铸锭边皮和头料的拉制提纯方法技术

铸锭边皮和头料的拉制提纯方法，涉及太阳能单晶硅的的生产技术领域。先将预处理好的材料，按电阻率进行配比；再装炉，抽空，加热融化；在１４２０℃～１４６０℃下保持高温蒸发２～３个小时；引晶拉制，拉制时先把漂浮在液面的杂质提出，再拉制出多晶硅棒。通过以上工艺后，再进行酸洗，才能去除铸锭中生产边皮和头料杂质，从而保障拉制的单晶硅的品质，保障其电阻大于０．５之上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能单晶硅的的生产

技术介绍
拉制太阳能单晶硅的方法是通过辐射热对多晶硅原料进行熔化，在石英 坩锅中，通过转动形成柱状单晶硅，然后取出圆柱形单晶硅。由于在铸锭中 生产边皮和头料杂质，这些产品的品质较差，不能用于单晶硅的拉拉制。为 了拉制合格的单晶硅，必须先进行提纯。提纯分材料预处理、拉制提纯、酸 洗三大步骤。
技术实现思路
本专利技术目的在于专利技术一种对铸锭中生产边皮和头料的拉制提纯方法。 本专利技术包括以下歩骤1、 将预处理好的材料，按电阻率进行配比；2、 装炉，抽空，加热融化；3、 保持142(TC 1460。C的高温蒸发2 3个小时；4、 引晶拉制，拉制时先把漂浮在液面的杂质提出，再拉制出多晶硅棒。通过以上工艺后，再进行酸洗，才能去除铸锭中生产边皮和头料杂质，从而保障拉制的单晶硅的品质，保障其电阻大于0.5之上。 具体实施例方式一、材料预处理1、 将分选好的材料用金刚砂轮磨去杂质点和粘附的石英。2、 将铸锭产生边皮和头料进行分选，按电阻率分类，分为0.1 0.2、0.2 0.5、 0.5 3和3以上。3、 将分选好的材料用酸进行酸洗浸泡，除去表面的杂质和石英。4、 用去离子水冲洗，将材料表面的酸冲洗干净。5、 将材料装于不锈钢盒内放入烘箱烘干，待冷却分别装袋包装。二、 拉制提纯1、 将预处理好的材料，按电阻率进行配比。2、 按正常的拉棒程序进装炉，抽空，加热融化。3、 保持142(TC 1460。C的高温蒸发2 3个小时。4、 进行引晶拉制，拉制时先把漂浮在液面的杂质提出，再拉制出多晶硅棒。三、 酸洗除杂1、 对拉制好的多晶硅棒进行型号电阻分类，要将硅棒表皮磨去检测；如 有电阻率小于0.5切断进行再提纯。2、 将检测合格的硅棒按上面过程进行除杂质、破碎、酸洗、烘干、包装。杂质的具体方法是将表皮上的硬质点和边皮上附着的石英用金刚砂轮 磨掉。酸洗的具体方法是用硝酸和氢氟酸以3: 1的体积比混合液浸泡2士0.2 小时，直至无石英杂质。烘干的具体方法是将酸泡好的材料，用去离子水冲洗干净；放入加温 脱水机，保持150 20(TC进行脱水，材料表面没有水渍后放入烘箱，在 200'C条件下保持1 2小时，然后冷却。权利要求1、，其特征在于包括以下步骤1)将预处理好的材料，按电阻率进行配比；2)装炉，抽空，加热融化；3)保持1420℃～1460℃的高温蒸发2～3个小时；4)引晶拉制，拉制时先把漂浮在液面的杂质提出，再拉制出多晶硅棒。全文摘要，涉及太阳能单晶硅的的生产
先将预处理好的材料，按电阻率进行配比；再装炉，抽空，加热融化；在1420℃～1460℃下保持高温蒸发2～3个小时；引晶拉制，拉制时先把漂浮在液面的杂质提出，再拉制出多晶硅棒。通过以上工艺后，再进行酸洗，才能去除铸锭中生产边皮和头料杂质，从而保障拉制的单晶硅的品质，保障其电阻大于0.5之上。文档编号C30B29/06GK101362602SQ20081019589公开日2009年2月11日 申请日期2008年9月18日 优先权日2008年9月18日专利技术者谭宝平 申请人:扬州市科尔光电子材料有限公司 本文档来自技高网...

【技术保护点】
铸锭边皮和头料的拉制提纯方法，其特征在于包括以下步骤：　１）将预处理好的材料，按电阻率进行配比；　２）装炉，抽空，加热融化；　３）保持１４２０℃～１４６０℃的高温蒸发２～３个小时；　４）引晶拉制，拉制时先把漂浮在液面的杂质提出，再拉制出多晶硅棒。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谭宝平，
申请(专利权)人：扬州市科尔光电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]