The invention discloses a preparation method of a double-sided conducting ceramic circuit board. The method includes: S1, perforation: perforated ceramic substrate on the ceramic substrate; S2 and metallization: after the cleaning of the perforated ceramic substrate, the first metal layer is coated on the surface of the perforated ceramic substrate, and the metallized ceramic substrate is obtained; S3 and graphics are obtained. Electroplating: the first metal layer on the surface of a dry film, through the graphic transfer to get line pattern, and electroplating second metal layer on the line pattern to make the hole at least part of the electroplated second metal layers of the line, to get a double-sided conduction of electroplated ceramic circuit board. The invention can obtain the double sided ceramic circuit board which is guided to realize the positive and reverse side of the ceramic substrate, and can better meet the requirements of the packaging. The ceramic circuit board with double side conduction is of high precision and can meet the application situation of the complex line.
【技术实现步骤摘要】
一种双面导通陶瓷线路板及其制备方法
本专利技术涉及陶瓷线路板制备领域,特别涉及一种双面导通陶瓷线路板及其制备方法。
技术介绍
目前,用于封装晶体管的基板主要为采用直接覆铜(DBC)工艺制备的陶瓷基板。当选用氧化铝陶瓷材料时,该种基板的导热系数为20-25W×(m×K)-1,导热性能优良;基板表面还可以根据需要刻蚀出各种图案,作为芯片焊接衬底及主电极和控制电极的焊接支架。采用该种基板的另一个重要考虑是DBC陶瓷板的表面金属层厚度较大,载流能力较强。然而,在DBC陶瓷基板的制备过程中,需要的温度较高,铜箔在高温条件下容易发生翘曲,陶瓷基片和铜箔的导热系数差异可能会导致高温下陶瓷基片表面产生裂纹;铜箔或陶瓷基片的表面处理过程中往往会生成的不连续的氧化层,致使铜箔和陶瓷板之间的过渡层(铜氧共晶层)存在着微气孔,这些微气孔会增加陶瓷基板与铜箔之间的传热阻力、降低基板各层之间的结合强度、削弱基板的抗热冲击能力。此外,DBC基板表面线路的制作采用的是化学腐蚀工艺,这使得表面图形的线宽不能小于100μm,难以满足对线路精准度要求较高的IGBT模块的封装要求。因此,需要开发出线路更高,且能满足更多复杂场合的陶瓷线路板,成为目前陶瓷线路板制备领域的发展趋势。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种双面导通陶瓷线路板及其制备方法,通过在陶瓷基板上面穿设通孔,经过清洗后在陶瓷基板正反面实现金属化,然后利用图形电镀的工艺加厚金属,再经过褪膜蚀刻得到高精度的线路,最后在线路表面做防氧化及线路的金属化处理,得到导通的双面陶瓷线路板,并满足封装的要求,可以满足复杂线路的应用场合。为了达到上 ...
【技术保护点】
1.一种双面导通陶瓷线路板的制备方法,其特征在于,该方法包含:S1、穿孔:在陶瓷基板(1)上穿设通孔得到穿孔陶瓷基板(101);S2、金属化:清洗穿孔陶瓷基板(101)后,在所述穿孔陶瓷基板(101)表面涂覆第一金属层(A),得到金属化陶瓷基板(102);S3、图形电镀:将所述金属化陶瓷基板(102)经过图形转移获得线路图案,并在所述线路图案上电镀第二金属层(B),以使所述通孔处至少含有部分电镀有第二金属层(B)的线路,得到可双面导通的电镀陶瓷线路板(103)。
【技术特征摘要】
1.一种双面导通陶瓷线路板的制备方法,其特征在于,该方法包含:S1、穿孔:在陶瓷基板(1)上穿设通孔得到穿孔陶瓷基板(101);S2、金属化:清洗穿孔陶瓷基板(101)后,在所述穿孔陶瓷基板(101)表面涂覆第一金属层(A),得到金属化陶瓷基板(102);S3、图形电镀:将所述金属化陶瓷基板(102)经过图形转移获得线路图案,并在所述线路图案上电镀第二金属层(B),以使所述通孔处至少含有部分电镀有第二金属层(B)的线路,得到可双面导通的电镀陶瓷线路板(103)。2.如权利要求1所述的双面导通陶瓷线路板的制备方法,其特征在于,进一步包含:S4、褪膜蚀刻:将电镀陶瓷线路板(103)的第一金属层(A)表面贴上的干膜去除后,再通过蚀刻去除所述电镀陶瓷线路板(103)表面的第一金属层(A),得到褪膜蚀刻陶瓷线路板(104)。3.如权利要求2所述的双面导通陶瓷线路板的制备方法,其特征在于,还进一步包含:S51、将所述褪膜蚀刻陶瓷线路板(104)的线路表面设置有防氧化处理层(D);和/或S52、所述褪膜蚀刻陶瓷线路板(104)的线路表面附着有第三金属层(C)。4.如权利要求1所述的双面导通陶瓷线路板的制备方法,其特征在于,所述陶瓷基板(1)包含氧化铝、氮化铝和氮化硅;所述陶瓷基板(1)的穿孔方式包含机械穿孔方式和激光穿孔方式;所述通...
【专利技术属性】
技术研发人员:章帅,徐慧文,于正国,
申请(专利权)人:赛创电气铜陵有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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