The debugging method and machine platform of the machine platform

A debug method and a machine platform of a machine table include: providing a machine table with a metal mesh on the chamber wall of the process chamber, passivating the metal mesh by an oxidizing gas containing N, and forming a passivation layer on the surface of the metal mesh. Since the oxidizing gas is an oxidizing gas containing N, the oxidation rate of the oxidizing gas is high, which can effectively improve the efficiency of the formation of the passivation layer, shorten the commissioning time, and thus improve the utilization of the machine. In addition, the oxidation gas contains the N, so the passivation layer is composed of a N passivation layer. Therefore, the densification of the passivation layer is higher and the blocking ability is stronger. It can effectively improve the barrier ability of the passivation layer, avoid the free electrons in the metal mesh to be excited and reduce the probability of the free electron damaged product, and can also effectively expand the scope of application of the machine, which is beneficial to the improvement of the equipment. The utilization rate of the machine is described.

【技术实现步骤摘要】
机台的调试方法和机台
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种机台的调试方法和机台。
技术介绍
随着集成电路制造技术的不断发展，人们对集成电路的集成度和性能的要求变得越来越高。为了提高集成度，降低成本，元器件的关键尺寸不断变小，集成电路内部的电路密度越来越大。集成电路制造过程中，通常采用光刻技术实现半导体器件的制造。具体的，通过投影、显影等工艺，使掩膜上的图形转移至半导体材料上的光刻胶层内，形成图形化的光刻胶层；之后通过刻蚀、沉积等工艺使光刻胶层的图形转移至半导体材料上，从而形成二极管、三极管、电阻、电容等元件及其相互之间的连线。在半导体材料实现图形化之后，光刻胶层需要被去除，以避免光刻胶层干扰之后的半导体工艺。现有技术中，通常是通过灰化机台，采用灰化的方式实现光刻胶层的去除。半导体机台在使用一段时间之后需要进行定期维护(PeriodicalMaintain，PM)，以提高机台半导体工艺的稳定性，改善工艺质量。现有技术中，对机台进行定期维护会引起机台利用率低下的问题。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种机台的调试方法和机台，以提高机台利用率、缩短机台调试时间。为解决上述问题，本专利技术提供一种机台的调试方法，包括：提供机台，所述机台工艺腔腔壁上具有金属网格；采用含N的氧化气体对所述金属网格进行钝化处理，在所述金属网格表面形成钝化层。可选的，进行钝化处理的步骤中，所述含N氧化气体包括：O2和N2H2。可选的，进行钝化处理的步骤中，O2的流量在3500sccm到4500sccm范围内。可选的，进行钝化处理的步骤中，N2H2的流量在600sccm到1000sccm范围内。可选的，进行钝化处理的步骤中，钝化处理的时间在6小时到10小时范围内。可选的，进行钝化处理的步骤中，工艺温度在240℃到260℃范围内。可选的，进行钝化处理的步骤中，功率范围在850W到950W范围内。可选的，进行钝化处理的步骤中，所述钝化层的厚度在到范围内。可选的，提供机台的步骤中，所述金属网格的材料为Al。可选的，提供机台的步骤中，所述机台为用于去除光刻胶的机台。可选的，提供机台的步骤中，所述机台工艺腔腔壁上具有开口；所述机台还包括用于传输工艺气体的管道，所述管道的管腔与所述开口连通；所述金属网格位于所述管道与所述工艺腔腔壁的连接处。相应的，本专利技术还提供一种机台，包括：工艺腔，所述工艺腔腔壁上具有金属网格；位于所述金属网格表面的钝化层，所述钝化层为含N钝化层。可选的，所述钝化层的厚度在到范围内。可选的，所述钝化层的材料包括氮氧化物。可选的，所述金属网格的材料为Al。可选的，所述机台为用于去除光刻胶的机台。可选的，所述机台工艺腔腔壁上具有开口；所述机台还包括用于传输工艺气体的管道，所述管道的管腔与所述开口连通；所述金属网格位于所述管道与所述工艺腔腔壁的连接处。与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：本专利技术技术方案，采用含N的氧化气体对所述金属网格进行钝化处理，在所述金属网格表面形成钝化层。由于所述氧化气体为含N的氧化气体，所述氧化气体的氧化速率较高，能够有效的提高形成所述钝化层的效率，缩短调试时间，从而有利于提高所述机台的利用率；此外由于所述氧化气体包含有N，所以所形成钝化层为含N钝化层，因此所述钝化层的致密度较高，阻挡能力较强，能够有效提高所形成钝化层的阻挡能力，避免金属网格内部自由电子被激发，有利于降低自由电子损伤产品的几率；而且还能够有效的扩大所述机台的适用范围，有利于提高所述机台的利用率。本专利技术可选方案中，进行钝化处理过程中，所述含N氧化气体包括：O2和N2H2。在N2H2的催化作用下，O2解离更充分，因此所述含N氧化气体具有较强的氧化性，能够有效的提高所述含N氧化气体的氧化能力和氧化速率，能够有效的缩短调试时间，有利于提高所述机台的利用率。本专利技术可选方案中，进行钝化处理的过程中，O2的流量在3500sccm到4500sccm范围内。与O2流量在3500sccm以下的技术方案相比，O2的流量的增大能够有效提高进行钝化处理过程中所述含N氧化气体的氧化能力和氧化效率，从而有利于提高所述机台的利用率。附图说明图1是本专利技术机台的结构示意图；图2是图1所示实施例中金属网格的俯视结构示意图；图3是图1所示实施例中机台沿进气方向的剖面结构示意图；图4是不同机台采用不同调试方法所形成钝化层厚度的关系图；图5是本专利技术机台一实施例的结构示意图；图6是图5所示实施例中金属网格沿所述管道延伸方向的俯视结构示意图；图7是图6所示实施例中沿AA线的剖视结构示意图。具体实施方式由
技术介绍
可知，对机台进行定期维护会引起机台利用率低下的问题。现结合一种灰化机台调试方法分析其机台利用率低下问题的原因：灰化机台中，用于通入工艺气体的管道与工艺腔体连接处，设置有金属网格。所述金属网格用于使通入的工艺气体均匀化，还用于过滤工艺气体中的电荷。灰化机台定期维护时，金属网格会被更换，以提高灰化机台的灰化质量。由于金属网格内部存在大量能够移动的自由电子，而定期维护更换之后，新的金属网格表面的钝化层致密度较低，无法实现有效的隔离。因此在工艺过程中，金属网格内部的自由电子会被工艺过程中的等离子体激发至晶圆上，在晶圆表面出现电荷积累的现象。晶圆表面的电荷积累，会增加晶圆上所形成半导体结构中用于实现电隔离介质层受损的可能，会提高介质层被击穿的几率。例如，用于实现栅极与沟道之间电隔离的栅氧层会由于电荷积累而出现损伤，从而导致晶圆接收测试(WaferAcceptanceTest，WAT)中，栅极和衬底之间电压(BulkGateVoltage，VBG)测试的失败。所以在定期维护更换金属网格之后，所述灰化机台需要进行调试。所述调试方法包括：提供金属网格；采用O2等离子体对所述金属网格进行钝化处理，在所述金属网格表面形成钝化层。由于调试过程采用O2对金属网格进行钝化，所形成钝化层的致密度较小，难以有效的防止金属网格内部的自由电子被激发，因此所述灰化机台难以用于加工一些对电荷积累敏感的产品，从而降低了所述灰化机台的利用率。而且调试过程采用O2对金属网格进行钝化，O2的氧化效率偏低，所以为了能够形成足够厚度的钝化层，避免自由电子的影响，需要延长调试时间(一般情况下需要调试时间为三天)。调试时间的延长也会导致机台利用率低下的问题。为解决所述技术问题，本专利技术提供一种机台的调试方法，包括：提供机台，所述机台工艺腔腔壁上具有金属网格；采用含N的氧化气体对所述金属网格进行钝化处理，在所述金属网格表面形成钝化层。本专利技术技术方案，采用含N的氧化气体对所述金属网格进行钝化处理，在所述金属网格表面形成钝化层。由于所述氧化气体为含N的氧化气体，所述氧化气体的氧化速率较高，能够有效的提高形成所述钝化层的效率，缩短调试时间，从而有利于提高所述机台的利用率；此外由于所述氧化气体包含有N，所以所形成钝化层为含N钝化层，因此所述钝化层的致密度较高，阻挡能力较强，能够有效提高所形成钝化层的阻挡能力，避免金属网格内部自由电子被激发，有利于降低自由电子损伤产品的几率；而且还能够有效的扩大所述机台的适用范围，有利于提高所述机台的利用率。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种机台的调试方法，其特征在于，包括：提供机台，所述机台工艺腔腔壁上具有金属网格；采用含N的氧化气体对所述金属网格进行钝化处理，在所述金属网格表面形成钝化层。

【技术特征摘要】
1.一种机台的调试方法，其特征在于，包括：提供机台，所述机台工艺腔腔壁上具有金属网格；采用含N的氧化气体对所述金属网格进行钝化处理，在所述金属网格表面形成钝化层。2.如权利要求1所述的调试方法，其特征在于，进行钝化处理的步骤中，所述含N氧化气体包括：O2和N2H2。3.如权利要求1所述的调试方法，其特征在于，进行钝化处理的步骤中，O2的流量在3500sccm到4500sccm范围内。4.如权利要求1所述的调试方法，其特征在于，进行钝化处理的步骤中，N2H2的流量在600sccm到1000sccm范围内。5.如权利要求1所述的调试方法，其特征在于，进行钝化处理的步骤中，钝化处理的时间在6小时到10小时范围内。6.如权利要求1所述的调试方法，其特征在于，进行钝化处理的步骤中，工艺温度在240℃到260℃范围内。7.如权利要求1所述的调试方法，其特征在于，进行钝化处理的步骤中，功率范围在850W到950W范围内。8.如权利要求1所述的调试方法，其特征在于，进行钝化处理的步骤中，所述钝化层的厚度在到范围内。9.如权利要求1所述的调试方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张校平，叶星，代大全，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31