高精度基材支架举升设备及方法技术

一种用于调整介于一腔室体与一升举板之间的一间距的装置，至少包含有将被装设至该腔室体的一装设螺栓的升举板。该装设螺栓包括有一螺栓刻纹表面。一轴衬能够被固定至该升举板，并且包括有一轴衬刻纹表面。一调整螺丝具有第一刻纹表面与第二刻纹表面，其中该第一刻纹表面刻纹地卡合于该装设螺栓的该螺栓刻纹表面，该第二刻纹表面刻纹地卡合于该轴衬的该轴衬刻纹表面。当该轴衬被固定至该升举板且该调整螺丝被旋转时，该些刻纹表面是用以使得该调整螺丝相对于该装设螺栓以第一速率在第一方向移动且该轴衬相对于该调整螺丝以第二速率在第二方向移动，其中该第二方向是相反于该第一方向且该第二速率是不同于该第一速率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大致上是有关于半导体制造，且特别是有关于一种用以达到形成在一基材上的一层次的一所希望厚度均匀性的方法与设备。
技术介绍
制造现代半导体元件的主要步骤之一是通过气体化学反应形成一薄膜在一半导体基材上。这样的一沉积制程被称为化学气相沉积(CVD)。传统的热CVD制程是供应反应性气体至基材表面，其中在该基材表面上热诱发化学反应会发生以产生所希望的薄膜。等离子增强CVD制程通过施加射频(RF)能量至邻近基材表面的反应区域而促成了反应物气体的激化与/或分解，藉此产生一高反应性物种的等离子体。所被释放物种的高反应性降低了一化学反应发生所需要的能量，且因此记低了这样的CVD制程的所需要的温度。在腔室内进行处理的期间，例如形成一层次在基材上，基材停置在一基材支撑件上。基材支撑件典型地为一基材加热器，该基材加热器在基材处理期间是支撑住且加热该基材。基材停置于加热器表面上方，并且热被供给至基材底部。一些基材加热器是被电阻式地加热，例如通过电性加热构件，譬如位于加热器表面下方或被嵌入在具有加热表面的一平板内的电阻式线圈。来自基材加热器的热在热驱动制程中为能量的主要来源，其中该热驱动制程是例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于调整介于一腔室体与一升举板之间的一间距的装置，该装置至少包含：一装设螺栓，被建构以被装设至该腔室体，该装设螺栓包括有一螺栓刻纹表面；一轴衬，能够被固定至该升举板，该轴衬包括有一轴衬刻纹表面；一调整螺丝，具有第一刻纹表面与第二刻纹表面，其中该第一刻纹表面刻纹地卡合于该装设螺栓的该螺栓刻纹表面，该第二刻纹表面刻纹地卡合于该轴衬的该轴衬刻纹表面；其中当该轴衬被固定至该升举板且该调整螺丝被旋转时，该些刻纹表面是用以使得该调整螺丝相对于该装设螺栓以第一速率在第一方向移动且该轴衬相对于该调整螺丝以第二速率在第二方向移动，其中该第二方向是相反于该第一方向且该第二速率是不同于该第一速率。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：基比弗劳德，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[]