一种功率半导体器件的复合型耐压环结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种功率半导体器件的复合型耐压环结构，包括至少一个耐压环结构，每个耐压环结构包括第一场限环、与所述第一场限环横向连接的pn结延展区、与所述pn结延展区横向相邻且连接的第二场限环，所述第一场限环和所述第二场限环位于所述pn结延展区两侧位置，其中，所述pn结延展区与所述第一场限环和所述第二场限环的侧面和底面同时接触。本实用新型专利技术通过设置与场限环横向连接的pn结延展区，将场限环延伸至所述外延层体内，优化表面电场和体内电场，增大结终端击穿电压以及降低反向漏电流和结电容，同时不会大幅增加设计难度和制作成本。

【技术实现步骤摘要】
一种功率半导体器件的复合型耐压环结构
本技术属于半导体功率器件
，具体涉及一种功率半导体器件的复合型耐压环结构。
技术介绍
结终端技术与器件结构紧密相关，不同的器件结构需要采用不同的结终端技术来保障其击穿电压以及可靠性，而场限环技术作为现代功率半导体器件(如DMOS)终端结构所常用的一种技术，可通过减小pn结曲面弯曲造成的电场集中，提高器件的击穿电压。目前常用的场限环技术是通过在功率半导体器件的终端区域引入一个或多个与硅衬底掺杂类型相反但杂质浓度远高于衬底的环形区域(通常称之为场限环)，使器件在承受反向偏压时耗尽层扩展至这些环形区域发生穿通，从而延展器件终端区域的耗尽层，这样减小终端区域的电场集中，进而获得更高的击穿电压。采用场限环技术，虽然工艺简单，可以达到较高的击穿电压，但它对界面电荷非常敏感。因此，设计场限环时，通过优化表面电场和体内电场，是击穿优先发生在体内，以减小由于因外界因素对表面电场的影响而降低器件的击穿电压。此外，场限环技术还存在一个比较明显的问题，即在各场限环靠近芯片边缘的区域，电场集中的现象仍然比较明显，容易形成高电场；通常，这些高电场区域会先于终端结构的其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率半导体器件的复合型耐压环结构，其特征在于，包括至少一个耐压环结构，每个耐压环结构包括第一场限环、与所述第一场限环横向连接的pn结延展区、与所述pn结延展区横向相邻且连接的第二场限环，所述第一场限环和所述第二场限环位于所述pn结延展区两侧位置，其中，所述pn结延展区与所述第一场限环和所述第二场限环的侧面和底面同时接触。

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件的复合型耐压环结构，其特征在于，包括至少一个耐压环结构，每个耐压环结构包括第一场限环、与所述第一场限环横向连接的pn结延展区、与所述pn结延展区横向相邻且连接的第二场限环，所述第一场限环和所述第二场限环位于所述pn结延展区两侧位置，其中，所述pn结延展区与所述第一场限环和所述第二场限环的侧面和底面同时接触。2.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件的复合型耐压环结构，其特征在于，所述pn结延展区与所述第一场限环的掺杂类型相同，且掺杂浓度低于所述第一场限环的...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁力鹏，徐吉程，范玮，
申请(专利权)人：西安华羿微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西,61