一种低弯曲度晶硅电池片的制备方法及铝背场分割结构技术

技术编号:18291206 阅读:79 留言:0更新日期:2018-06-24 06:39
本发明专利技术公开了一种低弯曲度晶硅电池片的制备方法及铝背场分割结构,将铝背场分割成多个区域,区域之间采用分隔带分割,相邻两个区域之间用桥连接的方式。采用分隔的铝背场,可以有效释放热应力而降低弯曲度,降低碎片率、满足薄片的生产。

【技术实现步骤摘要】
一种低弯曲度晶硅电池片的制备方法及铝背场分割结构
本专利技术涉及一种低弯曲度晶硅电池片的制备方法及铝背场分割结构,具体涉及晶硅太阳能电池的弯曲度改善、铝背场图形优化,属于晶硅太阳能电池制备工艺

技术介绍
如何提高电池片转换效率和降低制作成本一直是光伏行业永恒的话题。电池成本50%以上来自硅片成本,金刚线切割、减薄硅片等技术是目前降低硅片成本的主要手段。关于薄片技术,单、多晶硅片厚度从320μm、270μm、230μm一致降低到了180μm,并正在向150μm或更薄发展。但薄片化是一柄双刃剑,薄片可以减低成本,但碎片率也会增加,这也是制约薄片推广的主要因素之一。如何降低薄片的弯曲度是业内的主要研究课题。传统电池工艺采用低成本、印刷铝浆的方式制备铝背场提升电池片转换效率,铝浆和硅片不同的热膨胀系数导致电池片不同程度的弯曲。铝背场所用图形均采用连续非间断的铝背场收集载流子运输到电池片正极,确保了电池片的电性能(如图1常规MWT背电场图形所示)。目前,关于降低弯曲度主要寄托于选用不同厂家、型号的铝浆,在电性能和弯曲度之间平衡。专利CN200810060641.0通过优化烧结工艺降低本文档来自技高网...
一种低弯曲度晶硅电池片的制备方法及铝背场分割结构

【技术保护点】
1.一种低弯曲度晶硅电池片的制备方法,其特征在于,在背电极制备步骤之后,将铝背场分割成多个区域,区域之间采用分隔带分割,相邻两个区域之间用桥连接的方式降低弯曲度。

【技术特征摘要】
1.一种低弯曲度晶硅电池片的制备方法,其特征在于,在背电极制备步骤之后,将铝背场分割成多个区域,区域之间采用分隔带分割,相邻两个区域之间用桥连接的方式降低弯曲度。2.如权利要求1所述的低弯曲度晶硅电池片的制备方法,其特征在于,铝背场分割区域数量为2-10000个。3.如权利要求1所述的低弯曲度晶硅电池片的制备方法,其特征在于,分割方式采用井型或同心圆等图形。4.一种低弯曲度晶硅电池片的铝背场分割结构,其特征在于,铝背场分割成多个区域,区域之间通过分隔带隔开,相邻两个区域之间设有连接桥。5.一种低弯曲度晶硅电池片的铝...

【专利技术属性】
技术研发人员:李质磊安欣睿逯好峰吴仕梁路忠林盛雯婷张凤鸣
申请(专利权)人:南京日托光伏科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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