在两侧冷却的电路制造技术

本发明专利技术涉及一种构件(9)，包括带有上侧(1b)和下侧(1a)的第一陶瓷基底(1)，其中在上侧(1b)上施覆有镀金属结构(2)，经由连接介质(3)将Si电路(4)以其下侧安装在该镀金属结构(2)上。为了使Si电路(4)通过带有较高热传导能力和同时带有较高电传导能力的元件在双侧冷却，且为了提高组合件的效率，根据本发明专利技术提出了，在Si电路(4)的上侧(1b)上施覆有连接介质(5)，将陶瓷平基底(6)以其下侧施覆在该连接介质(5)上，并且在所述平基底(6)上经由镀金属结构(7)布置有第二陶瓷基底(8)，其中，所述陶瓷平基底(8)包含金属填充的热电金属化通孔(过孔)(11)和/或冷却通道用于引导冷却剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在两侧冷却的电路
本专利技术涉及一种构件，其包括带有上侧和下侧的第一陶瓷基底，其中，在上侧上施覆有镀金属结构(Metallisierung)，经由连接介质将电子结构元件以其下侧装配在该镀金属结构上。
技术介绍
已知如下，即，由Al203或AIN构成的陶瓷基底承载至少在单侧的镀金属结构(DCB-Cu、厚膜-Cu、Ag、W-Ni-Au)，在其上又通过压力、焊料、烧结的银、银粘接剂(Silberkleber)或其它装配有Si电路。在基底的第二侧上可存在另外的镀金属结构面，例如由铝或其它构成的冷却体(Kühlkörper)粘接或焊接到该镀金属结构面上。Si电路因此最大限度在单侧与起电隔离作用的热沉件(Wärmesenke，有时也称为吸热设备或冷源)相连接。Si电路的上面的自由侧最多被气冷。Si电路还完全通常地理解成芯片或晶体管。
技术实现思路
本专利技术的任务在于，如此改善根据权利要求1的前序部分所述的构件，使得Si电路在两侧、也就是说不仅在其下侧还在其上侧被冷却。Si电路通过带有较高的热传导能力和同时带有较高的电传导能力的元件的双侧冷却应提高组合件的效率。根据本专利技术，该任务通过一种带有权利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种构件(9)，其包括带有上侧(1b)和下侧(1a)的第一陶瓷基底(1)，其中，在所述上侧(1b)上施覆有镀金属结构(2)，经由连接介质(3)将Si电路(4)以其下侧安装在该镀金属结构(2)上，其特征在于，在所述Si电路(4)的上侧上施覆有连接介质(5)，将陶瓷平基底(6)以其下侧施覆在该连接介质(5)上，并且在所述平基底(6)上经由镀金属结构(7)布置有第二陶瓷基底(8)，其中，所述陶瓷平基底(8)包含金属填充的热电金属化通孔(过孔)(11)和/或冷却通道用于引导冷却剂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.07 DE 102015219347.01.一种构件(9)，其包括带有上侧(1b)和下侧(1a)的第一陶瓷基底(1)，其中，在所述上侧(1b)上施覆有镀金属结构(2)，经由连接介质(3)将Si电路(4)以其下侧安装在该镀金属结构(2)上，其特征在于，在所述Si电路(4)的上侧上施覆有连接介质(5)，将陶瓷平基底(6)以其下侧施覆在该连接介质(5)上，并且在所述平基底(6)上经由镀金属结构(7)布置有第二陶瓷基底(8)，其中，所述陶瓷平基底(8)包含金属填充的热电金属化通孔(过孔)(11)和/或冷却通道用于引导冷却剂。2...

【专利技术属性】
技术研发人员：R迪施，H克雷斯，
申请(专利权)人：陶瓷技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE