谐振装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供谐振装置及其制造方法。在封装化了的谐振装置中，实施对谐振频率的调整。谐振装置具备：下盖，其由未简并的硅构成；谐振子，其具有由简并了的硅构成且具有与下盖对置的下表面的基板、层叠于该基板的第一电极层和第二电极层、形成于第一电极层和第二电极层之间且具有隔着第一电极层与基板的上表面对置的面的压电膜；以及上盖，其与下盖对置，在上盖与下盖之间隔着谐振子，基板的下表面具有调整部，该调整部是形成于表面的凹凸的深度或高度都比该基板的下表面中的其它区域大的区域，或者是凹凸所占的面积比该基板的下表面中的其它区域大的区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】谐振装置及其制造方法
本专利技术涉及由硅基板形成的谐振装置及其制造方法。
技术介绍
以往，使用了MEMS(MicroElectroMechanicalSystems：微机电系统)技术的谐振装置例如被作为定时装置使用。该谐振装置安装于组装在智能手机等电子设备内的印刷电路基板上。谐振装置具备下侧基板、在自身与下侧基板之间形成腔室的上侧基板以及在下侧基板与上侧基板之间配置于腔室内的谐振子。例如专利文献1中公开了具备多个振动臂的面外折曲谐振子。在该谐振子中，振动臂在其固定端与基部的前端连接，基部在与前端相反侧的后端与支承部连接。支承部例如与夹设于下侧基板和上侧基板之间的基台连接。在专利文献1的图1的例子中，通过将施加于振动臂的电场设定为互为相反方向，在内侧的振动臂与外侧的2根振动臂之间实现互为相反相位的振动。专利文献1：日本特许5071058号公报像在专利文献1中记载的那样的以往谐振装置中，对谐振频率的调整，是在例如制造谐振子的工序中，通过对构成谐振子的材料的膜厚进行调整而实施的。但是，像这样，在制造谐振装置的过程中的工序中对谐振频率进行了调整的情况下，在之后的制造工序中，会由于谐振子受到因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种谐振装置，其特征在于，具备：下盖，其由未简并的硅构成；谐振子，其具有由简并了的硅构成且具有与所述下盖对置的下表面的基板、层叠于该基板的第一电极层和第二电极层、形成于所述第一电极层和所述第二电极层之间且具有隔着所述第一电极层与所述基板的上表面对置的面的压电膜；以及上盖，其与所述下盖对置，在该上盖与下盖之间隔着所述谐振子，所述基板的下表面具有调整部，所述调整部是形成于表面的凹凸的深度或高度都比该基板的下表面中的其它区域大的区域，或者是凹凸所占的面积比该基板的下表面中的其它区域大的区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.24 JP 2015-2290691.一种谐振装置，其特征在于，具备：下盖，其由未简并的硅构成；谐振子，其具有由简并了的硅构成且具有与所述下盖对置的下表面的基板、层叠于该基板的第一电极层和第二电极层、形成于所述第一电极层和所述第二电极层之间且具有隔着所述第一电极层与所述基板的上表面对置的面的压电膜；以及上盖，其与所述下盖对置，在该上盖与下盖之间隔着所述谐振子，所述基板的下表面具有调整部，所述调整部是形成于表面的凹凸的深度或高度都比该基板的下表面中的其它区域大的区域，或者是凹凸所占的面积比该基板的下表面中的其它区域大的区域。2.根据权利要求1所述的谐振装置，其特征在于，所述谐振子中与所述上盖对置的面包括第一区域和第二区域，所述第二区域是与该第一区域不同的区域，所述第二区域的因该谐振子的振动所致的变位大于所述第一区域，所述调整部设置于所述基板的下表面中的与所述第二区域对应的位置。3.根据权利要求2所述的谐振装置，其特征在于，所述第一区域由第一调整膜覆盖，所述第二区域由第二调整膜覆盖，所述第二调整膜的因蚀刻所致的质量减少速度大于所述第一调整膜。4.根据权利要求2或者3所述的谐振装置，其特征在于，所述谐振子中的所述第一电极层、所述第二电极层以及所述压电膜形成折曲振动的振动臂，所述第二区域形成于所述振动臂的顶端附近。5.根据权利要求2或者3所述的谐振装置，其特征在于，所述谐振子中的所述第一电极层、所述第二电极层以及所述压电膜形成进行轮廓振动的近似矩形的振动部，所述第二区域是与所述振动部的四角对应的区域。6.根据权利要求1～5中任一项所述的谐振装置，其特征在于，所述基板在所述下表面包含硅氧化膜。7.一种谐振装置制...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅田圭一，岸武彦，山田宏，福光政和，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP