晶圆切割系统技术方案

本发明专利技术公开了一种晶圆切割系统，包括激光器、扩束准直系统、孔径光阑、反射镜、光学系统和样品位移系统；激光器，用于发射激光形成晶圆切割所需要的光源；扩束准直系统，用于将激光器发射的激光扩束、准直并放大；孔径光阑，用于当激光器发射的激光的M2因子超过门限值时，截取扩束准直系统形成的平行光源的中间部分；反射镜，用于改变平行光源方向，使平行光源垂直射入光学系统；光学系统，用于将激光器发射的激光整形为多焦点光斑并聚焦到晶圆内部；样品位移系统，用于放置被切割晶圆，并调整晶圆的位置。本发明专利技术采用激光器和样品位移系统等的配合使用使得激光器发出的激光能够切割随着样品位移系统上移动的晶圆，最终达到想要的尺寸的芯片。

Wafer cutting system

The invention discloses a wafer cutting system, which includes laser, collimating collimating system, aperture aperture, reflector, optical system and sample displacement system. The laser is used for emitting laser to form a wafer to form a wafer, which is used to extend, collimate and amplify the laser emitted by laser. An aperture in which the M2 factor of a laser emitted by a laser exceeds the threshold value and intercepts the middle part of a parallel light source formed by a beam extending collimation system; a mirror, used to change the direction of the parallel light source, and to make the parallel light vertically into the optical system; the optical system is used to shape the laser emitted by the laser as a multi focus light. The spot is focused on the inside of the wafer, and the sample displacement system is used to place the cut wafer and adjust the position of the wafer. The invention uses the laser and the sample displacement system to make the laser emitted by the laser can cut the wafer moving along the displacement system of the sample, and finally achieve the desired size of the chip.

【技术实现步骤摘要】
晶圆切割系统
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆切割系统。
技术介绍
在半导体制程中，通常需要将形成有集成电路的晶圆切割成一个个芯片，然后将这些芯片做成功能不同的半导体封装结构。
技术实现思路
为克服上述缺点，本专利技术的目的在于提供一种能够切割晶圆的晶圆切割系统。为了达到以上目的，本专利技术采用的技术方案是：一种晶圆切割系统，包括激光器、扩束准直系统、孔径光阑、反射镜、光学系统和样品位移系统；所述激光器，用于发射激光形成晶圆切割所需要的光源；所述扩束准直系统，用于将所述激光器发射的激光扩束、准直并放大；所述孔径光阑，用于当所述激光器发射的激光的M2因子超过门限值时，截取所述扩束准直系统形成的的平行光源的中间部分；所述反射镜，用于改变所述平行光源方向，使所述平行光源垂直射入所述光学系统；所述光学系统，用于将所述激光器发射的激光整形为多焦点光斑并聚焦到晶圆内部；所述样品位移系统，用于放置被切割晶圆，并调整所述晶圆的位置。本专利技术的有益效果：采用激光器、扩束准直系统、孔径光阑、反射镜、光学系统和样品位移系统的配合使用使得激光器发出的激光能够切割随着样品位移系统上移动的晶圆，最终达到想要的尺寸的芯片。优选地，所述扩束准直系统包括用于接收激光的输入透镜和将激光扩束并输出的输出透镜，所述输入透镜的焦距小于输出透镜的焦距。采用输入透镜的焦距小于输出透镜的焦距，两者焦距之比对应输入激光和输出激光光斑直径之比，使得激光经过扩束准直系统能够被扩束。优选地，所述输入透镜和输出透镜外表面均镀有激光增透膜。采用激光增透膜使得激光经过输入透镜和输出透镜后的投射光无分光，增加激光的通过率。优选地，所述输入透镜和输出透镜的厚度均为其自身口径直径的1/5到1/2。优选地，所述激光器包括固体激光器、光纤激光器或碟片激光器，所述激光器的波长大于1300nm，脉宽小于100纳秒，功率为瓦级，激光光束空间模式TEMOO模。优选地，所述光学系统包括沿光路方向依次设置的多焦点光学元件和聚焦系统；所述多焦点光学元件对入射激光进行相位调制，以利用调制的激光束经过聚焦后再光轴方向形成多个焦点；所述聚焦系统将经相位调制后的激光进行聚焦和缩小焦斑。优选地，所述样品位移系统包括放置样品的夹持台和位移平台，所述夹持台对晶圆进行真空吸附固定；所述位移平台与夹持台固定并能够带动所述夹持平台进行横轴、竖轴和纵轴三轴移动。附图说明图1为本专利技术的系统示意图。图中：11-激光器；12-光学系统；121-多焦点光学元件；122-聚焦系统；13-样品位移系统；14-扩束准直系统；141-输入透镜；142-输出透镜；15-反射镜；16-孔径光阑。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。参见附图1所示，本实施例中的一种晶圆切割系统，包括激光器11、扩束准直系统14、孔径光阑16、反射镜15、光学系统12和样品位移系统13；所述激光器11，用于发射激光形成晶圆切割所需要的光源；所述扩束准直系统14，用于将所述激光器11发射的激光扩束、准直并放大；所述孔径光阑16，用于当所述激光器11发射的激光的M2因子超过门限值时，截取所述扩束准直系统14形成的的平行光源的中间部分；所述反射镜15，用于改变所述平行光源方向，使所述平行光源垂直射入光学系统12；所述光学系统12，用于将所述激光器11发射的激光整形为多焦点光斑并聚焦到晶圆内部；所述样品位移系统13，用于放置被切割晶圆，并调整所述晶圆的位置。所述扩束准直系统14包括用于接收激光的输入透镜141、将激光扩束并输出的输出透镜142，所述输入透镜141的焦距小于输出透镜142的焦距。采用输入透镜141的焦距小于输出透镜142的焦距，两者焦距之比对应输入激光和输出激光光斑直径之比，使得激光经过扩束准直系统14能够被扩束。在本实施例中，所述输入透镜141和输出透镜142外表面均可镀有激光增透膜。采用激光增透膜使得激光经过输入透镜141和输出透镜142后的投射光无分光，增加激光的通过率。在本实施例中，所述输入透镜141和输出透镜142的厚度均为其自身口径直径的1/5到1/2。在本实施例中，所述激光器11包括固体激光器、光纤激光器或碟片激光器，所述激光器11的波长大于1300nm，脉宽小于100纳秒，功率为瓦级，激光光束空间模式TEMOO模。在本实施例中，所述光学系统12包括沿光路方向依次设置的多焦点光学元件121和聚焦系统122；所述多焦点光学元件121对入射激光进行相位调制，以利用调制的激光束经过聚焦后再光轴方向形成多个焦点；所述聚焦系统122将经相位调制后的激光进行聚焦和缩小焦斑。在本实施例中，所述样品位移系统13包括放置样品的夹持台131和位移平台132，所述夹持台131对晶圆进行真空吸附固定；所述位移平台132与夹持台131固定并能够带动所述夹持平台132进行横轴、竖轴和纵轴三轴移动。以上实施方式只为说明本专利技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本专利技术的内容并加以实施，并不能以此限制本专利技术的保护范围，凡根据本专利技术精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本专利技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆切割系统，包括激光器、扩束准直系统、孔径光阑、反射镜、光学系统和样品位移系统；所述激光器，用于发射激光形成晶圆切割所需要的光源；所述扩束准直系统，用于将所述激光器发射的激光扩束、准直并放大；所述孔径光阑，用于当所述激光器发射的激光的M2因子超过门限值时，截取所述扩束准直系统形成的的平行光源的中间部分；所述反射镜，用于改变所述平行光源方向，使所述平行光源垂直射入所述光学系统；所述光学系统，用于将所述激光器发射的激光整形为多焦点光斑并聚焦到晶圆内部；所述样品位移系统，用于放置被切割晶圆，并调整所述晶圆的位置。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆切割系统，包括激光器、扩束准直系统、孔径光阑、反射镜、光学系统和样品位移系统；所述激光器，用于发射激光形成晶圆切割所需要的光源；所述扩束准直系统，用于将所述激光器发射的激光扩束、准直并放大；所述孔径光阑，用于当所述激光器发射的激光的M2因子超过门限值时，截取所述扩束准直系统形成的的平行光源的中间部分；所述反射镜，用于改变所述平行光源方向，使所述平行光源垂直射入所述光学系统；所述光学系统，用于将所述激光器发射的激光整形为多焦点光斑并聚焦到晶圆内部；所述样品位移系统，用于放置被切割晶圆，并调整所述晶圆的位置。2.根据权利要求1所述的晶圆切割系统，其特征在于：所述扩束准直系统包括用于接收激光的输入透镜和将激光扩束并输出的输出透镜，所述输入透镜的焦距小于输出透镜的焦距。3.根据权利要求2所述的晶圆切割系统，其特征在于：所述输入透镜和输出透镜外表面均镀有激光增透膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖森，黄玲玲，王忠辉，
申请(专利权)人：江苏冠达通电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32