提供了一种分离柔性基板与刚性导电载体的方法，其包括：使刚性导电载体的第一端与导电溶液相接触，其中刚性导电载体上形成有柔性基板；以及在刚性导电载体的第二端与导电溶液上施加电压，以分离刚性导电载体与柔性基板，其中导电溶液能够腐蚀刚性导电载体...

本发明具体涉及一种GaN基增强型HEMT器件及其制备方法。该器件包括衬底及外延层，外延层从下至上依次包括缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、P型AlGaN势垒层，还包括AlGaN氧化层、钝化层、源漏金属层和栅金属层。源漏金属层蒸镀在...

本发明提出一种GaN基HEMT器件及其制造方法，该器件结构包括衬底、GaN层、AlxGa1‑xN层、AlN层、Al2O3介质层、SiO2介质层、SiN侧墙、栅金属层、栅金属电极以及源漏金属电极，其中，采用Al2O3/AlN材料作为刻蚀腐...

本发明公开了一种具有石墨烯散热层的倒装结构的氮化镓基功率器件及其制备方法。该氮化镓基功率器件包括自下而上分布的基板、绝缘介质层、电极焊盘、GaN基HEMT器件、石墨烯材料；所述电极焊盘包括源电极焊盘、漏电极焊盘、栅电极焊盘；所述GaN基...

本发明具体涉及一种适用于AlGaN/GaN器件的欧姆接触制作方法。该方法包括：对AlGaN/GaN材料进行表面处理；对所述AlGaN/GaN材料表面蒸发或溅射Ti金属；对所述Ti金属表面淀积SiO2保护层；对所述淀积SiO2保护层后的样...

本发明提出一种具有P型二维材料栅极氮化镓基场效应晶体管的制备方法，包括以下步骤：在单晶衬底上依次外延缓冲层、沟道层、势垒层、界面控制层得到外延衬底；在外延衬底上的源极和漏极区域沉积源漏金属，并形成欧姆接触；在外延衬底上方沉积二维材料层；...

本发明公开了一种采用碳纳米管微通道散热器的氮化镓基功率器件及其制备方法。该器件包括自下而上分布的基板、绝缘介质层、电极焊盘、GaN基HEMT器件、CNT微通道散热器；所述电极焊盘包括源电极焊盘、漏电极焊盘、栅电极焊盘；所述GaN基HEM...

本发明提出一种GaN基HEMT器件的制作方法，步骤包括：准备一衬底；在衬底上生长的AlN缓冲层；在AlN缓冲层上生长GaN沟道层；在GaN沟道层上生长AlGaN势垒层；在AlGaN势垒层上生长P型GaN帽层；在P型帽层上沉积SiN钝化层...

本发明公开一种基于晶圆级GaN器件原始衬底的转移方法，属于半导体工艺技术领域。通过在原片表面覆盖一层可去除的较厚保护支撑层，去除原衬底后，两圆片直接键合。该方法包括如下步骤：(1)对晶圆级GaN器件完成正面工艺后的表面覆盖保护支撑层；(...

本发明具体涉及一种GaN基增强型MOS高电子迁移率晶体管器件及其制备方法。该器件包括衬底及外延层，外延层从下至上依次包括缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、AlN势垒层，在源漏极区域蒸镀欧姆接触电极，栅介质从下至上为AlON介质层和...

提供了一种场效应晶体管、制造场效应晶体管的方法以及电子器件。其中该场效应晶体管包括：源极和漏极，所述源极由狄拉克材料形成；以及沟道，所述沟道设置在所述源极与所述漏极之间并与所述源极相反地掺杂；以及栅极，所述栅极设置在所述沟道之上，并与所...

提供了一种场效应晶体管、制造场效应晶体管的方法以及电子器件。其中该场效应晶体管包括：源极和漏极，源极由第一石墨烯膜形成；沟道，沟道设置在源极与漏极之间，并包括第二石墨烯膜与具有半导体性质的材料层的层叠件，第二石墨烯膜由双层石墨烯形成；以...

提供了一种场效应晶体管、制造场效应晶体管的方法以及电子器件。其中该场效应晶体管包括：源极和漏极，源极由狄拉克材料形成；沟道，沟道设置在源极与漏极之间；以及源极控制电极，设置在源极上，并用于控制狄拉克材料的掺杂，以使得狄拉克材料与沟道相反...