具有自由形成的自支撑垂直互连件的电子模块制造技术

本发明专利技术描述了一种电子模块及其制造方法，该电子模块包含自由形成的自支撑互连支柱，该互连支柱将设置在覆盖衬底上的覆盖电子组件与设置在基底衬底上的基底电子组件电连接。自由形成的自支撑互连支柱可以在覆盖电子组件与基底电子组件之间的笔直路径中垂直地延伸。自由形成的自支撑互连支柱可以由通过添加制造过程所提供的导电细丝形成。通过使自支撑互连支柱直接自由形成于电子组件上，可以增强电子模块设计的灵活性，同时降低制造此类电子模块的复杂性和成本。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有自由形成的自支撑垂直互连件的电子模块
本专利技术大体上涉及电子模块，更具体地，涉及具有自由形成的自支撑电互连件的RF模块。
技术介绍
例如射频(RF)模块等电子模块包含诸如高频芯片组之类的电子组件，这些电子组件可能会占据模块内部相当大的空间并且可能会产生大量的热。平面相控阵天线架构中的RF模块通常安装在基底衬底上，并且用于集成此类模块的可用区域常常受到约束。通常，经由热质或受限冷板，通过模块底部来施加冷却，由于冷板或热质位于平面相控阵天线上的电信号的直接路径中，所以热质或冷板可能会干扰RF操作。随着RF模块的电子组件变得越来越复杂，需要改进用于安装此类组件的可用表面区域，并且改进电子模块设计的灵活性，同时还在不干扰RF/DC操作的情况下增强对此类组件的冷却。
技术实现思路
本专利技术提供一种电子模块以及用于制造该电子模块的方法，该电子模块具有自由形成的自支撑互连支柱，该互连支柱将电子模块的覆盖衬底上的电子组件与电子模块的基底衬底上的电子组件电连接。该自由形成的自支撑互连支柱可以通过建立通向覆盖衬底上的电子组件的电路径来提高电子模块的紧凑性，进而有效地增加用于安装此类电子组件的可用区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于组装电子模块的方法，包括以下步骤：将基底电子组件安装在基底衬底上；将覆盖电子组件安装在覆盖衬底上；将导电细丝直接沉积到所述基底电子组件上或者直接沉积到所述覆盖电子组件上；使用所沉积的导电细丝自由形成自支撑互连支柱，所述自由形成的自支撑互连支柱从所述基底电子组件或所述覆盖电子组件竖直延伸；将所述覆盖衬底布置在相对的基底衬底上方并且使所述基底电子组件与所述覆盖电子组件对准；以及使用所述自由形成的自支撑互连支柱将所述基底电子组件电连接到所述覆盖电子组件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.09 US 14/879,1911.一种用于组装电子模块的方法，包括以下步骤：将基底电子组件安装在基底衬底上；将覆盖电子组件安装在覆盖衬底上；将导电细丝直接沉积到所述基底电子组件上或者直接沉积到所述覆盖电子组件上；使用所沉积的导电细丝自由形成自支撑互连支柱，所述自由形成的自支撑互连支柱从所述基底电子组件或所述覆盖电子组件竖直延伸；将所述覆盖衬底布置在相对的基底衬底上方并且使所述基底电子组件与所述覆盖电子组件对准；以及使用所述自由形成的自支撑互连支柱将所述基底电子组件电连接到所述覆盖电子组件。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：将可压缩电转接层附接在所述自由形成的自支撑互连支柱的自由端处；以及将所述可压缩电转接层电插入在相应的自由形成的自支撑互连支柱与所述基底电子组件或所述覆盖电子组件之间的电路径中。3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中，所述导电细丝是导电膏。4.根据权利要求3所述的方法，其中，沉积所述导电膏以形成长度与宽度纵横比是至少3：1的所述自由形成的自支撑互连支柱。5.根据权利要求3或权利要求4所述的方法，其中，所述覆盖电子组件和所述基底电子组件各自包含具有电接触表面的外部可寻址面；其中，所述覆盖电子组件的外部可寻址面与所述基底电子组件的外部可寻址面对准并且相对面向；且其中，将所述导电膏沉积在所述基底电子组件的电接触表面上或者沉积在所述覆盖电子组件的电接触表面上，并且在笔直路径中形成所述自由形成的自支撑互连支柱，以与所述基底电子组件或所述覆盖电子组件的相对电接触表面电连接。6.根据权利要求5所述的方法，其中，将多个基底电子组件安装在所述基底衬底上，并且将多个覆盖电子组件安装在所述覆盖衬底上；其中，所述多个覆盖电子组件的外部可寻址面中的至少其中之一相对于所述多个覆盖电子组件的外部可寻址面中的至少另一个是非平面的，和/或所述多个基底电子组件的外部可寻址面中的至少其中之一相对于所述多个基底电子组件的外部可寻址面中的至少另一个是非平面的；以及其中，将所述导电膏沉积在所述多个基底电子组件中的一个或多个上和/或所述多个覆盖电子组件中的一个或多个上，以形成具有不同纵向长度的多个所述自由形成的自支撑互连支柱，以将所述多个基底电子组件电连接到所述多个覆盖电子组件，并且适应所述多个基底电子组件和/或所述多个覆盖电子组件的相应外部可寻址面的非平面性。7.根据权利要求3至6中的任一项所述的方法，其中，沉积所述导电膏以形成具有基本上为圆柱形形状的所述自由形成的自支撑互连支柱；以及其中，在横向剖面上并且沿着所述自由形成的自支撑互连支柱的纵向长度的导电性是均匀的。8.根据任一项前述权利要求所述的方法，其中，所述自由形成的自支撑互连支柱的导电性是约1×107西门子/米或更大。9.根据权利要求3至8中的任一项所述的方法，其中，通过逐层添加制造过程来沉积所述导电膏以形成所述自由形成的自支撑互连支柱。10.根据权利要求3至9中的任一项所述的方法，其中，在单...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·W·皮兰斯，J·麦克斯帕登，
申请(专利权)人：雷神公司，
类型：发明
国别省市：美国,US