场效应晶体管、制造场效应晶体管的方法及电子器件技术

提供了一种场效应晶体管、制造场效应晶体管的方法以及电子器件。其中该场效应晶体管包括：源极和漏极，所述源极由狄拉克材料形成；以及沟道，所述沟道设置在所述源极与所述漏极之间并与所述源极相反地掺杂；以及栅极，所述栅极设置在所述沟道之上，并与所述沟道电绝缘。

【技术实现步骤摘要】
场效应晶体管、制造场效应晶体管的方法及电子器件
本公开涉及半导体器件领域，具体涉及场效应晶体管、制造场效应晶体管的方法及电子器件。
技术介绍
金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是构建集成电路的基本元件。通过在栅极上施加电压来控制MOSFET的源漏电流，从而实现器件的开关状态转换。关断速度由亚阈值摆幅(subthresholdswing，简称SS)来描述，其中亚阈值摆幅是指使源漏电流变化一个量级所需要施加的栅电压增量。亚阈值摆幅越小，意味着晶体管的关断越快。由于热激发机制的限制，常规FET的亚阈值摆幅在室温下的理论最小值为60mV/Dec。集成电路的进一步发展要求将工作电压继续降低，而MOSFET中亚阈值摆幅的60mV/Dec的热激发极限限制了集成电路的工作电压不能低于0.64V，制约集成电路的功耗的进一步降低。因此，要进一步推动互补金属氧化物半导体(CMOS)技术发展，实现超低功耗的集成电路，必须突破常规的MOSFET的热激发机制对亚阈值摆幅的限制，实现亚阈值摆幅小于60mV/Dec的晶体管。现有的能实现亚阈值摆幅小于60mV/Dec的晶体管主要有两种：一是隧穿晶体管(本文档来自技高网...

【技术保护点】
场效应晶体管，包括：源极和漏极，所述源极由狄拉克材料形成；以及沟道，所述沟道设置在所述源极与所述漏极之间并与所述源极相反地掺杂；以及栅极，所述栅极设置在所述沟道之上，并与所述沟道电绝缘。

【技术特征摘要】
1.场效应晶体管，包括：源极和漏极，所述源极由狄拉克材料形成；以及沟道，所述沟道设置在所述源极与所述漏极之间并与所述源极相反地掺杂；以及栅极，所述栅极设置在所述沟道之上，并与所述沟道电绝缘。2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述狄拉克材料包括：石墨烯、Weyl半金属、d波超导体或拓扑绝缘体。3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述源极与所述沟道电接触。4.根据权利要求3所述的场效应晶体管，其中，所述源极与所述沟道之间的接触势垒低于0.2电子伏特。5.根据权利要求1至4中任一项所述的场效应晶体管，其中，所述源极进行n型掺杂以及所述沟道进行p型掺杂；或所述源极进行p型掺杂以及所述沟道进行n型掺杂。6.根据权利要求1至4中任一项所述的场效应晶体管，还包括栅绝缘层，所述栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁世博，
申请(专利权)人：北京华碳科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11