The invention discloses a double sided cadmium telluride thin film solar cell and its preparation method, which in turn includes a glass substrate layer, a transparent conductive film layer, a window layer, an absorption layer, a back contact layer, a back electrode layer, a packaging material layer and a back plate glass layer. The material is made of indium oxide with tungsten. The invention uses the P type copper thiocyanate as the back contact layer and the indium oxide as the back electrode layer, realizing the transparent back electrode of the cadmium telluride battery, thus realizing the double side power generation and improving the power generation of the battery. At the same time, the strong P type back contact can improve the internal electric field, raise the Voc and FF of the cadmium telluride solar cell, and then, The performance of the battery is improved. One
【技术实现步骤摘要】
一种双面发电的碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法
本专利技术涉及一种双面发电的碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法,属于太阳能电池
技术介绍
碲化镉薄膜太阳能电池是以CdTe为吸收材料的一种化合物半导体薄膜太阳电池,因其禁带宽度最佳,弱光效应好,吸光系数大,理论转化效率高、制造成本低等特点受到很多科研机构和企业的关注。碲化镉理论转化效率高达28%,量产最高转化效率已经超过了22%,且仍具有广阔的发展空间。但是目前碲化镉薄膜太阳能电池中背接触层为碳浆背接触层,背电极为金属层背电极,而碳浆和金属都不透明,导致碲化镉薄膜太阳能电池的吸收层无法从背面吸收太阳光,导致碲化镉太阳能电池无法做到双面发电,进一步提高其转换效率。
技术实现思路
有鉴于此,针对现有技术的不足,本专利技术提供一种可双面发电的碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法。为解决以上技术问题,本专利技术的技术方案首先提供了一种双面发电的碲化镉薄膜太阳能电池,它依次包括玻璃衬底层、透明导电膜层、窗口层、吸收层、背接触层、背电极层、封装材料层和背板玻璃层,其特征在于:所述背接触层的材料选用硫氰酸亚铜,背电极层的材料选用掺钨氧化铟。进一步的,所述玻璃衬底层的材料选自普通浮法玻璃、超白玻璃、钢化玻璃和半钢化玻璃。进一步的,所述透明导电膜层的材料选自掺氟的氧化锡。进一步的,所述窗口层的材料为硫化镉,吸收层的材料为碲化镉。进一步的,所述封装材料层的材料选自POE、EVA和PVB。进一步的,所述背板玻璃层的材料选自钢化玻璃和半钢化玻璃。同时,本专利技术还提供了上述双面发电的碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法,它包括以下步骤:( ...
【技术保护点】
1.一种双面发电的碲化镉薄膜太阳能电池,依次包括玻璃衬底层、透明导电膜层、窗口
【技术特征摘要】
1.一种双面发电的碲化镉薄膜太阳能电池,依次包括玻璃衬底层、透明导电膜层、窗口层、吸收层、背接触层、背电极层、封装材料层和背板玻璃层,其特征在于:所述背接触层的材料选用硫氰酸亚铜,背电极层的材料选用掺钨氧化铟。2.根据权利要求1所述的一种双面发电的碲化镉薄膜太阳能电池,其特征在于:所述玻璃衬底层的材料选自普通浮法玻璃、超白玻璃、钢化玻璃和半钢化玻璃。3.根据权利要求1所述的一种双面发电的碲化镉薄膜太阳能电池,其特征在于:所述透明导电膜层的材料选自掺氟的氧化锡。4.根据权利要求1所述的一种双面发电的碲化镉薄膜太阳能电池,其特征在于:所述窗口层的材料为硫化镉,吸收层的材料为碲化镉。5.根据权利要求1所述的一种双面发电的碲化镉薄膜太阳能电池,其特征在于:所述封装材料层的材料选自POE、EVA和PVB。6.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员:彭寿,马立云,潘锦功,殷新建,杨少飞,
申请(专利权)人:成都中建材光电材料有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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