A magnetic element, which exposes a composite layer of tantalum and magnesium to enhance the vertical magnetic anisotropy in the covering magnetic layer, which can be used as a reference layer, a free layer or a dipole layer. The seed layer is formed by a single layer. The seed layer is an alloy. It contains Ta, Zr, Nb, TaN, ZrN, NbN and Ru, as well as magnesium (Mg), strontium (Sr), titanium (Ti), aluminum (Al), vanadium (V), hafnium, boron, magnesium zirconium, and magnesium niobium. The growth promoting layer made of the alloy can be inserted between the seed layer and the magnetic layer, and the magnetic element has a thermal stability of at least 400 degrees.
【技术实现步骤摘要】
用于多层磁性材料的改良式晶种层分案说明本案为分案申请,母案申请信息如下:申请日:2013.10.10;申请号:201380061488.2;优先权数据:13/649,3272012.10.11US;专利技术名称:用于多层磁性材料的改良式晶种层。
本专利技术揭露关于一种磁性元件,其包含一晶种层及具有至少400℃热稳定性的成长促进层,以及促使一覆盖式多层堆叠的强固(111)晶体结构,进而改善包含Hc及Hk于覆盖式堆叠的垂直磁异向性(PerpendicularMagneticAnisotropy,PMA)。
技术介绍
磁阻性随机存取记忆体(MagnetoresistiveRandomAccessMemory,MRAM)基于具有磁性穿隧接面(MagneticTunnelJunction,MTJ)技术的硅集成互补式金属氧化物半导体(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor,CMOS),其为一个主要的新兴技术,与如静态存取记忆体(StaticRandom-AccessMemory,SRAM)、动态存取记忆体(DynamicRandomAccessMemory,DRAM)及快闪记忆体(Flash)等现有的半导体记忆体高度竞争。同样地,由C.Slonczewski所描述的自旋转移(自旋扭距或是STT)磁开关(1996,“Currentdrivenexcitationofmagneticmultilayers”,J.Magn.Magn.Mater.V159,L1-L7)促进了千兆规模般旋转扭力MRAM的自旋电子装置的潜在潜力的极大兴趣。M ...
【技术保护点】
1.一种磁性元件,其包括:(a)一晶种层,其由一单一层所形成的合金,该合金包含锆、铌、氮化钽、氮化锆或氮化铌之一与镁、锶、铝、钒、铪、硼、硅、镁锆或镁铌之一,该晶种层及一磁性层形成一第一界面;(b)该磁性层具有CoXFeYNiZBV合成物,当中的y>x+z,而v是15~40的原子百分比%,及v+x+y+z=100的原子百分比;及(c)一通道阻障层,包括氧化镁或另一氧化物,其促使界面垂直异向性于第二界面的磁性层上,上述各层形成一晶种层/磁性层/通道阻障层堆叠。
【技术特征摘要】
2012.10.11 US 13/649,3271.一种磁性元件,其包括:(a)一晶种层,其由一单一层所形成的合金,该合金包含锆、铌、氮化钽、氮化锆或氮化铌之一与镁、锶、铝、钒、铪、硼、硅、镁锆或镁铌之一,该晶种层及一磁性层形成一第一界面;(b)该磁性层具有CoXFeYNiZBV合成物,当中的y>x+z,而v是15~40的原子百分比%,及v+x+y+z=100的原子百分比;及(c)一通道阻障层,包括氧化镁或另一氧化物,其促使界面垂直异向性于第二界面的磁性层上,上述各层形成一晶种层/磁性层/通道阻障层堆叠。2.一种磁性穿隧接面,其包括:(a)一第一基底,其包含至少一晶种层,该晶种层包括一选自一第一组材料的元素或合金,其为钽、锆、铌、氮化钽、氮化锆、氮化铌及钌,及选自一第二组材料的元素或合金,其为镁、锶、钛、铝、钒、铪、硼、硅、镁锆或镁铌;(b)一第一成长促进层,其藉由一镍铬合金所制成,该第一成长促进层接触该基底的顶部表面,且与具有本质垂直磁异向性的一覆盖式层叠参考层形成一第一界面;(c)具有本质垂直磁异向性的该层叠参考层;(d)一通道阻障层,其形成于具有本质垂直磁异向性的该层叠参考层上;(e)一自由层,...
【专利技术属性】
技术研发人员:诺真·杰,童儒颖,
申请(专利权)人:海德威科技公司,诺真·杰,童儒颖,
类型:发明
国别省市:美国,US
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