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提供了一种场效应晶体管、制造场效应晶体管的方法以及电子器件。其中该场效应晶体管包括：源极和漏极，所述源极由狄拉克材料形成；以及沟道，所述沟道设置在所述源极与所述漏极之间并与所述源极相反地掺杂；以及栅极，所述栅极设置在所述沟道之上，并与所述沟...
该专利属于北京华碳科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京华碳科技有限责任公司授权不得商用。

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