一种触发空闲时补给能量的晶闸管强触发电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种触发空闲时补给能量的晶闸管强触发电路，涉及电子技术领域，包括控制电源V2，所述控制电源V2的正极与第三二极管D3的正极连接于点a，所述第三二极管D3的负极与第二电阻R2的一端连接于点b，所述第二电阻R2的另一端与第一电阻R1的一端连接于点c；本实用新型专利技术具有如下优点：增强触发脉冲高度，使得得到的脉冲前沿高度和上升时间得到满足；触发一致性好，能够增加可控硅的使用寿命，大大减轻了实际的电路维护和运营成本；因为强触发能量完全由储能电容提供强触发时能量环路小，能够更有效的向晶闸管提供能量，同时一致性好脉冲前沿上升时间远小于540nS。强出发电路之间脉冲时间偏差不大于200nS；从电源吸收的功率由原来的8W减至3～4W。

【技术实现步骤摘要】
一种触发空闲时补给能量的晶闸管强触发电路
本技术涉及电力电子
，具体涉及一种触发空闲时补给能量的晶闸管强触发电路。
技术介绍
随着电力电子技术的发展，很多变频电源设备和整流装置都更多选用大功率的晶闸管单管或串、并联结合的晶闸管组件。这就对传统的触发电路的可靠性、一致性提出了更高的要求，因此晶闸管生产厂家提出了强出发的要求，前沿尖峰电压>30V(空载)，尖峰电流>15A，前沿上升时间<1uS，电流上升率>2A/uS，然而以往的方法通过限流电阻R和微分电容C并联电路，以及其等效的R限流向C充电，由C处经功率管输出的电路，则在这样的要求下，限流电阻将消耗大部分能量电效率势必很低，电源内阻处理不当时甚至还会影响自身及电源的稳定。因而在这里提出了前沿尖峰能量补充，在触发空闲时，前沿的强出发脉冲完全由充电电容形成，尖峰与平台平滑衔接，平台部分由低压电源经小阻值电阻限流的方案。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本技术提供了一种触发空闲时补给能量的晶闸管强触发电路，使晶闸管一致性触发，增加了晶闸管的使用寿命，同时减少吸收电源功率。为实现以上目的，本技术通过以下技术方案予以实现：一种触发空闲时补给能量的晶闸管强触发电路，包括控制电源V2，所述控制电源V2的正极与第三二极管D3的正极连接于点a，所述第三二极管D3的负极与第二电阻R2的一端连接于点b，所述第二电阻R2的另一端与第一电阻R1的一端连接于点c，所述第一电阻R1的另一端与第二MOS场效应管Q2的源极相连接，所述第二MOS场效应管Q2的栅极与XPG1的负极连接于点g，所述第二MOS场效应管Q2的漏极与XPG1的COM端连接于点h，点h还与第一电容C1的一端相连接，所述第一电容C1的另一端与稳压二极管D2的正极连接于点f，所述稳压二极管D2的负极与三极管Q1的发射极连接于点d，所述三极管Q1的基极与点c相连接，所述三极管Q1的集电极与点b相连接，点b还与第二电容C2的一端相连接，所述第二电容C2的另一端与点f连接；点d还与第一二极管D1的正极相连接，所述第一二极管D1的负极还与点c相连接；点d还与第四MOS场效应管Q4的栅极相连接，所述第四MOS场效应管Q4的源极与第三电阻R3的一端连接于点e，所述第三电阻R3的另一端与第四二极管D4的负极相连接，所述第四二极管D4的正极与点a相连接；所述第四MOS场效应管Q4的漏极与第六二极管Q6的负极相连接，所述第六二极管Q6的正极与点h相连接；点h接地，点h还与第三MOS场效应管Q3的漏极相连接，所述第三MOS场效应管Q3的栅极与点g相连接，所述第三MOS场效应管Q3的源极与第四电容C4的一端连接于点i，所述第四电容C4的另一端与第四电阻R4的一端相连接，所述第四电阻R4的另一端与第五MOS场效应管Q5栅极连接于点m，所述第五MOS场效应管Q5的漏极与点e相连接，所述第五MOS场效应管Q5的源极与强脉冲电源V1的正极连接于点n，所述强脉冲电源V1的负极连接于点h；点m与第五稳压二极管D5的正极相连接，所述第五稳压二极管D5的负极与点n相连接；点m和点n之间还连接有第五电容C5；点h和点f之间还连接有第六电阻R6，点f还与示波器B接口的正极相连接，点f还与第七二极管Q7的负极相连接，所述第七二极管Q7的负极与点h相连接；所述示波器A接口的正极依次与点g、XFG1的负极相连接。优选地，所述控制电源V2的大小为12～15V。优选地，所述强脉冲电源V1的大小为40～50V。本技术提供了一种触发空闲时补给能量的晶闸管强触发电路，具有如下优点：第一：增强触发脉冲高度，使得得到的脉冲前沿高度和上升时间得到满足；第二：触发一致性好，能够增加可控硅的使用寿命，大大减轻了实际的电路维护和运营成本；第三：因为强触发能量完全由储能电容提供强触发时能量环路小，能够更有效的向晶闸管提供能量，同时一致性好脉冲前沿上升时间远小于540nS。强出发电路之间脉冲时间偏差不大于200nS；第四：从电源吸收的功率由原来的8W减至3～4W。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术的电路原理图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术的描述中，需要说明的是，术语“竖直”、“上”、“下”、“水平”等指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或者位置关系，仅是为了便于描述本实用和简化描述，而不是指示或者暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位，以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，“第一”、“第二”、“第三”、“第四”仅用于描述目的，而不能理解为指示或者暗示相对重要性。本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限制，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接，可以是机械连接，也可以是电连接，可以是直接连接，也可以是通过中间媒介相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。实施例1：如图1所示，一种触发空闲时补给能量的晶闸管强触发电路，包括控制电源V2，所述控制电源V2的正极与第三二极管D3的正极连接于点a，所述第三二极管D3的负极与第二电阻R2的一端连接于点b，所述第二电阻R2的另一端与第一电阻R1的一端连接于点c，所述第一电阻R1的另一端与第二MOS场效应管Q2的源极相连接，所述第二MOS场效应管Q2的栅极与XPG1的负极连接于点g，所述第二MOS场效应管Q2的漏极与XPG1的COM端连接于点h，点h还与第一电容C1的一端相连接，所述第一电容C1的另一端与稳压二极管D2的正极连接于点f，所述稳压二极管D2的负极与三极管Q1的发射极连接于点d，所述三极管Q1的基极与点c相连接，所述三极管Q1的集电极与点b相连接，点b还与第二电容C2的一端相连接，所述第二电容C2的另一端与点f连接；点d还与第一二极管D1的正极相连接，所述第一二极管D1的负极还与点c相连接；点d还与第四MOS场效应管Q4的栅极相连接，所述第四MOS场效应管Q4的源极与第三电阻R3的一端连接于点e，所述第三电阻R3的另一端与第四二极管D4的负极相连接，所述第四二极管D4的正极与点a相连接；所述第四MOS场效应管Q4的漏极与第六二极管Q6的负极相连接，所述第六二极管Q6的正极与点h相连接；点h接地，点h还与第三MOS场效应管Q3的漏极相连接，所述第三MOS场效应管Q3的栅极与点g相连接，所述第三MOS场效应管Q3的源极与第四电容C4的一端连接于点本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种触发空闲时补给能量的晶闸管强触发电路，其特征在于，包括控制电源(V2)，所述控制电源(V2)的正极与第三二极管(D3)的正极连接于点a，所述第三二极管(D3)的负极与第二电阻(R2)的一端连接于点b，所述第二电阻(R2)的另一端与第一电阻(R1)的一端连接于点c，所述第一电阻(R1)的另一端与第二MOS场效应管(Q2)的源极相连接，所述第二MOS场效应管(Q2)的栅极与XPG1的负极连接于点g，所述第二MOS场效应管(Q2)的漏极与XPG1的COM端连接于点h，点h还与第一电容(C1)的一端相连接，所述第一电容(C1)的另一端与稳压二极管(D2)的正极连接于点f，所述稳压二极管(D2)的负极与三极管(Q1)的发射极连接于点d，所述三极管(Q1)的基极与点c相连接，所述三极管(Q1)的集电极与点b相连接，点b还与第二电容(C2)的一端相连接，所述第二电容(C2)的另一端与点f连接；点d还与第一二极管(D1)的正极相连接，所述第一二极管(D1)的负极还与点c相连接；点d还与第四MOS场效应管(Q4)的栅极相连接，所述第四MOS场效应管(Q4)的源极与第三电阻(R3)的一端连接于点e，所述第三电阻(R3)的另一端与第四二极管(D4)的负极相连接，所述第四二极管(D4)的正极与点a相连接；所述第四MOS场效应管(Q4)的漏极与第六二极管(Q6)的负极相连接，所述第六二极管(Q6)的正极与点h相连接；点h接地，点h还与第三MOS场效应管(Q3)的漏极相连接，所述第三MOS场效应管(Q3)的栅极与点g相连接，所述第三MOS场效应管(Q3)的源极与第四电容(C4)的一端连接于点i，所述第四电容(C4)的另一端与第四电阻(R4)的一端相连接，所述第四电阻(R4)的另一端与第五MOS场效应管(Q5)栅极连接于点m，所述第五MOS场效应管(Q5)的漏极与点e相连接，所述第五MOS场效应管(Q5)的源极与强脉冲电源(V1)的正极连接于点n，所述强脉冲电源(V1)的负极连接于点h；点m与第五稳压二极管(D5)的正极相连接，所述第五稳压二极管(D5)的负极与点n相连接；点m和点n之间还连接有第五电容(C5)；点h和点f之间还连接有第六电阻(R6)，点f还与示波器B接口的正极相连接，点f还与第七二极管(Q7)的负极相连接，所述第七二极管(Q7)的负极与点h相连接；所述示波器A接口的正极依次与点g、XFG1的负极相连接。...

【技术特征摘要】
1.一种触发空闲时补给能量的晶闸管强触发电路，其特征在于，包括控制电源(V2)，所述控制电源(V2)的正极与第三二极管(D3)的正极连接于点a，所述第三二极管(D3)的负极与第二电阻(R2)的一端连接于点b，所述第二电阻(R2)的另一端与第一电阻(R1)的一端连接于点c，所述第一电阻(R1)的另一端与第二MOS场效应管(Q2)的源极相连接，所述第二MOS场效应管(Q2)的栅极与XPG1的负极连接于点g，所述第二MOS场效应管(Q2)的漏极与XPG1的COM端连接于点h，点h还与第一电容(C1)的一端相连接，所述第一电容(C1)的另一端与稳压二极管(D2)的正极连接于点f，所述稳压二极管(D2)的负极与三极管(Q1)的发射极连接于点d，所述三极管(Q1)的基极与点c相连接，所述三极管(Q1)的集电极与点b相连接，点b还与第二电容(C2)的一端相连接，所述第二电容(C2)的另一端与点f连接；点d还与第一二极管(D1)的正极相连接，所述第一二极管(D1)的负极还与点c相连接；点d还与第四MOS场效应管(Q4)的栅极相连接，所述第四MOS场效应管(Q4)的源极与第三电阻(R3)的一端连接于点e，所述第三电阻(R3)的另一端与第四二极管(D4)的负极相连接，所述第四二极管(D4)的正极与点a相连接；所述第四MOS场效应管(Q...

【专利技术属性】
技术研发人员：王斌，刘志远，彭军华，
申请(专利权)人：淮北市华明工业变频设备有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34