真空处理装置的运转方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种真空处理装置，其在被处理物大口径化的情况下也能够使处理的均匀性良好，并且高效地进行稳态/非稳态维护。在具有真空搬运室的真空处理装置中，具备：具有圆筒形状的下部容器(250)；试料台单元，其具有试料台(241)以及具备相对于试料台的中心轴线配置为轴对称的支承梁的环状的试料台基座(242)；具有圆筒形状的上部容器(230)；以及移动机构(210)，其固定于试料台基座(242)，且使试料台单元能够在上下方向以及水平方向上移动。

【技术实现步骤摘要】
真空处理装置的运转方法本申请是申请号为201410408799.8、申请日为2014年8月19日、专利技术名称为“真空处理装置”的申请的分案申请。
本专利技术涉及一种具备被减压的处理室的真空处理装置的运转方法。
技术介绍
在进行半导体晶圆等被处理物的处理的真空处理装置中，例如在对真空处理室内部进行了减压的状态下向其内部导入处理用气体，对被导入的处理用气体进行等离子体化，利用与自由基的化学反应、电子的溅射，进行在具备静电吸盘的试料台上保持的半导体晶圆等被处理物的处理。关于真空处理装置，例如在专利文献1中公开。另外，关于在真空处理腔室内使用的静电吸盘，例如在专利文献2中公开。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-252201号公报专利文献2：日本特表2005-516379号公报专利技术概要专利技术要解决的课题在真空处理装置中使用了处理用气体，在对处理用气体进行等离子体化而处理被处理物(晶圆)时反应生成物附着于真空处理室内部。当在配置于处理室内部的部件的表面附着反应生成物时，产生如下问题，即，由于该部件的劣化，反应生成物成为微小粒子而从表面剥离并落下，作为异物而附着在晶圆等进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种真空处理装置的运转方法，所述真空处理装置具有至少一个真空搬运室和多个真空处理室，该真空处理室以在该一个真空搬运室与一个真空处理室之间夹着内部配置有被处理物的搬运路径的阀室的方式与所述一个真空搬运室连结，其中，所述一个真空处理室具备：具有排气开口的基板；下部容器，其配置在所述基板上，且水平剖面的内壁呈圆形；试料台单元，其配置在所述下部容器之上，且具有载置被处理物的试料台、支承所述试料台且相对于所述试料台的中心轴呈轴对称地配置的支承梁、以及在该支承梁的外周侧与该支承梁连结的环状的试料台基座，该环状的试料台基座构成将所述真空处理室的内部与外部的大气压的空间气密地划分的隔壁；上部容器，其配置在所述...

【技术特征摘要】
2014.01.27 JP 2014-0120271.一种真空处理装置的运转方法，所述真空处理装置具有至少一个真空搬运室和多个真空处理室，该真空处理室以在该一个真空搬运室与一个真空处理室之间夹着内部配置有被处理物的搬运路径的阀室的方式与所述一个真空搬运室连结，其中，所述一个真空处理室具备：具有排气开口的基板；下部容器，其配置在所述基板上，且水平剖面的内壁呈圆形；试料台单元，其配置在所述下部容器之上，且具有载置被处理物的试料台、支承所述试料台且相对于所述试料台的中心轴呈轴对称地配置的支承梁、以及在该支承梁的外周侧与该支承梁连结的环状的试料台基座，该环状的试料台基座构成将所述真空处理室的内部与外部的大气压的空间气密地划分的隔壁；上部容器，其配置在所述试料台基座之上，且在与该试料台基座之间构成将所述真空处理室的内部与外部的大气压的空间划分的隔壁，并且，在其外侧壁具有在与所述真空搬运室之间搬运所述被处理物的第一开口部，该上部容器的水平剖面的内壁呈圆形；以及密封构件，其夹在所述基板、所述下部容器、具有环状的试料台基座以及上部容器各自之间而配置，且对所述真空处理室的内部与外部之间进行气密地封固，所述真空处理装置在所述一个真空处理室与邻接的其他真空处理室之间、以及邻接于所述真空处理装置的其他真空处理装置与该一个真空处理室之间配置有作业者用的作业空间，所述真空处理装置具备移动单元，该移动单元在所述一个真空处理室和所述邻接的其他真空处理室之间的所述作业空间与所述环状的试料台基座之间、且在所述试料台基座的外侧相对于所述阀室远离该试料台基座的中心的位置处与试料台基座连接地配置，并且该移动单元能够进行使具有上下方向的轴且包含该试料台基座的所述试料台单元相对于所述下部容器沿着所述轴在上下方向上移动的上下动作、以及使通过该上下动作而向所述下部容器的上方分离的所述试料台单元沿水平方向移动到该下部容器的上方的区域的外侧且远离...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤浩平，牧野昭孝，田中一海，属优作，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：日本,JP