一种单晶硅的腐蚀液制造技术

技术编号:18075802 阅读:42 留言:0更新日期:2018-05-31 05:05
本发明专利技术公开一种单晶硅的腐蚀液,按质量份数计包括以下组分:0.4份的二氟化氙、0.5份的氟化铵和100份的去离子水。该单晶硅的腐蚀液适用于腐蚀单晶硅或二氧化硅衬底上的单晶硅和多晶硅层,该腐蚀液的腐蚀速率快,可减少处理过程中的毒性。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅的腐蚀液
本专利技术涉及精细化工的
,特别涉及一种单晶硅的腐蚀液。
技术介绍
单晶硅的腐蚀液需要用于腐蚀单晶硅或二氧化硅衬底上的单晶硅和多晶硅层,对腐蚀液的腐蚀性能要求比较高。因此,急需开发一款腐蚀速率快的单晶硅的腐蚀液。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种单晶硅的腐蚀液,解决上述现有技术问题中的一个或者多个。本专利技术提供一种单晶硅的腐蚀液,按质量份数计包括以下组分:0.4份的二氟化氙、0.5份的氟化铵和100份的去离子水。具体实施方式下面的实施案例,对本专利技术进行进一步详细的说明。实施案例:一种单晶硅的腐蚀液,按质量份数计包括以下组分:0.4份的二氟化氙、0.5份的氟化铵和100份的去离子水。本专利技术的实施案例的单晶硅的腐蚀液适用于腐蚀单晶硅或二氧化硅衬底上的单晶硅和多晶硅层,该腐蚀液的腐蚀速率快,可减少处理过程中的毒性。以上表述仅为本专利技术的优选方式,应当指出,对本领域的普通技术人员来说,在不脱离本专利技术创造构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些也应视为专利技术的保护范围之内。

【技术保护点】
一种单晶硅的腐蚀液,其特征在于,按质量份数计包括以下组分:0.4份的二氟化氙、0.5份的氟化铵和100份的去离子水。

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅的腐蚀液,其特征在于,按质量份数计包括以下组分...

【专利技术属性】
技术研发人员:王世榕
申请(专利权)人:南通海鑫信息科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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