【技术实现步骤摘要】
一种低成本的MWT太阳能电池正电极的制备方法
本专利技术涉及一种低成本的MWT太阳能电池正电极的制备方法,属于MWT太阳能电池组件加工
技术介绍
目前,晶体硅太阳能技术包括异质结太阳能电池(HIT),背电极接触硅太阳能电池(IBC),发射极环绕穿通硅太阳能电池(EWT),激光刻槽埋栅电池,倾斜蒸发金属接触硅太阳能电池(OECO)及金属穿孔卷绕硅太阳能电池(MWT)等,其中MWT电池因其效率高,遮光面积小以及更好的外观特点受到越来越多的关注。MWT晶硅太阳能电池是通过激光钻孔将受光面收集的能量穿过电池转移至电池背光面的电极,以减少受光面的遮光面积来达到提高转换效率的目的。如图1所示,现有技术在制备MWT太阳能电池背光面电极时,如申请号CN201410016190.6和专利CN201410844698.5均沿用传统常规电池电极的制备方法,即采用特殊银或银铝浆料、丝网印刷的方式,一次印刷制备背光面的正、负电极(分别为图1中的标号3、标号2)。其中,负电极区为激光打孔区,连接受光面的正面电极栅线。采用此方法在制备负电极时,由于要兼顾堵住电池片的电极孔和组件焊接的 ...
【技术保护点】
1.一种低成本的MWT太阳能电池正电极的制备方法,其特征在于:在背面电极制备过程中,采用MWT填孔银浆,使用网版印刷制备MWT背面电极,MWT背面电极,包括负电极、正电极,负极区和正极区,负极区为负电极所在列延伸形成的条形区域,正极区为正电极所在列延伸形成的条形区域,负极区与正极区邻接,负极区和正极区的网版膜厚不同。
【技术特征摘要】
1.一种低成本的MWT太阳能电池正电极的制备方法,其特征在于:在背面电极制备过程中,采用MWT填孔银浆,使用网版印刷制备MWT背面电极,MWT背面电极,包括负电极、正电极,负极区和正极区,负极区为负电极所在列延伸形成的条形区域,正极区为正电极所在列延伸形成的条形区域,负极区与正极区邻接,负极区和正极区的网版膜厚不同。2.如权利要求1所述的低成本的MWT太阳能电池正电极的制备方法,其特征在于:所述负极区的网版膜厚大于和正极区的网版膜厚。3.如权利要求1所述的低成本的MWT太阳能电池正电极的制备方法,其特征在于:所述正极区膜厚为5μm,负极区膜厚为20μm。4.如权利要求1所述的低成本的MWT太阳能电池正电极的制备方法,其特征在于:所述多个正极区的宽度相等。5.一种低成本的MWT太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)硅片:采用太阳能级P型单晶或多晶硅片作为衬底;(2)激光打孔:在硅片上激光开孔,孔洞为N×N的阵列,孔洞形状为圆心、方形或锥形等...
【专利技术属性】
技术研发人员:李质磊,吴仕梁,路忠林,盛雯婷,张凤鸣,
申请(专利权)人:南京日托光伏科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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