一种太阳能电池及其制备方法技术

技术编号:19147130 阅读:188 留言:0更新日期:2018-10-13 09:47
本发明专利技术公开一种太阳能电池及其制备方法,涉及太阳能电池技术领域,为提高太阳能电池的光电转换效率而设计。所述太阳能电池包括基层衬底;在所述基层衬底上且沿背离所述基层衬底方向层叠设置的背电极层、光吸收层、缓冲层和窗口层;其中,所述背电极层与所述光吸收层相接触的表面为三维结构。本发明专利技术提供的太阳能电池及其制备方法可提高太阳能电池的光电转换效率。

Solar cell and preparation method thereof

The invention discloses a solar cell and a preparation method thereof, which relates to the technical field of solar cells and is designed to improve the photoelectric conversion efficiency of solar cells. The solar cell comprises a base substrate, a back electrode layer, an optical absorption layer, a buffer layer and a window layer which are laminated on the base substrate and in the direction away from the base substrate, wherein the back electrode layer contacts the light absorption layer with a three-dimensional structure. The solar cell provided by the invention and the preparation method thereof can improve the photoelectric conversion efficiency of the solar cell.

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及其制备方法
本专利技术涉及太阳能电池
,尤其涉及一种太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
薄膜太阳能电池相比一般晶硅太阳能电池具有柔性好、发电量高,弱光性能和高温性能优异,以及轻量化等优点,已被广泛的应用。其中,CIS(铜铟锡)基薄膜太阳能电池的应用范围更广。目前现有的CIS基薄膜太阳能电池的典型制备方法为:首先在基层衬底上通过磁控溅射工艺制备一层均匀的Mo薄膜作为背电极层;再在背电极层上通过共蒸发法或者溅射硒化法等工艺制备一层均匀的CIS基吸收层;在CIS基吸收层之上再依次用化学水浴法或溅射法制备缓冲层、用磁控溅射法制备n型层和TCO窗口层,最后制备栅线电极。通过该方法制备的CIS基薄膜太阳能电池,光吸收量少和载流子复合多是影响该CIS基薄膜太阳能电池效率损失的主要来源,若通过增加CIS基吸收层的厚度提高光吸收量,造成的结果是不仅提高了制造成本,还导致载流子复合增加,这样与减少载流子复合相悖;若通过减小CIS基吸收层的厚度减少载流子复合,但是又将降低光吸收量,所以研发一种既能提高光吸收量,又可减小载流子复合的太阳能电池是目前亟待解决的技术问题
技术实现思路
本专利本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:基层衬底;和在所述基层衬底上且沿背离所述基层衬底方向层叠设置的背电极层、光吸收层、缓冲层和窗口层;其中,所述背电极层的与所述光吸收层相接触的表面为三维结构。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:基层衬底;和在所述基层衬底上且沿背离所述基层衬底方向层叠设置的背电极层、光吸收层、缓冲层和窗口层;其中,所述背电极层的与所述光吸收层相接触的表面为三维结构。2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述背电极层与所述光吸收层相接触的表面上具有凸出部和/或凹陷部,所述凸出部和/或凹陷部形成所述三维结构。3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述凸出部的高度为10nm~500nm。4.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述凹陷部的深度为10nm~500nm。5.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述凸出部包括多个条状结构和/或多个点状结构。6.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述凹陷部包括多个条状结构和/或多个点状结构。7.根据权利要求5或6所述的太阳能电池,其特征在于,相邻两个所述条状结构之间的间距为10nm~1000nm。8.根据权利要求5或6所述的太阳能电池,其特征在于,多个所述点状结构分成多个点状结构组,每个所述点状结构组由位于同一条直线上的点状结构组成,且相邻两个所述点状结构组之间的间距为10nm~100...

【专利技术属性】
技术研发人员:白安琪王雪戈
申请(专利权)人:北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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