显示基板及其制作方法技术

技术编号:18085822 阅读:42 留言:0更新日期:2018-05-31 14:28
提供一种显示基板及其制作方法。该显示基板包括:衬底基板,包括显示区域和位于显示区域至少一侧的周边区域;阻挡坝,位于周边区域,具有相对的第一侧和第二侧,第一侧和第二侧之一靠近显示区域,另一个远离显示区域,阻挡坝具有第一倾斜侧面,第一倾斜侧面位于第一侧,且从靠近衬底基板向远离衬底基板的方向上,第一倾斜侧面向远离第二侧的方向倾斜,第一倾斜侧面与衬底基板之间具有第一空间;以及无机封装薄膜,被第一倾斜侧面分隔为彼此断开的第一部分和第二部分,第一部分位于阻挡坝的第一侧,第二部分位于阻挡坝上。该显示基板可避免使用化学气相沉积掩膜版,可实现窄边框设计。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制作方法
本公开至少一示例涉及一种显示基板及其制作方法。
技术介绍
有机发光二极管(Organiclight-emittingdiodes,OLED)器件因具有自发光、响应速度快、驱动电压低、对比度高、广色域、发光效率高等显著优点而被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器等领域,尤其是柔性OLED显示装置具有可弯折易携带的特点,成为显示
研究和开发的主要方向。目前制约柔性OLED器件发展的最大问题是OLED器件的寿命较短,其主要原因是构成OLED器件的发光元件的电极层和发光层材料对大气中的水汽及氧气非常敏感,受到水氧侵蚀后造成器件性能衰弱。封装是OLED器件制作的关键工艺之一,随着柔性OLED器件的兴起,针对性的提出了柔性OLED的封装,出现以薄膜封装(ThinFilmEncapsulation,TFE)结构为代表的新的封装材料及封装结构。例如,TFE封装结构为:无机材料+有机材料+无机材料的膜层结构,可将发光元件封装在器件内部,以达到阻水、阻氧目的,进而对发光元件提供保护。
技术实现思路
本公开的至少一示例涉及一种显示基板及其制作方法,可避免使用化学气相沉积掩膜版,可实现窄边本文档来自技高网...
显示基板及其制作方法

【技术保护点】
一种显示基板,包括:衬底基板,包括显示区域和位于所述显示区域至少一侧的周边区域;阻挡坝,位于所述周边区域,具有相对的第一侧和第二侧,所述第一侧和所述第二侧之一靠近所述显示区域,另一个远离所述显示区域,所述阻挡坝具有第一倾斜侧面,所述第一倾斜侧面位于所述第一侧,且从靠近所述衬底基板向远离所述衬底基板的方向上,所述第一倾斜侧面向远离所述第二侧的方向倾斜,所述第一倾斜侧面与所述衬底基板之间具有第一空间;以及无机封装薄膜,被所述第一倾斜侧面分隔为彼此断开的第一部分和第二部分,所述第一部分位于所述阻挡坝的第一侧,所述第二部分位于所述阻挡坝上。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板,包括:衬底基板,包括显示区域和位于所述显示区域至少一侧的周边区域;阻挡坝,位于所述周边区域,具有相对的第一侧和第二侧,所述第一侧和所述第二侧之一靠近所述显示区域,另一个远离所述显示区域,所述阻挡坝具有第一倾斜侧面,所述第一倾斜侧面位于所述第一侧,且从靠近所述衬底基板向远离所述衬底基板的方向上,所述第一倾斜侧面向远离所述第二侧的方向倾斜,所述第一倾斜侧面与所述衬底基板之间具有第一空间;以及无机封装薄膜,被所述第一倾斜侧面分隔为彼此断开的第一部分和第二部分,所述第一部分位于所述阻挡坝的第一侧,所述第二部分位于所述阻挡坝上。2.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述第一倾斜侧面远离所述衬底基板的一端到所述衬底基板的距离大于所述第一部分远离所述衬底基板的表面到所述衬底基板的距离。3.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述第一倾斜侧面位于所述阻挡坝的远离所述显示区域的一侧。4.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述阻挡坝还包括第二倾斜侧面,所述第二倾斜侧面位于所述第一侧,且从靠近所述衬底基板向远离所述衬底基板的方向上,所述第二倾斜侧面向靠近所述第二侧的方向倾斜,所述第二倾斜侧面与所述第一倾斜侧面相交。5.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述阻挡坝具有第三倾斜侧面,所述第三倾斜侧面位于所述第二侧,且从靠近所述衬底基板向远离所述衬底基板的方向上,所述第三倾斜侧面向远离所述第一侧的方向倾斜,所述第三倾斜侧面与所述衬底基板之间具有第二空间;所述无机封装薄膜还包括第三部分,所述第三部分位于所述阻挡坝的所述第二侧,所述第三部分和所述第二部分在所述第二倾斜侧面处彼此断开。6.根据权利要求5所述的显示基板,其中,所述第三倾斜侧面远离所述衬底基板的一端到所述衬底基板的距离大于所述第三部分远离所述衬底基板的表面到所述衬底基板的距离。7.根据权利要求5所述的显示基板,其中,所述阻挡坝还包括第四倾斜侧面,所述第四倾斜侧面位于所述第二侧,且从靠近所述衬底基板向远离所述衬底基板的方向上,所述第四倾斜侧面向靠近所述第一侧的方向倾斜,,所述第四倾斜侧面与所述第三倾斜侧...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘阳升龙跃金楻
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司成都京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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