一种基片托盘存储腔以及一种MOCVD处理系统技术方案

本实用新型专利技术提供一种用于MOCVD处理系统的基片托盘存储腔，所述基片托盘存储腔内包括：多个上下叠放的第一支撑架和第二支撑架，其中第二支撑架中设置有冷却液管道用以冷却设置在第二支撑架上的基片托盘；所述多个第二支撑架固定到所述基片存储腔，并且至少一个第二支撑架上方具有大于第二高度(H0)的空间；所述多个第一支撑架通过驱动装置连接到存储腔，所述驱动装置可驱动所述多个第一支撑架上下运动，使得至少两个相邻的第一支撑架之间的间距在第一高度(H3)和所述第二高度之间变化，其中第一高度小于第二高度。

【技术实现步骤摘要】
一种基片托盘存储腔以及一种MOCVD处理系统
本技术涉及一种MOCVD处理系统，具体涉及一种MOCVD处理系统中的基片托盘存储腔。
技术介绍
LED被大量生产和广泛应用，用于生产LED的MOCVD处理系统也得到日益广泛的应用。MOCVD处理系统中被通入MO(metalorganic)气体和氨气以及气体N2、H2等载流气体，使得GaN等化合物半导体在高温的基片上快速的生长出来。为了提高生产效率往往需要将大量小尺寸的基片(2-6英寸)放入一个基片托盘上的大量凹坑中，然后将基片托盘带着这些基片一起被送入MOCVD处理系统中的处理腔。如图1所示为典型的MOCVD处理系统结构图，包括一个传输腔100，传输腔100上连接着一个真空锁(loadlock)110，传输腔内设置有至少一个机械臂，用于转运基片托盘20。传输腔100上还连接着多个进行MOCVD沉积的处理腔120a-120d，以及一个基片托盘存储腔130，其中基片托盘存储腔130内既存储着即将送入处理腔进行处理的待处理基片托盘20，也包括在处理腔完成处理后的基片托盘20。基片托盘存储腔130与传输腔100之间通过一个气密门36相连接。由于M本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基片托盘存储腔，所述基片托盘存储腔内包括：多个上下方向叠放的第一支撑架和第二支撑架，其中第二支撑架中设置有冷却液管道用以冷却设置在第二支撑架上的基片托盘；所述多个第二支撑架固定到所述基片存储腔，并且至少一个第二支撑架上方具有大于第二高度(H0)的空间；所述多个第一支撑架通过驱动装置连接到存储腔，所述驱动装置可驱动所述多个第一支撑架上下运动，使得至少两个相邻的第一支撑架之间的间距在第一高度(H3)和所述第二高度之间变化，其中第一高度小于第二高度。

【技术特征摘要】
1.一种基片托盘存储腔，所述基片托盘存储腔内包括：多个上下方向叠放的第一支撑架和第二支撑架，其中第二支撑架中设置有冷却液管道用以冷却设置在第二支撑架上的基片托盘；所述多个第二支撑架固定到所述基片存储腔，并且至少一个第二支撑架上方具有大于第二高度(H0)的空间；所述多个第一支撑架通过驱动装置连接到存储腔，所述驱动装置可驱动所述多个第一支撑架上下运动，使得至少两个相邻的第一支撑架之间的间距在第一高度(H3)和所述第二高度之间变化，其中第一高度小于第二高度。2.如权利要求1所述的基片托盘存储腔，其特征在于，所述第一高度小于第二高度的1/2。3.如权利要求1所述的基片托盘存储腔，其特征在于，所述多个第二支撑架位于所述基片托盘存储腔内下方，多个第一支撑架位于所述基片托盘存储腔内上方。4.如权利要求3所述的基片托盘存储腔，其特征在于，所述基片托盘存储腔内包括至少3个第一支撑架，和至少2个第二支撑架包括。5.如权利要求1所述的基片托盘存储腔，其特征在于，所述多个第二支撑架位于所述基片托盘存储腔内上方，多个第一支撑架位于所述基片托盘存储腔内下方。6.如权利要求1所述基片托盘存储腔，其特征在于，包括至少三个第一支撑架，所述驱动装置驱动所述三个第一支撑架，使得相邻的三个第一支撑架之间分别具有第一高度和第二高度的间距。7.一种基片托盘存储腔，所述基片托盘存储腔内包括：多个上下方向叠放的第一支撑架和第二支撑架，其中第二支撑架中设置有冷却液管道用以冷却设置在第二支撑架上的基片托盘；所述多个第二支撑架通过第二驱动装置连接到所述基片存储腔；所述多个第一支撑架通过驱动装置连接到存储腔，所述驱动装置可驱动所述多个第一支撑架上下运动，使得至少两个相邻的第一支撑架之间的间距在第一高度(H3)和第二高度之间变化，其中第一高度小于第二高度。8.如权利要求7所述的基片托盘存储腔，其特征在于所述第二驱动装置能够驱动所述第二支撑架，使得至少一个第二支撑架与相邻的另一个第二支撑架或者第一支撑架之间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶珩，袁群艺，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31