【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
用于从半导体晶片表面去除含硅粒子物质的组合物，所述组合物包含超临界流体（ＳＣＦ）、至少一种共溶剂、至少一种蚀刻剂类物质、至少一种表面钝化剂、与所述含硅粒子物质相互作用以促进其去除的结合剂、去离子水及任选的至少一种表面活性剂。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔B科岑斯基，托马斯H鲍姆，
申请(专利权)人：高级技术材料公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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