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本实用新型公开了一种功率半导体器件的复合型耐压环结构，包括至少一个耐压环结构，每个耐压环结构包括第一场限环、与所述第一场限环横向连接的pn结延展区、与所述pn结延展区横向相邻且连接的第二场限环，所述第一场限环和所述第二场限环位于所述pn结延...
该专利属于西安华羿微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安华羿微电子股份有限公司授权不得商用。

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